內(nèi)存 文章 進入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
高速運算平臺內(nèi)存爭霸 AI應(yīng)用推升內(nèi)存需求
- 在不同AI運算領(lǐng)域中，依照市場等級的需要，大致上可以分成三種，一種是作為高性能運算中心的人工智能、機器學(xué)習(xí)與圖形處理的超高速運算與傳輸需求；一種是一般企業(yè)的AI服務(wù)器、一般計算機與筆電的演算應(yīng)用；另一種是一般消費電子如手機、特殊應(yīng)用裝置或其它邊緣運算的應(yīng)用?，F(xiàn)階段三種等級的應(yīng)用，所搭配的內(nèi)存也會有所不同，等級越高內(nèi)存的性能要求越高，業(yè)者要進入的門坎也越高。不過因為各類AI應(yīng)用的市場需求龐大，各種內(nèi)存的競爭也異常的激烈，不斷地開發(fā)更新產(chǎn)品，降低成本，企圖向上向下擴大應(yīng)用，所以只有隨時保持容量、速度與可靠度的
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從應(yīng)用端看各類內(nèi)存的機會與挑戰(zhàn) 跨領(lǐng)域新市場逐漸興起
- 內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組件，隨著科技的進步，內(nèi)存的容量、速度、功耗等特性也不斷提升，為各種應(yīng)用帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用端出發(fā)，探討各類內(nèi)存的機會與挑戰(zhàn)。動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）DRAM是當(dāng)前計算器系統(tǒng)中最常見的主存儲器技術(shù)，具備高速讀寫和相對較低的成本。它廣泛應(yīng)用于PC、服務(wù)器、移動設(shè)備和游戲機中。隨著人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用的興起，DRAM的需求持續(xù)增長，尤其是在需要高速數(shù)據(jù)處理和低延遲的應(yīng)用場景。DRAM的主要挑戰(zhàn)在于其揮發(fā)性和功耗問題。DRAM需要持續(xù)供電以維持數(shù)據(jù)，這限制了其在移動
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三星Q2營利暴增15倍 遠超外界預(yù)期
- 韓國三星電子表示，因人工智能AI需求暢旺，內(nèi)存芯片的售價因此也水漲船高，上季營業(yè)利益可望飆升約15倍，比路透社4日報導(dǎo)的預(yù)估值13倍還要多。這家全球最大內(nèi)存芯片制造商預(yù)估，集團整體第2季營利為10.4兆韓元，約75億美元，年增1,452.2%。同時，營收也大增23.3%，達74兆韓元。不過，三星這次并沒有揭露凈利數(shù)字。 4到6月這1季，是三星自2022年第3季曾創(chuàng)下營業(yè)利益高達10.8兆韓元以后，全集團營利再次沖高到10兆韓元以上。另外，三星第2季的營利，也比自己2023年一整年的6.5兆韓元要高出不少。
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)
- 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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美光預(yù)計愛達荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財年投運
- IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％
- 據(jù)韓媒報導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價格15～20％。 臺系內(nèi)存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價格，調(diào)
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內(nèi)存市場將迎來「超級周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴
- HBM 商機稍縱即逝，需要抓緊時間。
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D
- IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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中國臺灣AI關(guān)鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局
- 就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關(guān)鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構(gòu)穩(wěn)定運算處理的要角，更是使用者體驗?zāi)芊駜?yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準備，準備在這些領(lǐng)域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設(shè)計有商機對整個AI運算來說，最關(guān)鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術(shù)供貨商，但在AI ASIC芯片設(shè)計服務(wù)與IP供應(yīng)方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領(lǐng)頭羊的先進業(yè)者。在AI ASIC芯片設(shè)計方面，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣
- 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優(yōu)化工作負載，從而實現(xiàn)更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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DDR6內(nèi)存新標準將上線
- 據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標準。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進至21GHz，遠超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標準，同樣支持DDR6標準內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標準的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存
- 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數(shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案
- IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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存儲龍頭計劃興建新工廠！
- 近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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內(nèi)存介紹
【內(nèi)存簡介】
在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。
內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]
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