東芝 文章 進入東芝技術社區(qū)
東芝推出低輸入電流驅(qū)動、軌對軌輸出、柵極驅(qū)動光電耦合器
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- 東芝公司今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器,用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(power MOSFET)。量產(chǎn)出貨即日啟動?! ⌒驴罟怆婑詈掀靼ㄓ糜隍?qū)動小功率IGBT的“TLP5751”和用于驅(qū)動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它們均采用低高度SO6L封裝。與采用DIP8封裝的東芝產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助于開發(fā)更纖薄小巧的裝置。盡管高度較低,但新產(chǎn)
- 關鍵字: 東芝 光電耦合器
生活狀態(tài)檢測功能將受關注
- 當下可穿戴電子產(chǎn)品中,無線遙控類、玩具類和醫(yī)療健康類可穿戴設備將會有較好的發(fā)展。而更多種類和更微弱的生物電信號感知將會是未來可穿戴電子產(chǎn)品設備的發(fā)展方向,例如,測量眼球運動和腦電波信號??纱┐髟O備的生活狀態(tài)檢測功能將會逐漸受到關注,例如,病人和老人生命體征的檢測。而更專業(yè)、更貼合慢性病的防治和監(jiān)控將會是這一類可穿戴設備的發(fā)展方向。 在可穿戴設備方面,東芝有APP-Lite系列芯片方案,該方案具有以下優(yōu)勢: · 多傳感器的融合,高集成度單芯片方案(包含傳感器、模擬前端放大處理電
- 關鍵字: 可穿戴設備 東芝
TZ5000應用處理器增添連接與多媒體功能
- TZ5000 整合了 PowerVR 圖形與視頻處理器以及 Ensigma Wi-Fi 802.11ac。2014 年 3 月 3 日 —— Imagination Technologies 宣布,東芝(Toshiba)在其新款 TZ5000 應用處理
- 關鍵字: TZ5000 Imagination 東芝
東芝未來科學館新館累計參觀人數(shù)突破100萬
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- 8月27日,在東芝未來科學館重裝開業(yè)的兩年零七個月后,累計參觀人數(shù)突破了100萬人。 東芝未來科學館舊館于1961年11月至2013年9月在日本川崎市幸區(qū)小向東芝町開門迎客,經(jīng)過重新裝修,煥然一新的新館于2014年1月31日在川崎市東芝智能大樓內(nèi)隆重開館。館內(nèi)展示了東芝集團秉承創(chuàng)始人田中久重和藤岡市助孜孜以求、勇于探索的精神和141年不斷進取的發(fā)展歷程,介紹了東芝集團的重點業(yè)務、最新產(chǎn)品和前沿技術。此外,東芝未來科學館還面向擔負未來重任的孩子們,積極推出旨在體驗和學習
- 關鍵字: 東芝
東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨
- 東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器,采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術,實現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進BiCS FLASHTM制造工藝,其發(fā)展藍圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。 這款新型存儲器沿襲48層BiC
- 關鍵字: 東芝 存儲器
東芝PC部門擴大新事業(yè) 目標3年營收占比拉升至20%
- 東芝(Toshiba)的PC事業(yè),由于是財報不實事件的主角,且被列為虧損事業(yè),原本要與Sony及富士通(Fujitsu)的PC事業(yè)整合,在2016年6月宣告破局后,現(xiàn)在決定自力從事PC事業(yè),重點則擺在相關的新事業(yè),要讓目前占營收不過2~3%的若干服務事業(yè),在2019年提高為20%水準。 東芝PC事業(yè)改革方向,基本上走縮編路線,2016會計年度(2016/4~2017/3)全球電腦銷售目標為300萬臺,僅及2015會計年度的一半,重點擺在企業(yè)市場,結(jié)束歐美的消費性市場PC銷售;但在全球PC市場下滑
- 關鍵字: 東芝 PC
東芝超車失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進,成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
- 關鍵字: 東芝 NAND
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