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制造 文章 進(jìn)入制造技術(shù)社區(qū)
在制造環(huán)境中實(shí)施RoHS
- AlexChen,HeatherMcCormick,DanielTanandMatthewKellyCelesticaInc.背景隨著2006年7月1日RoHS實(shí)...
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體資訊芯片資訊 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造
有毒有害物質(zhì)的危害
- 第一類有害物質(zhì)－鎘在所有的金屬元素中，鎘是對(duì)人體健康威脅最大的有害元素之一。鎘對(duì)人體組織和器官的危害是...
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體資訊芯片資訊 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造
IC產(chǎn)業(yè)：制造業(yè)快速增長(zhǎng) 設(shè)計(jì)業(yè)挑戰(zhàn)嚴(yán)峻
- 回顧2007年，面對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力，國(guó)內(nèi)IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨緩的整體環(huán)境，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持了穩(wěn)定增長(zhǎng)的勢(shì)頭，產(chǎn)業(yè)銷售額在2006年首次突破1000億元的基礎(chǔ)上繼續(xù)較快增長(zhǎng)，規(guī)模達(dá)到1251.3億元，同比增長(zhǎng)24.3%。 2003-2007年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入規(guī)模及增長(zhǎng) ? IC封測(cè)業(yè)增幅最大 在2007年國(guó)內(nèi)集成電路各行業(yè)的發(fā)展上，IC(集成電路)設(shè)計(jì)、芯片制造與封裝測(cè)試行業(yè)均有增長(zhǎng)，其中以封裝測(cè)試業(yè)的發(fā)展最為迅速。在國(guó)內(nèi)骨干封裝企業(yè)增資擴(kuò)產(chǎn)和
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安森美半導(dǎo)體推出兩款新的開關(guān)穩(wěn)壓器—NCP3101和NCP3102
- 安森美半導(dǎo)體推出兩款新的開關(guān)穩(wěn)壓器—NCP3101和NCP3102，簡(jiǎn)化高密度應(yīng)用中的嵌入式設(shè)計(jì)。這些器件提供新的集成度，使客戶能夠以嵌入式設(shè)計(jì)替代直流-直流(DC-DC)模塊，降低系統(tǒng)成本，同時(shí)提升功率密度。 根據(jù)Darnell Group行業(yè)報(bào)告，電流在5到10安培(A)范圍的DC-DC模塊正經(jīng)歷著極大的變化和市場(chǎng)增長(zhǎng)。雖然這個(gè)電流范圍的非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊市場(chǎng)不是在萎縮就是增速緩慢，但集成的轉(zhuǎn)換器/穩(wěn)壓器IC市場(chǎng)在2006年到2011年間預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)16%。 器件 NCP3
- 關(guān)鍵字： 安森美 半導(dǎo)體 NCP3101 元件 制造
Maxim推出汽車觸點(diǎn)監(jiān)視器和電平轉(zhuǎn)換器
- Maxim推出MAX13037/MAX13038汽車觸點(diǎn)監(jiān)視器和電平轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置電壓調(diào)節(jié)器、看門狗和復(fù)位功能。該系列器件對(duì)八路遠(yuǎn)程機(jī)械開關(guān)的切換進(jìn)行監(jiān)視和去抖，同時(shí)僅消耗28µA (典型值)的電源電流。為實(shí)現(xiàn)低電流損耗，該器件采用了創(chuàng)新型可編程輪詢周期和可編程掃描周期。MAX13037/MAX13038具有寬輸入電壓范圍(
- 關(guān)鍵字： Maxim MAX13037 轉(zhuǎn)換器 元件 制造
符合RoHS環(huán)保法規(guī)的四步管理策略
- 歐盟RoHS指令早已生效多時(shí)，多數(shù)廠商采取了某種類型環(huán)境法規(guī)的合規(guī)管理計(jì)劃。現(xiàn)在的問題不是如何符合環(huán)境法規(guī)要求，而是如何以最有效率的方式做到這點(diǎn)。隨著人們對(duì)于環(huán)境法規(guī)的理解加深及合規(guī)程序的成熟，我們也開始?xì)w納出能夠加快合規(guī)管理進(jìn)程的最佳做法。 在最終通向合規(guī)聲明的前期步驟中，數(shù)據(jù)收集對(duì)于許多廠商來說是合規(guī)管理流程中的重大瓶頸。進(jìn)行合規(guī)分析和認(rèn)證需要大量的數(shù)據(jù)，多數(shù)廠商往往低估這項(xiàng)任務(wù)的工作量。企業(yè)在收集數(shù)據(jù)前缺乏必要的準(zhǔn)備使這個(gè)問題變得更加復(fù)雜，導(dǎo)致時(shí)間拖延。但是，仍然有一些能夠緩解數(shù)據(jù)收
