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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 三星

          3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎?

          • 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問題之前,我
          • 關(guān)鍵字: DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

          三星計(jì)劃7月份組建芯片研發(fā)新團(tuán)隊(duì) 目標(biāo)超越蘋果芯片

          • 在目前的Android手機(jī)市場中,三星的地位幾乎難以撼動(dòng),這不單是因?yàn)槿堑氖袌龇蓊~已經(jīng)在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)穩(wěn)居第一,也是因?yàn)槿窃陔娮赢a(chǎn)品方面有著深厚的積累:制造手機(jī)所需要的屏幕、處理器、電池等等,三星基本都可以采用自家的。不過,目前不可否認(rèn)的是,Exynos芯片在表現(xiàn)上還無法與三星的對手蘋果相互競爭。但是,最近有相關(guān)消息傳出,三星似乎要繼續(xù)大力投入芯片業(yè)務(wù),從而提升自己的產(chǎn)品體驗(yàn)。三星現(xiàn)有由集團(tuán)半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部(DS部門)所生產(chǎn)的旗艦級手機(jī)芯片“Exynos”,另外也部分采購高通、聯(lián)發(fā)科
          • 關(guān)鍵字: 三星  芯片  蘋果  

          功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀:搶先臺積電量產(chǎn)

          •   三星之前制定計(jì)劃在2030年成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一,3nm節(jié)點(diǎn)是他們的一個(gè)殺手锏,之前一直被良率不行等負(fù)面?zhèn)髀劺_,日前三星公司終于亮出首個(gè)3nm晶圓,按計(jì)劃將在今年Q2季度量產(chǎn),比臺積電還要早一些?! ∪涨懊绹偨y(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠,這里是目前全球唯一一個(gè)可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠,三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓,不過具體是哪款芯片還不得而知?! θ莵碚f,3nm節(jié)點(diǎn)是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵,因?yàn)榕_積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術(shù),三
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  

          三星出樣最快GDDR6顯存:24Gbps速度背刺GDDR6X

          • 經(jīng)查,三星官網(wǎng)確認(rèn),針腳速度20Gbps(K4ZAF325BC-SC20)和24Gbps(K4ZAF325BC-SC24)的GDDR6顯存芯片已經(jīng)出樣。其它規(guī)格方面,單片容量達(dá)到16Gb(2GB)。當(dāng)前,AMD的RDNA2顯卡主要采用三星GDDR6顯存,然而最高也不過RX 6900 XT水冷版的18.5Gbps,位寬仍是256bit。相較而言,由于NVIDIA和美光的GDDR6X“廝混”,最高摸到19.5Gbps/384bit,導(dǎo)致兩者帶寬差距明顯。三星的產(chǎn)品更新顯然讓AMD RDNA3很有底氣。當(dāng)然,N
          • 關(guān)鍵字: GDDR6X  GDDR6  顯存  三星  

          Intel獨(dú)立顯卡采用三星GDDR6顯存 速率達(dá)16Gbps

          • 前段時(shí)間網(wǎng)上曝光了Intel Arc(銳炫)品牌的Alchemist(DG2)移動(dòng)顯卡的PPT,根據(jù)PPT顯示未來Intel在移動(dòng)平臺的獨(dú)立顯卡共被劃分為5個(gè)SKU、4種顯存配置。近日該系列顯卡其中之一的顯存芯片布局照片也被曝光,從照片上來看,其型號為DG2-512EU,共有6個(gè)三星K4ZAF325BM-HC16內(nèi)存模塊。從三星的產(chǎn)品目錄來看,這款GDDR6內(nèi)存模塊的容量為2GB,速率為16Gbps,也就是說這款顯卡的顯存容量為12GB,顯存位寬為192,并且有384GB/s的帶寬。根據(jù)Intel的規(guī)劃來
          • 關(guān)鍵字: GDDR6X  GDDR6  Intel  三星  顯存  

          三星高管稱不會造車:沒利潤 當(dāng)供應(yīng)商更賺錢

          •   曾經(jīng)有傳言稱三星會制造自己的電動(dòng)車,然而三星高管表態(tài)否決了這種可能。  據(jù)《韓國時(shí)報(bào)》報(bào)道,未透露姓名的三星高管稱,三星不會生產(chǎn)自己的電動(dòng)汽車品牌。主要原因是三星認(rèn)為其在成品電動(dòng)汽車領(lǐng)域不會有長期的利潤?! ∷赋觯侵粫鲭妱?dòng)汽車行業(yè)領(lǐng)先的零部件供應(yīng)商,同時(shí)也希望避免與這些客戶發(fā)生任何沖突。  有消息人士表示,“從三星的角度來看,造車花費(fèi)太高,并且可能無法保證有所回報(bào)?!薄 ∠⑷耸窟€稱,三星在手機(jī)業(yè)務(wù)面臨更加激烈的競爭以及利潤下滑的壓力,使得三星更加依賴于其零部件業(yè)務(wù)來帶來利潤。  據(jù)悉,三星目
          • 關(guān)鍵字: 三星  造車  

