三星 文章 進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)
三星Galaxy Buds+無線耳機(jī)參數(shù)全曝光：續(xù)航大增
- 距三星Unpacked活動(dòng)僅一周的時(shí)間，新的三星Galaxy Buds +將與一系列新硬件一同到來，現(xiàn)在新版Galaxy Buds的官方應(yīng)用程序已出現(xiàn)在Apple的App Store中，該應(yīng)用的屏幕截圖透露了一些內(nèi)容。新的Galaxy Buds +將具有改善的噪音隔離和改善的通話降噪功能，外觀看起來與第一代Galaxy Buds相同，但電池壽命將大大延長，并通過新的充電盒為每個(gè)耳機(jī)單獨(dú)顯示電量。此外，網(wǎng)上還曝光了一張關(guān)于新耳機(jī)和舊耳機(jī)的對(duì)比圖，顯示新款耳機(jī)除了在主動(dòng)降噪方面，有著非常全面的提升。除了新的G
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三星Galaxy S20系列手機(jī)全陣容真機(jī)照曝光：后攝配置不同
- 繼早前三星手機(jī)官方放出最新的Galaxy S20系列手機(jī)官方預(yù)熱視頻后，有關(guān)三星Galaxy S20全系的真機(jī)實(shí)拍照片也在網(wǎng)上流傳開來。從網(wǎng)傳真機(jī)照片來看，三星Galaxy S20系列手機(jī)攝像頭模塊的凸起程度各不相同，這似乎也暗示了三星Galaxy S20系列不同手機(jī)的攝像頭配置是有差異的。其中三星Galaxy S20 Ultra上的相機(jī)凸起非常明顯。根據(jù)現(xiàn)有爆料，預(yù)計(jì)三星Galaxy S20系列包括三款手機(jī)：Galaxy S20，S20+和S20 Ultra，分別采用的是6.2英寸、6.7英寸、6.9英
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價(jià)值200億美元 臺(tái)積電4月份揭秘3nm工藝：與三星關(guān)鍵決戰(zhàn)開始
- 在上周的說法會(huì)上,臺(tái)積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元,其中80%將投向先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm。這次說法會(huì)上臺(tái)積電沒有公布3nm工藝的情況,因?yàn)樗麄?月份會(huì)有專門的發(fā)布會(huì),會(huì)公開3nm工藝的詳情。臺(tái)積電的3nm工藝技術(shù)最終選擇什么路線,對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)來說很重要,因?yàn)槟壳澳軌蛏钊氲?nm節(jié)點(diǎn)的就剩下臺(tái)積電和三星了,其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝,明確會(huì)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。具體來說,三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%
- 以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆粒現(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場(chǎng)
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2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析
- 張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少。 關(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì)，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季 度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
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南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)
- 全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級(jí)內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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三星：內(nèi)存芯片市場(chǎng)開始出現(xiàn)恢復(fù)跡象 售價(jià)上漲不可能避免
- 對(duì)于三星來說，本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時(shí)指出，公司的利潤可能會(huì)跌幅超50%以上，主要是內(nèi)存等芯片價(jià)格下滑所致，不過他們看起來并不擔(dān)心。星電子副董事長Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示，內(nèi)存芯片市場(chǎng)開始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動(dòng)時(shí)間。這位三星電子副董事長在拉斯維加斯舉行的CES展會(huì)上對(duì)媒體表示：“有跡象表明市場(chǎng)正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測(cè)市場(chǎng)復(fù)蘇了多少，也很難預(yù)測(cè)哪些因素將會(huì)起作用?！睋?jù)悉，三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相
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三星將展示“虛擬人”項(xiàng)目成果 能自主生成表情動(dòng)作
- 三星有望在周一的國際消費(fèi)電子展（CES）上宣布其未來的“虛擬人”項(xiàng)目。
- 關(guān)鍵字： 三星 “虛擬人” 表情動(dòng)作
三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問世
- 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體工藝制造越來越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺(tái)積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。
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