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信號(hào)發(fā)生器
- 信號(hào)發(fā)生器可分為正弦波發(fā)生器和非正弦波發(fā)生器（又稱為張弛振蕩器）兩大類。由模擬集成電路構(gòu)成的正弦波發(fā)生器，其工作頻率多數(shù)是1MHz以下，其電路通常由工作于線性狀態(tài)的運(yùn)算放大器和外接移相選頻網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成。選用不同的移相選頻網(wǎng)絡(luò)便構(gòu)成不同類型的正弦波發(fā)生器。非正弦波發(fā)生器通常由運(yùn)放構(gòu)成的滯回比較器（又稱施密特觸發(fā)器）和有源或無源積分電路構(gòu)成。不同形成的積分電路便構(gòu)成各種不同類型的非正弦波發(fā)生器，如方波發(fā)生器、三角波發(fā)生器、鋸齒波發(fā)生器、單穩(wěn)態(tài)及雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)脈沖發(fā)生器及階梯波發(fā)生器等。此外，用模擬集成電路構(gòu)成的信
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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最小的5V/30mA升壓轉(zhuǎn)換器
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布針對(duì)設(shè)計(jì)人員空間受限的移動(dòng)和超便攜式產(chǎn)品，推出超小型升壓轉(zhuǎn)換器解決方案FAN5665。這是高效率的5V/30mA自適應(yīng)電荷泵升壓轉(zhuǎn)換器，采用薄型及緊湊的1.21mm X 1.21mm WL-CSP封裝，較之于替代解決方案可節(jié)省20% 以上的線路板空間。對(duì)于具有USB功能的產(chǎn)品，需要5V的I/O軌輸出，飛兆半導(dǎo)體的FAN5665可提供理想的快速吻合的解決方案。FAN5665亦可用于驅(qū)動(dòng)便攜式設(shè)備的鍵區(qū)LED。這種升壓轉(zhuǎn)換器的最大側(cè)高
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45納米到底意味著什么？
- 背景：當(dāng)人們以納米為單位討論IC制程時(shí)，實(shí)際尺寸的測(cè)量值到底是多少？ 有些時(shí)候一個(gè)非常直接的問題卻有一個(gè)及其麻煩的答案。上面的問題就是一個(gè)案例。 最初，IC制程是由印刷和光刻膠所能處理的最細(xì)走線來命名的，后來成功轉(zhuǎn)變?yōu)榫A表面的一個(gè)特性。實(shí)際中，這個(gè)特性總是用來定義MOS晶體管的閘極電極走線。所以，制程的名字就用來標(biāo)識(shí)閘電極的寬度。 為了使事件更復(fù)雜，設(shè)計(jì)者把它稱為“閘長(zhǎng)度”。不幸的是，閘長(zhǎng)度還是晶體管速度的一個(gè)近似測(cè)量，它決定在手工布線時(shí)你可以堆疊的晶體
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電子信息產(chǎn)品分類注釋８
- 半導(dǎo)體分立器件 一、半導(dǎo)體二極管 （一）鍺二極管 （二）硅二極管 1、硅整流二極管 2、硅開關(guān)二極管 3、硅穩(wěn)壓二極管 4、高壓硅堆 5、橋式整流器 6、變?nèi)荻O管 7、硅升壓阻尼二極管 8、混頻檢波二極管 9、肖特基二極管 10、雪崩二極管 11、微波二極管 12、固體放電二極管 13、其他硅二極管 （三）化合物二極管 1、砷化鎵變?nèi)荻O管 2、砷化鎵開關(guān)管 3、砷化鎵體效應(yīng)二極管 4、砷化鎵隧道二極管 {{分頁(yè)}}
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電子信息產(chǎn)品分類注釋７
- 電子印制電路板 一、電子印制電路板 （一）單面印制電路板 （二）雙面印制電路板 （三）多層印制電路板 （四）撓性印制電路板 （五）剛-撓結(jié)合印制電路板 （六）碳膜印制電路板 敏感元件及傳感器 一、敏感元件 （一）力敏元件 （二）電壓敏感電阻器 （三）光敏元件 （四）溫度敏元件 （五）磁敏感元件 （六）濕敏元器件 （七）氣敏元器件 電子塑料零件（I3070） 電子塑料零件 電子器件行業(yè) 真空電子器件 一、電子管 （一）收
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電子信息產(chǎn)品分類注釋６
- 電子元件產(chǎn)品 電子元件及組件 一、電容器 （一）紙介電容器 1、金屬化和金屬箔式紙介電容器 2、紙介復(fù)合介質(zhì)電容器 （二）薄膜電容器 1、聚酯膜電容器 2、聚丙烯膜電容器 3、聚笨乙烯電容器 4、聚碳酸酯電容器 5、聚四氟乙烯電容器 6、聚酰亞胺電容器 7、片式有機(jī)介質(zhì)電容器(SMC) 8、其他有機(jī)介質(zhì)薄膜電容器 （三）瓷介電容器 1、低壓瓷介電容器(小于500V) 2、高壓瓷介電容器(大于500V) 3、交流瓷介電容器 4、片式
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