半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件 文章 進入半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件技術(shù)社區(qū)
新加坡淡馬錫將在美國AI、半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)中心投資300億美元
- 新加坡國有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國的投資，承諾在未來五年內(nèi)投資300億美元。該公司的戰(zhàn)略將優(yōu)先考慮與AI相關(guān)的公司、半導(dǎo)體制造商和基礎(chǔ)設(shè)施企業(yè)，包括數(shù)據(jù)中心及其支持技術(shù)。隨著地緣政治緊張局勢升級，淡馬錫對在中國投資越來越謹(jǐn)慎，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變正在發(fā)生。今年，美國已超過中國成為淡馬錫資本的最大接受者，占其投資組合的22%。淡馬錫北美負(fù)責(zé)人簡·阿瑟頓（Jane Atherton）強調(diào)了公司對推動技術(shù)進步和經(jīng)濟增長的領(lǐng)域的關(guān)注。她表示，美國在AI發(fā)展方面處于領(lǐng)先地位，他們在這一領(lǐng)域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導(dǎo)體強國？
- 印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力將印度轉(zhuǎn)變?yōu)槿蛐酒傎愔械母偁幷?，但專家警告說，印度在建立自給自足的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之前還有很長的路要走。莫迪政府在2月份批準(zhǔn)了價值150億美元的國內(nèi)半導(dǎo)體制造廠投資，包括印度本地財團塔塔集團（Tata Group）提出的建設(shè)該國首個主要芯片制造廠的提案。該工廠將設(shè)在莫迪的家鄉(xiāng)古吉拉特邦，預(yù)計到2026年底每月生產(chǎn)5萬片晶圓。這項投資還包括與日本、臺灣和泰國公司合作開發(fā)的組裝單元和包裝廠。塔塔集團表示，其目標(biāo)是到2030年推動印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)達到1100億美元，占
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導(dǎo)體制造
- 沖繩科學(xué)技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)?；诖嗽O(shè)計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一，有助于半導(dǎo)體行業(yè)變得更加環(huán)?？沙掷m(xù)。通過解決兩個以前被認(rèn)為在該領(lǐng)域不可克服的問題，這項技術(shù)得以實現(xiàn)。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學(xué)投影系統(tǒng)。第二個問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導(dǎo)到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會阻擋光學(xué)路徑。E
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美國的半導(dǎo)體賭博：對逐漸消逝的主導(dǎo)地位的絕望抓取
- 美國在技術(shù)領(lǐng)域的影響力逐漸減弱，為了維持對中國的技術(shù)優(yōu)勢，不得不采取越來越絕望的措施。拜登政府最近推動的嚴(yán)格的半導(dǎo)體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠重要盟友，進而瓦解西方技術(shù)霸權(quán)的結(jié)構(gòu)。華盛頓最近試圖通過更嚴(yán)格的出口管制來加強對全球半導(dǎo)體貿(mào)易的控制，這表明其過去的戰(zhàn)略已告失敗。政府現(xiàn)在正在利用外國直接產(chǎn)品規(guī)則（FDPR）作為嚴(yán)厲威脅，試圖通過脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國對使用了哪怕是最少量美國技術(shù)的外國制造產(chǎn)品實施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執(zhí)行官表示，中國將在3到5年內(nèi)迎來“爆炸性”半導(dǎo)體增長
- 一位中國半導(dǎo)體行業(yè)高管預(yù)測，在封裝應(yīng)用和技術(shù)方面的優(yōu)勢支持下，中國將在未來三到五年內(nèi)迎來“爆炸性增長”，為國家克服美國技術(shù)限制開辟道路。據(jù)中國國家電視臺報道，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（CSIA）會長、中國最大的存儲芯片制造商長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC）負(fù)責(zé)人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場導(dǎo)向型行業(yè)模式，放棄依賴大學(xué)和研究機構(gòu)的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語頻道CGTN采訪時表示：“[今天的重點]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務(wù)和商業(yè)模式的創(chuàng)新，這些最終必須帶來價值?！?他在接受CGTN采訪時說，“中國的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導(dǎo)體
- 美國半導(dǎo)體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺，用于電動汽車和其他應(yīng)用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導(dǎo)通損耗和高達50%的關(guān)斷損耗。據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導(dǎo)通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場至關(guān)重要。在電動汽車中，逆變器將電池的直流電轉(zhuǎn)換為電動機所需的交流電。轉(zhuǎn)換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了
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歐盟和韓國合作推進半導(dǎo)體技術(shù)
- 歐盟與韓國簽署協(xié)議，合作開發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)。這一合作將作為歐盟和韓國數(shù)字伙伴關(guān)系的成果，共同資助四個半導(dǎo)體項目。根據(jù)歐盟和韓國數(shù)字伙伴關(guān)系的安排，這些項目將共同籌集1200萬歐元資金。其中一半來自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來自韓國國家研究基金會（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續(xù)三年，旨在推進異構(gòu)集成技術(shù)（將多個組件集成到一個半導(dǎo)體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術(shù)（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結(jié)合歐洲和韓國研究與創(chuàng)
