光刻 文章 進(jìn)入光刻技術(shù)社區(qū)
Mapper Lithography獲資助 大力開發(fā)無掩模光刻設(shè)備
- 半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商Mapper Lithography BV公司日前獲得荷蘭經(jīng)濟(jì)事務(wù)部名為SenterNoven的機(jī)構(gòu)達(dá)1000萬歐元(合1470萬美元)的補(bǔ)貼。 Mapper公司將利用此筆資金開發(fā)試用版設(shè)備。公司表示目前正在設(shè)計一款無掩模光刻設(shè)備的開發(fā)。這款設(shè)備將含有超過10000道平行電子束，從而將會在晶圓上直接形成圖樣，降低普通光刻設(shè)備上由于采用掩模版而帶來的高昂成本。 Mapper將聯(lián)合股東各方Catena，Technolution，Multin Hittech，Demcon，Del
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生存在矛盾之中
- 在全球金融危機(jī)影響下，由于市場的萎縮導(dǎo)致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導(dǎo)體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現(xiàn)各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。 投入多產(chǎn)出少，能持久嗎? SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展的幾點(diǎn)看法，認(rèn)為NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口，未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導(dǎo)致銷售額沒有相應(yīng)的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產(chǎn)業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
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光刻儀公司延期交貨 臺積電制程研發(fā)恐受影響
- 據(jù)報道，臺積電的光刻儀供應(yīng)商Mapper公司已經(jīng)將300mm光刻設(shè)備交貨日延期近三個月之久。Mapper的多束e-beam光刻儀原計劃于今年第一 季度裝備臺積電300mm工廠，不過由于技術(shù)上的原因Mapper公司拖延了交貨日期，此舉可能對臺積電的制程研發(fā)進(jìn)度造成一定的影響。 臺積電CEO蔡力行曾稱臺積電已在與合作伙伴聯(lián)合開發(fā)22nm及更高規(guī)格制程用多束e-beam光刻技術(shù)(multiple electron-beam (e-beam) maskless lithography equip
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ASML的上半年訂單落空 預(yù)期下半年有望回復(fù)
- 按全球第一大光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML公司的預(yù)估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達(dá)80%。 ASML預(yù)計Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因為受工藝制程的進(jìn)一步縮小推動，產(chǎn)業(yè)可能會在今年下半年開始復(fù)蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會要求購買新的或者升級現(xiàn)有的設(shè)備。 如08年僅只有各領(lǐng)域的領(lǐng)先者在購買設(shè)備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預(yù)計2009年會加速工藝制
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2009年中國國際半導(dǎo)體技術(shù)研討會成功在上海舉辦
- 由SEMI、ECS及中國高科技專家組共同舉辦的中國國際半導(dǎo)體技術(shù)研討會成功于3月19-20日在上海召開。諾貝爾物理學(xué)獎得主、IBM院士Georg Bednorz、Intel資深院士Robert Chau、IMEC CEO Gilbert Declerck、Praxair CTO Ray Roberge為大會作主題演講，為550名與會的國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界人士介紹國際最前沿的納米技術(shù)、微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢。本次研討會的成功召開為提升中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平，將國際最先進(jìn)的技術(shù)與理念引進(jìn)中國起到了積極的推動
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世界最大光刻設(shè)備企業(yè)阿斯麥將裁員10%
- 世界最大的光刻設(shè)備制造商阿斯麥（ＡＳＭＬ）18日宣布，由于全球經(jīng)濟(jì)下滑，芯片制造設(shè)備需求銳減，該公司計劃在半年內(nèi)裁員1000人，占全球員工總數(shù)10％以上。 總部位于荷蘭南部城市費(fèi)爾德霍芬的阿斯麥公司當(dāng)天發(fā)布聲明說，裁員計劃主要涉及總部和美國的部分生產(chǎn)廠，此外美國的一個培訓(xùn)中心將關(guān)閉。裁減對象將主要為臨時工。 阿斯麥總裁埃里克·穆里斯說，受半導(dǎo)體產(chǎn)品需求下降、存儲器價格低迷和客戶資金周轉(zhuǎn)困難的三重夾擊，近一段時間國際市場光刻設(shè)備需求銳減，“其跌速和跌幅前所未有&rd
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EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
道康寧電子部推出XR-1541電子束光刻膠
- 全球材料、應(yīng)用技術(shù)及服務(wù)綜合供應(yīng)商美國道康寧公司電子部（Dow Corning Electronics）的硅晶片光刻解決方案事業(yè)部今日宣布正式開始供應(yīng)Dow Corning® XR-1541電子束光刻膠，該產(chǎn)品是專為實(shí)現(xiàn)下一代、直寫光刻工藝技術(shù)開發(fā)所設(shè)計。這一新型先進(jìn)的旋涂式光刻膠產(chǎn)品系列是以電子束（electron beam）取代傳統(tǒng)光源產(chǎn)生微影圖案，可提供圖形定義小至6納米的無掩模光刻技術(shù)能力。 可用于各種高純度、半導(dǎo)體等級配方的XR-1541電子束光刻膠，是由甲基異丁基酮(meth
- 關(guān)鍵字： 道康寧 硅晶片 光刻
光刻介紹
光刻 利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來，并開始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]
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