EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
光刻
光刻 文章 進(jìn)入光刻技術(shù)社區(qū)
新型高科技芯片有望使海水變成淡水
- [導(dǎo)讀]將海水變?yōu)槿祟惪梢燥嬘玫牡恢笔且粋€(gè)吃力不討好的差事，它耗能大、水質(zhì)又差，現(xiàn)在MIT的科學(xué)家們制造的芯片可以更好地完成這個(gè)工作。 雖然地球表面有超過(guò)70%被水覆蓋，但是我們可以直接使用的淡水卻并不算多。海洋中的苦澀咸水占了總水量的97.5%，剩下的淡水又大部分集中在南北極和冰川上。數(shù)百萬(wàn)年來(lái)，人類只能依靠?jī)H占總水量0.2%的淡水生存。 將海水變?yōu)榈莻€(gè)歷史悠久的課題。雖然早在1954年人們就修建了大規(guī)模的海水淡化廠，但是直到目前為止，最常見(jiàn)的海水脫鹽方式依然是半透膜反滲透或者多
- 關(guān)鍵字： 芯片 光刻 腐蝕
IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)
- 歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。 可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價(jià)值。顯然近年來(lái)其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費(fèi)用高聳,也難以為繼。 近幾年來(lái)IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進(jìn)步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強(qiáng)它在全球的超級(jí)能力,IMEC與TSMC在各個(gè)方面加強(qiáng)合作。 IMEC作
- 關(guān)鍵字： IMEC 光刻 CMOS
IC設(shè)備國(guó)產(chǎn)化多點(diǎn)突破二手市場(chǎng)尋求整合
- “工欲善其事，必先利其器。”集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開(kāi)裝備制造業(yè)的支撐，而裝備業(yè)的發(fā)展水平也是衡量一個(gè)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)總體水平的重要標(biāo)準(zhǔn)。近年來(lái)，我國(guó)集成電路裝備業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，12英寸設(shè)備在多個(gè)工序?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產(chǎn)線在我國(guó)仍有很大的發(fā)展空間，這也給國(guó)外的二手設(shè)備提供了用武之地，同時(shí)，也給從事設(shè)備翻新的企業(yè)提供了發(fā)展機(jī)遇。 12英寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)展顯著 ●多種核心裝備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化 ●12英寸65納米是下階段重點(diǎn) 一條標(biāo)準(zhǔn)的集成電
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備 芯片制造 光刻 刻蝕
張忠謀公開(kāi)臺(tái)積電20nm制程技術(shù)部分細(xì)節(jié)
- 臺(tái)積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過(guò)22nm全代制程，直接開(kāi)發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺(tái)積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì)展上，臺(tái)積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺(tái)積電的下一個(gè)主要制程平臺(tái)，另外，20nm之后，臺(tái)積電還會(huì)跳過(guò)18nm制程。 根據(jù)臺(tái)積電會(huì)上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)技術(shù)方面則會(huì)使用HKMG/應(yīng)變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 光刻 28nm 22nm
未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升
- DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們預(yù)計(jì)從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 不過(guò)內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則一般
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻 內(nèi)存芯片
ASML第一季訂單量繼續(xù)增長(zhǎng)
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續(xù)好轉(zhuǎn)，投資者將詳細(xì)審視該公司業(yè)績(jī)，以尋找芯片行業(yè)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇的跡象。 分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺(tái)積電等大型芯片生產(chǎn)商業(yè)績(jī)預(yù)估的風(fēng)向標(biāo)。 根據(jù)路透調(diào)查，第一季半導(dǎo)體光刻設(shè)備訂單料為43筆，多于前一季的40筆。 ASML是全球最大的光刻設(shè)備生產(chǎn)商，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括日本的Nikon和佳能。 分析師預(yù)計(jì)ASML第一季凈利為9,900萬(wàn)歐元(1.324億美元)，營(yíng)收為7.13億歐元。15位分析師的營(yíng)收預(yù)估范圍為5.90億
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻
Vistec Lithography宣布與華中科技大簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議
- 電子束光刻系統(tǒng)的知名廠商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國(guó)武漢華中科技大學(xué)光電工程學(xué)院簽署了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。武漢華中科技大學(xué)是大陸國(guó)家級(jí)重點(diǎn)院校之一，而 Vistec Lithography則是電子束光刻設(shè)備的領(lǐng)先廠商，按協(xié)議規(guī)定，兩家將在納米光刻技術(shù)研究和教學(xué)領(lǐng)域開(kāi)展合作。 這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學(xué)的EBPG5000pES電子束光刻系統(tǒng)，裝備這套系統(tǒng)之后，華中科技大學(xué)在教學(xué)，科研以及對(duì)外合作方面的實(shí)力將如虎添翼。華中科技大學(xué)稱：“
