半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件文章進(jìn)入半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電（TSMC）2納米技術(shù)成本飆升或影響人工智能芯片新興市場(chǎng)

隨著2023年接近尾聲，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）正準(zhǔn)備看到其領(lǐng)先半導(dǎo)體制造工藝的成本增加。 TSMC目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是3納米半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，一份在臺(tái)灣媒體引述的最新報(bào)告猜測(cè)，未來3納米和2納米節(jié)點(diǎn)將會(huì)看到顯著的成本增加。這則新聞?wù)?023年度假季市場(chǎng)關(guān)閉之際，分析師報(bào)告稱，這些潛在的成本增加可能會(huì)影響蘋果公司的高端和低端技術(shù)設(shè)備的利潤(rùn)。據(jù)分析師稱，TSMC的2納米晶圓可能每片高達(dá)3萬美元今天的報(bào)告非常有趣，因?yàn)樗貜?fù)了2022年臺(tái)灣芯片制造商出售的3納米芯片的晶圓成本估算。3納米制造工藝是
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中國(guó)進(jìn)口問題促使美國(guó)啟動(dòng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈審查

華盛頓，12月21日美國(guó)商務(wù)部周四表示，將啟動(dòng)一項(xiàng)調(diào)查，關(guān)注中國(guó)芯片對(duì)國(guó)家安全帶來的擔(dān)憂，該調(diào)查將涵蓋美國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和國(guó)防工業(yè)基地。這項(xiàng)調(diào)查旨在確定美國(guó)公司如何采購所謂的“傳統(tǒng)芯片” - 即當(dāng)前世代和成熟節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體，因?yàn)樵摬块T計(jì)劃在半導(dǎo)體芯片制造方面撥款近400億美元。該部門表示，這項(xiàng)計(jì)劃將于明年一月開始，旨在“減少由中國(guó)引起的國(guó)家安全風(fēng)險(xiǎn)”，并將重點(diǎn)關(guān)注在關(guān)鍵美國(guó)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中使用和采購中國(guó)制造的傳統(tǒng)芯片的情況。該部門周四發(fā)布的一份報(bào)告稱，過去十年里，中國(guó)向中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供了約1500億美元的補(bǔ)貼
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體市場(chǎng) 國(guó)際

全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)

12月22日消息，據(jù)報(bào)道，Adroit Market Research預(yù)計(jì)，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示，半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(zhǎng)到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢(shì)下，到2028年，該數(shù)字將增長(zhǎng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
關(guān)鍵字：汽車電子半導(dǎo)體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU

美國(guó)搖搖欲墜的半導(dǎo)體霸權(quán)

中國(guó)和美國(guó)試圖奪取臺(tái)灣的半導(dǎo)體，這是戰(zhàn)爭(zhēng)的真正原因。與中國(guó)一樣，美國(guó)認(rèn)為人工智能是21世紀(jì)軍事和經(jīng)濟(jì)實(shí)力的關(guān)鍵。在華盛頓特區(qū)，共和黨人和民主黨人都對(duì)中國(guó)的進(jìn)展速度感到擔(dān)憂。事實(shí)上，國(guó)會(huì)山的一個(gè)流行笑話是他們唯一能達(dá)成一致的事情就是“中國(guó)威脅”。為此，國(guó)會(huì)最近通過了《芯片法案》，行政部門一直在實(shí)施貿(mào)易管制，以阻止他們認(rèn)為對(duì)中國(guó)人工智能的發(fā)展至關(guān)重要的技術(shù)。盡管這種愿望是理性的，但在中長(zhǎng)期內(nèi)不太可能奏效，而且只會(huì)加劇地緣政治緊張局勢(shì)。美國(guó)的技術(shù)戰(zhàn)略依賴于七個(gè)現(xiàn)實(shí)，盡管這些現(xiàn)實(shí)今天是真實(shí)的，但明天可能不再全部如
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意法半導(dǎo)體STM32F103RET7單片機(jī)的工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)、應(yīng)用、引腳

ST(意法半導(dǎo)體)的型號(hào)STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，在72MHz頻率下工作，高速嵌入式存儲(chǔ)器(閃存高達(dá)512千字節(jié)，SRAM高達(dá)64千字節(jié))，以及廣泛的增強(qiáng)I/ o和連接到兩個(gè)APB總線的外設(shè)。STM32F103RET7提供3個(gè)12位adc，4個(gè)通用16位定時(shí)器加上兩個(gè)PWM定時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：最多兩個(gè)i2c，三個(gè)spi，兩個(gè)I2Ss，一個(gè)SDIO, 5個(gè)usart，一個(gè)USB和一個(gè)CAN。STM32F10
關(guān)鍵字： ST 自動(dòng)化存儲(chǔ)器