          消息人士透露三星也準(zhǔn)備提高晶圓代工價(jià)格 最高上調(diào)20%

          • 前不久,當(dāng)前全球規(guī)模最大、制程工藝最先進(jìn)、市場份額最高的晶圓代工商臺積電,已經(jīng)通知客戶明年全面漲價(jià),代工價(jià)格上調(diào)5%-9%,新價(jià)格在明年1月份開始實(shí)施;聯(lián)電也將要在今年7月1日上調(diào)其28nm晶圓代工價(jià)格。而從外媒最新的報(bào)道來看,在制程工藝方面能跟上臺積電節(jié)奏的全球第二大晶圓代工商三星電子,也在準(zhǔn)備提高晶圓代工價(jià)格。在全球多領(lǐng)域芯片供應(yīng)緊張,芯片代工原材料價(jià)格上漲的大背景下,三星電子的晶圓代工價(jià)格在2021年依舊相對穩(wěn)定,并沒有像其他代工商那樣多次上調(diào),不斷推升代工價(jià)格。但隨著新的影響因素不斷出現(xiàn),三星電子
          • 關(guān)鍵字: 三星  晶圓  代工  

          三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM

          • 2022年5月10日 ,作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比,新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本,以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存擴(kuò)展器  CXL DRAM  

          三星將向美國運(yùn)營商DISH提供5G設(shè)備 通信市場格局或改變?

          • 據(jù)國外媒體報(bào)道,三星電子同2020年獲得移動(dòng)通信服務(wù)牌照的美國運(yùn)營商DISH網(wǎng)絡(luò)公司,達(dá)成了包括5G在內(nèi)的電信設(shè)備供應(yīng)協(xié)議。從外媒的報(bào)道來看,DISH目前是美國第四大無線通信服務(wù)提供商,三星電子與DISH達(dá)成的是一份多年的協(xié)議,不過三星方面并未公布合同的金額,但有產(chǎn)業(yè)鏈方面的人士預(yù)計(jì),兩家公司達(dá)成的協(xié)議,價(jià)值可能超過1萬億韓元(約合人民幣52億元)。根據(jù)兩家公司達(dá)成的協(xié)議,三星電子將向DISH供應(yīng)5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和其他的電信設(shè)備,支持DISH提供5G商用服務(wù)。根據(jù)協(xié)議,DISH是計(jì)劃他們的5G寬帶網(wǎng)絡(luò),在20
          • 關(guān)鍵字: 三星  運(yùn)營商  DISH  5G  通信  

          三星正推進(jìn)3nm工藝二季度量產(chǎn) 若實(shí)現(xiàn)將先于臺積電量產(chǎn)

          • 據(jù)國外媒體報(bào)道,在7nm和5nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上基本能跟上臺積電節(jié)奏的三星電子,在更先進(jìn)的3nm制程工藝上有望先于臺積電量產(chǎn),有報(bào)道稱他們正推進(jìn)在二季度量產(chǎn)。三星電子在二季度的展望中提到,他們的技術(shù)領(lǐng)先將通過首個(gè)大規(guī)模量產(chǎn)的全環(huán)繞柵極晶體管3nm工藝進(jìn)一步加強(qiáng),他們也將擴(kuò)大供應(yīng),確保獲得全球客戶新的訂單,包括美國和歐洲客戶的訂單。外媒的報(bào)道顯示,三星電子方面已經(jīng)宣布,他們早期3nm級柵極全能(3GAE)工藝將在二季度量產(chǎn)。三星電子宣布的這一消息,也就意味著業(yè)界首個(gè)3nm制程工藝即將量產(chǎn),將是首個(gè)采用全
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  臺積電  

          三星3納米超車臺積電?重要數(shù)據(jù)曝光!結(jié)局出乎意料

          • 臺積電在4月中的法說會曾透露,預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)3納米,2納米制程的量產(chǎn)時(shí)間則落在2025年,沒想到三星上周公開表示,公司將在未來幾周內(nèi)量產(chǎn)3納米。若此事成真,三星將搶先臺積電量產(chǎn)3納米,然而三星在制程利率的問題仍是外界關(guān)注焦點(diǎn),先前有外媒披露,三星3納米的良率最高僅2成,迫使部分IC 設(shè)計(jì)大廠選擇轉(zhuǎn)單至臺積電。科技網(wǎng)站Tom's Hardware報(bào)導(dǎo),三星上周發(fā)出一份公開聲明,內(nèi)容提到公司將透過世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)3納米GAA技術(shù)來加強(qiáng)技術(shù)在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的地位,有望在本季,即未來幾周內(nèi)開始量產(chǎn)。另一
          • 關(guān)鍵字: 三星  3納米  臺積電  