- 關(guān)鍵字： Vistec-Lithography 光刻 掩膜
DRAMeXchange：未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升
- DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表 示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們 預(yù)計(jì)從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 不過(guò)內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片 光刻
IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物
- IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺酰基化合物(PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國(guó)家的環(huán)保部門出臺(tái)限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后，美國(guó)環(huán)保署也出臺(tái)了限制在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用這兩種化合物的法規(guī)，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 不過(guò)在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導(dǎo)體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過(guò)10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 IBM公司主管微電
- 關(guān)鍵字： IBM 光刻 蝕刻
Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)
- 在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備 根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
- 關(guān)鍵字： Intel 光刻 11nm
三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
- 半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級(jí)別制程技術(shù)中也不會(huì)應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)被后延到2015年，在13nm級(jí)別的工藝制程中投入實(shí)用。 另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 450mm
北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨保持平穩(wěn)增長(zhǎng) 訂單出貨比微跌至1.06
- SEMI日前公布了2009年11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報(bào)告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統(tǒng)計(jì)，11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為7.905億美元，訂單出貨比為1.06。訂單出貨比為1.06意味著該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值106美元的訂單。 報(bào)告顯示，11月份7.905億美元的訂單額較10月份7.563億美元最終額增長(zhǎng)4.5%，較2008年11月份的7.838億美元最終額增長(zhǎng)1%。 與此同時(shí)，2009年11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額為7.437億美元，較10月份6.94
- 關(guān)鍵字： 光刻 半導(dǎo)體設(shè)備
2012年前內(nèi)存芯片廠商的重點(diǎn)將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面
- 據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費(fèi)了大量資本進(jìn)行設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場(chǎng)需求，這便意味著在未來(lái)兩年之內(nèi)全球內(nèi)存芯片廠商的主要精力將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面。 ”2005-2007年間，內(nèi)存芯片廠商共花費(fèi)了500億美元的資金來(lái)采購(gòu)新的制造設(shè)備和建設(shè)新的芯片廠，這筆花費(fèi)已經(jīng)占到同期整個(gè)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的55%左右。“iSuppli公司的高級(jí)內(nèi)存分析師Mike Howard表示：”由于向這
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片 光刻 制造設(shè)備
中國(guó)32nm技術(shù)腳步漸近
- 32nm離我們還有多遠(yuǎn)?技術(shù)難點(diǎn)該如何突破?材料與設(shè)備要扮演何種角色?10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)”這一主題進(jìn)行了探討。 32nm節(jié)點(diǎn)挑戰(zhàn)無(wú)限 “45nm已進(jìn)入量產(chǎn)，32nm甚至更小的22nm所面臨的挑戰(zhàn)已擺在我們面前。”中芯國(guó)際資深研發(fā)副總裁季明華博士在主題演講時(shí)說(shuō)，“總體來(lái)說(shuō)，有四個(gè)方面值得我們注意。首先是CMOS邏輯器件如何與存儲(chǔ)器件更還的集成在一起;其次是SOC技術(shù)的巨大挑戰(zhàn)，
- 關(guān)鍵字： Cymer 32nm 光刻
光刻巨頭ASML四季度來(lái)首次盈利
- 隨著芯片廠商設(shè)備訂單的恢復(fù)，歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML報(bào)出了2930萬(wàn)美元的凈利潤(rùn)，為四個(gè)季度來(lái)首次盈利。 ASML在今天的聲明中表示該公司第三季度凈利潤(rùn)為1970萬(wàn)歐元(2930萬(wàn)美元)，即每股5歐分，低于去年同期7330萬(wàn)歐元的利潤(rùn)水平。不過(guò)這超過(guò)了彭博社調(diào)查7位分析師所得出的1060萬(wàn)歐元的市場(chǎng)預(yù)期。 該公司首席執(zhí)行官埃里克·莫里斯(EricMeurice)表示，ASML的設(shè)備可以讓芯片客戶生產(chǎn)出尺寸更小的芯片，隨著客戶在設(shè)備投資上恢復(fù)投入，該公司本季度銷售額將
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻 半導(dǎo)體設(shè)備
光刻介紹
光刻 利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]
光刻相關(guān)帖子
光刻資料下載
光刻專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473