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先進制程競爭升級，三星臺積電4納米正面交鋒
- 據(jù)韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報道稱，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報告，報告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規(guī)模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進的半導(dǎo)體工藝制程為3納米，但市場主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠商主要
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NXP：先進制程有助打造更高效率的運算架構(gòu)
- 物聯(lián)網(wǎng)被視為未來各種智能化系統(tǒng)的主要架構(gòu)，透過底層感測網(wǎng)絡(luò)、中間通訊傳輸與上層云端平臺的組合，讓信息無縫流動，進而延伸出更多應(yīng)用，賦予更智能的生活體驗。不過隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用多元化、許多應(yīng)用或因功能安全或因直觀需要實時反應(yīng)，集中式運算的物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)已難因應(yīng)所有領(lǐng)域，因此系統(tǒng)終端開始被賦予一定程度的運算能力，以提升實時反應(yīng)功能。 恩智浦(NXP)半導(dǎo)體大中華區(qū)資深營銷經(jīng)理黃健洲恩智浦(NXP)半導(dǎo)體大中華區(qū)資深營銷經(jīng)理黃健洲指出，而針對此一需求，在MCU已布局多年的NXP在2019年推出了i.MX RT
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半導(dǎo)體從業(yè)人員受訪時承認：技術(shù)落后2-3代
- 受美國制裁的影響，我國在半導(dǎo)體先進制程的發(fā)展速度上嚴重放緩。 日經(jīng)新聞采訪了7家中國主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商，大多數(shù)承認目前主要生產(chǎn)14納米至28納米的芯片，落后對手至少2到3代。日經(jīng)在今年3月的2021中國國際半導(dǎo)體展期間訪問了多家半導(dǎo)體公司，獲得了7家公司回復(fù)。大多受訪者坦承，中國半導(dǎo)體先進芯片制程發(fā)展速度已經(jīng)放緩，也表示美國制裁阻礙他們從國外采購零件和材料，但用國內(nèi)產(chǎn)品替代又會降低良品率。上海微電子是中國唯一一家商用光刻機制造商，一名工程師受訪表示：我們的主要光刻機是用于90納米制程的，而28納米和14
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明年資本支出 臺積將首超三星、英特爾
- 先進制程成為半導(dǎo)體巨擘兵家必爭之地，臺積電日前于法說會上初透口風，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)則估，臺積電明年資本支出可望達到115億美元，超越英特爾、三星。 IEK分析，今年全球半導(dǎo)體廠商的資本支出估達643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺積三強均超過百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴大產(chǎn)能之余，先進制程的研發(fā)投資成本亦跟著水漲船高。舉例來說，一條20奈米產(chǎn)線的投資金額就
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