半導(dǎo)體工藝技術(shù)：它的歷史、趨勢(shì)和演變

半導(dǎo)體工藝技術(shù)：它的歷史、趨勢(shì)和演變半導(dǎo)體行業(yè)的數(shù)字、模擬、工具、制造和材料領(lǐng)域都有重大發(fā)展。芯片開發(fā)需要從設(shè)計(jì)到制造的各個(gè)層面的先進(jìn)復(fù)雜工藝。為了應(yīng)對(duì)目前正在蔓延的對(duì)半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求，需要從建筑設(shè)計(jì)到可持續(xù)材料采購和端到端制造進(jìn)行重大變革。因此，采用高效的最新技術(shù)，并解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)，是該行業(yè)的現(xiàn)狀。物聯(lián)網(wǎng)和半導(dǎo)體用于數(shù)字化轉(zhuǎn)型：最近，我們的互聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備和5g都有了重大發(fā)展。我們需要從根本上了解將導(dǎo)致這一新創(chuàng)新的基本技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)和5g，人工智能的進(jìn)化將盡早到來。在過去的3
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意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值

意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器、系統(tǒng)保護(hù)功能，以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計(jì)者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡(jiǎn)化了電路布局。這兩款新器件內(nèi)置兩個(gè)連接成半橋的Ga
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?日本SBI、沙特阿美將探索Web3、半導(dǎo)體制造

日本金融服務(wù)公司SBI和沙特阿美石油公司簽署了一份諒解備忘錄，以探索數(shù)字資產(chǎn)和半導(dǎo)體，雙方可以利用其投資組合。根據(jù)公告，此次合作將支持日本數(shù)字資產(chǎn)服務(wù)提供商向沙特阿拉伯的擴(kuò)張，其安排旨在提供技術(shù)和監(jiān)管支持。兩家公司表示，諒解備忘錄將涉及“數(shù)字資產(chǎn)合作”，各方將共同尋找投資機(jī)會(huì)。這一安排將擴(kuò)大到啟動(dòng)幾項(xiàng)與半導(dǎo)體有關(guān)的舉措，包括在日本和沙特阿拉伯建立制造廠。諒解備忘錄中寫道：“通過與阿美石油公司的合作，雙方將共同利用彼此的知識(shí)和資源，討論半導(dǎo)體、數(shù)字資產(chǎn)等先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步商機(jī)，并為日本和沙特阿拉伯之間的經(jīng)
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半導(dǎo)體巨頭爭(zhēng)相推進(jìn)下一代尖端芯片

臺(tái)積電、三星和英特爾爭(zhēng)奪“2納米”芯片，這將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來數(shù)十年來，芯片制造商一直在努力制造越來越緊湊的產(chǎn)品——芯片上的晶體管越小，能耗就越低，速度就越高。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競(jìng)相推出所謂的“2納米”處理器芯片，這將為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動(dòng)力。臺(tái)積電（TSMC）仍然是分析師們認(rèn)為能夠保持其全球行業(yè)領(lǐng)先地位的公司，但三星電子和英特爾已經(jīng)確定了這一行業(yè)的下一個(gè)飛躍，看作是縮小差距的機(jī)會(huì)。數(shù)十年來，芯片制造商一直在努力制造越來越緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小，能耗就越低，
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紐約計(jì)劃投資10億美元擴(kuò)大芯片研究

紐約州長(zhǎng)凱西·霍楚爾于周一宣布了一項(xiàng)價(jià)值10億美元的計(jì)劃，旨在擴(kuò)大在紐約州奧爾巴尼市的芯片研究活動(dòng)，以使該州繼續(xù)保持全球半導(dǎo)體中心的地位。該投資計(jì)劃預(yù)計(jì)將創(chuàng)造700個(gè)新的永久性工作崗位，并保留數(shù)千個(gè)崗位，其中包括購買世界上最昂貴和最復(fù)雜的制造機(jī)器之一的新版本，以及建造一個(gè)新的建筑來容納它。
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SiC是否會(huì)成為下一代液晶

碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車使用市場(chǎng)的增長(zhǎng)比最初的預(yù)想早了一年多，功率半導(dǎo)體的投資增長(zhǎng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強(qiáng)問題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢(shì)不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國(guó)和中國(guó)之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國(guó)產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道，2023年9月7日，該公司表示，“中國(guó)SiC市場(chǎng)全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家。”中國(guó)Si
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ASML：美國(guó)對(duì)中國(guó)的技術(shù)制裁正在適得其反

美國(guó)對(duì)中國(guó)公司的制裁導(dǎo)致了華為和中芯國(guó)際技術(shù)實(shí)力的進(jìn)步，以及對(duì)非中國(guó)半導(dǎo)體和設(shè)備公司的影響。中國(guó)設(shè)備公司經(jīng)歷了顯著的收入增長(zhǎng)，而非中國(guó)公司則難以保持增長(zhǎng)。美國(guó)制裁的漏洞使中國(guó)半導(dǎo)體公司得以囤積非中國(guó)設(shè)備，并達(dá)到先進(jìn)的芯片節(jié)點(diǎn)。美國(guó)政府削減可能被中國(guó)軍方使用的芯片或設(shè)備運(yùn)輸?shù)囊鈭D，已經(jīng)導(dǎo)致了一系列損害非中國(guó)公司的失誤。特朗普政府對(duì)華為和中芯國(guó)際（半導(dǎo)體制造國(guó)際公司）的初步制裁阻礙了這兩家公司的前進(jìn)。但拜登政府的失誤導(dǎo)致了華為和中芯國(guó)際技術(shù)實(shí)力的復(fù)蘇，以及非中國(guó)半導(dǎo)體和設(shè)備公司的后果。本文將討論這些內(nèi)容。圖
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?中國(guó)芯片相關(guān)公司以創(chuàng)紀(jì)錄的速度倒閉

自2019-2020年美國(guó)開始對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)施制裁以來，中國(guó)的芯片公司數(shù)量一直在下降。隨著芯片需求放緩，2022-2023年情況變得更糟。自2019年以來，已有超過22,000家與芯片相關(guān)的公司消失，而2023年出現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的消失。報(bào)告顯示，截至2023年，已有創(chuàng)紀(jì)錄的10900家芯片相關(guān)公司注銷，比2022年注銷的5746家公司大幅增加。這意味著2023年中國(guó)平均每天有30家芯片相關(guān)公司關(guān)門。這是五年趨勢(shì)的一部分，2021-2022年期間，超過10000家中國(guó)芯片相關(guān)公司倒閉。2023年的激增凸顯了芯片
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?半導(dǎo)體材料市場(chǎng)——2024年將有更好的發(fā)展

盡管2023年經(jīng)濟(jì)下滑，但材料需求和市場(chǎng)增長(zhǎng)仍在上升。加利福尼亞州圣地亞哥：TECHCET——一家提供半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)務(wù)和技術(shù)信息的電子材料咨詢公司——宣布，預(yù)計(jì)2024年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將反彈，增長(zhǎng)近7%，達(dá)到740億美元。由于整體半導(dǎo)體行業(yè)放緩和晶圓開工量下降，2023年市場(chǎng)收縮了3.3%，之后出現(xiàn)了反彈。展望未來，預(yù)計(jì)2023年至2027年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將以超過5%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。到2027年，TECHCET預(yù)計(jì)市場(chǎng)將達(dá)到870億美元或以上，新的全球晶圓廠產(chǎn)量增加將帶來潛在的更大市場(chǎng)規(guī)模。盡管202
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東芝、羅姆將合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體

知情人士表示，日本東芝集團(tuán)和電氣部件公司羅姆公司將合作開展功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。他們表示，這兩家公司總共花費(fèi)了3800億日元（26億美元）來擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，預(yù)計(jì)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將承擔(dān)高達(dá)約1300億日元的成本。功率半導(dǎo)體能夠處理高電壓和大電流，通常用于電動(dòng)汽車。據(jù)消息人士透露，東芝和羅姆的合作將分別涉及在石川縣和宮崎縣建造的新工廠。日本工業(yè)伙伴股份有限公司領(lǐng)導(dǎo)的財(cái)團(tuán)收購了東芝78.65%的股份，東芝將于本月退市。羅門是該財(cái)團(tuán)的一部分。全球?qū)β拾雽?dǎo)體的需求預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，羅姆和東芝是主要供應(yīng)商之一。根據(jù)研究公
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