          大單、技術(shù)全被臺積電打趴?三星怒嗆1句揭幕后真相

          • 晶圓代工產(chǎn)業(yè)競爭激烈,近期三星屢被傳出因先進(jìn)制程良率低而丟掉大訂單的消息,對此,三星駁斥此事,強(qiáng)調(diào)與客戶關(guān)系緊密,同時(shí)三星也透露,剩余晶圓代工訂單的價(jià)值上看200兆韓元(約新臺幣4.6兆),且產(chǎn)能已確保至2027年。Korea IT News報(bào)導(dǎo),業(yè)界盛傳三星大客戶高通、輝達(dá)已經(jīng)將晶圓代工的訂單轉(zhuǎn)移至勁敵臺積電手上,對此,三星駁斥市場對其業(yè)務(wù)能見度不清的擔(dān)憂,三星晶圓代工事業(yè)部副總裁Moon-soo Kang表示,「最近市場上有太多的紛擾,我們與主要客戶建立穩(wěn)定的合作關(guān)系,不僅與智慧手機(jī)的廠商合作,還與高
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  三星  晶圓代工  

          三星推出高效能、極耐用雙強(qiáng)儲存裝置陣容

          • 許多精彩、珍貴的回憶及數(shù)據(jù),仰賴儲存裝置為人們記錄保存。全球先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)品牌三星電子,以長年深耕的半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)及業(yè)界領(lǐng)先技術(shù),推出眾多優(yōu)異產(chǎn)品?;貞?yīng)當(dāng)今消費(fèi)者對于耐用性及高效能儲存裝置的殷切期盼,臺灣三星宣布引進(jìn)強(qiáng)悍與行動(dòng)性兼具的Samsung T7 Shield移動(dòng)固態(tài)硬盤,及現(xiàn)行三星記憶卡陣容中使用壽命最長的PRO Endurance MicroSD記憶卡,滿足消費(fèi)者不同需求。Samsung T7 Shield移動(dòng)固態(tài)硬盤及PRO Endurance MicroSD記憶卡,預(yù)計(jì)5月9日起于三星商城、
          • 關(guān)鍵字: 三星  儲存裝置  T7 Shield  PRO Endurance  

          三星SDI計(jì)劃將電動(dòng)汽車電池技術(shù)用于智能手機(jī) 續(xù)航或有巨大提升

          • 三星的電池和能源部門三星SDI計(jì)劃利用其目前用于制造電動(dòng)汽車(EVs)的第五代電池生產(chǎn)技術(shù)來制造用于平板電腦和智能手機(jī)的電池。在相同體積下,使用堆疊電池技術(shù)的手機(jī)電池容量可以進(jìn)一步提升,或者可以讓手機(jī)在保持相同電池容量下,機(jī)身做的更為輕薄。三星EV電池技術(shù)利用堆疊方法取代智能手機(jī)電池現(xiàn)有圓柱卷繞式(Jelly Roll),提升電池密度電量,不占更多空間下,可提升超過10%電量。而且堆疊設(shè)計(jì)還可解決平卷電池由于無法緊密包裝,導(dǎo)致電池充、放電時(shí)發(fā)生的自然膨脹使得電極彎曲的問題,同時(shí)還能填充電池內(nèi)部的死區(qū)。動(dòng)力
          • 關(guān)鍵字: 三星  SDI  電動(dòng)汽車  電池技術(shù)  智能手機(jī)  續(xù)航  

          外媒稱三星3nm工藝良品率可能仍遠(yuǎn)不及預(yù)期 僅10%-20%

          • 據(jù)國外媒體報(bào)道,在2月份有報(bào)道稱臺積電的3nm工藝遇到良品率難題,可能影響到AMD、英偉達(dá)等部分客戶的產(chǎn)品路線圖之后,又出現(xiàn)了三星電子3nm工藝的良品率遠(yuǎn)不及預(yù)期的消息。韓國媒體的報(bào)道顯示,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo),在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。另外,三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意,僅為30%-35%。三星電子和臺積電是目前已順利量產(chǎn)5nm工藝,并在推進(jìn)3nm工藝量產(chǎn)事宜的晶圓代工商,與臺積電繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)不
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  良品率  
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          三星介紹

           韓國三星電子成立于1969年,正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月,三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年,三星電子不斷加大在中國的投資與合作,已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元,躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年,三星品牌價(jià)值108.5億美元,世界排名25位,被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]

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