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中國團隊研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙
- 中國科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導(dǎo)體材料，這一進展可能會帶來更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開輝、人民大學(xué)的劉燦和中國科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導(dǎo)的團隊，開發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導(dǎo)體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著設(shè)備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國計劃對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實施“嚴(yán)厲”制裁：報告
- 美國政府正在考慮對中國獲取先進芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國盟友稱為“嚴(yán)厲”。主要提案包括應(yīng)用外國直接產(chǎn)品（FDP）規(guī)則，施壓盟友限制在中國的設(shè)備服務(wù)和維修，以及擴大需要許可證的未核實清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進步。一個關(guān)鍵提案是應(yīng)用FDP規(guī)則，這將允許美國對包含任何美國技術(shù)的外國生產(chǎn)的物品施加控制。根據(jù)彭博社的報道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國提供先進的晶圓制造設(shè)備（WFE）。這一措施被美國盟友視為“嚴(yán)厲”，但反映了美國政府限制中
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DARPA投資8400萬美元用于3D軍用芯片組
- 五角大樓的高級研究項目局（DARPA）撥款8.4億美元，用于開發(fā)美國軍方的下一代半導(dǎo)體微系統(tǒng)。這筆資金的受益者是德州電子研究所（TIE），該機構(gòu)成立于2021年，位于德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校，并作為一個由德州州政府和地方政府、芯片公司和學(xué)術(shù)機構(gòu)組成的聯(lián)盟運營。TIE的研究重點是異構(gòu)集成技術(shù)，通常稱為芯片組——將單獨的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法：現(xiàn)代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個硅片，每個硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領(lǐng)域的半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗
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STM32H5：新一代高性能MCU，提供極致性價比
- 在飛速迭代的電子科技版圖中，微控制器作為電子設(shè)備的中樞神經(jīng)系統(tǒng)，其卓越的性能與堅不可摧的安全性構(gòu)成了支撐整個系統(tǒng)高效運行與數(shù)據(jù)嚴(yán)密防護的基石。近年來，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的井噴式發(fā)展，對MCU的性能標(biāo)準(zhǔn)提出了更為嚴(yán)苛的要求，尤其是在工業(yè)應(yīng)用的前沿陣地，安全、效能卓越且設(shè)計靈活的MCU已成為市場競相追逐的焦點。鑒于此，ST憑借深厚的技術(shù)積累，重磅推出了STM32H5系列新一代高性能MCU，該系列專為加速安全導(dǎo)向的工業(yè)應(yīng)用設(shè)計而生，旨在為開發(fā)者開辟前所未有的設(shè)計創(chuàng)新空間，并構(gòu)筑起堅不可摧的安全防線。STM32H5系列不
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7nm等光刻機沒有也無妨！中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長：先進封裝是未來
- 7月22日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長陳南翔近日接受采訪時表示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上，未來一定孕育巨大成功模式?！霸?0年前，我不曾想過中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規(guī)模，但是在過去的20年我們可以清楚的看到，未來中國一定會有今天這樣的發(fā)展。”陳南翔稱，不過，當(dāng)下還不是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，中國最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出，當(dāng)前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的，有著各自的定義?！耙郧澳柖捎行У臅r候，在每一個節(jié)點上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
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美限制對華高科技投資新規(guī)年底出臺 AI半導(dǎo)體量子計算機全數(shù)封殺
- 受到美國即將出臺的限制華投資法案影響，許多早已在中國高科技領(lǐng)域投資的美國投資公司將面臨退出或分拆的命運，而此項新法規(guī)將可能使美國資本失去參與未來半導(dǎo)體、量子計算機或人工智能（AI）等高科技發(fā)展的機會。據(jù)《芯智訊》報導(dǎo)，今年6月底美國財政部發(fā)布了「關(guān)于實施對外投資行政命令的擬議規(guī)則」（NPRM），限制美國人在中國半導(dǎo)體和微電子、量子信息技術(shù)、人工智能系統(tǒng)等領(lǐng)域的投資。該擬議規(guī)則目前正在征求意見，預(yù)計最終法規(guī)將在2024年底前出臺。法令出臺后，一些仍在中國高科技產(chǎn)業(yè)投資的美國企業(yè)可能要被迫剝離他們在中國高科技
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大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng)新升級，每一次技術(shù)的躍進都為充電的效率與安全性帶來革命性變革。特別是USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹立了新的里程碑。該標(biāo)準(zhǔn)不僅將最大充電功率提升至240W，同時新增多組固定和可調(diào)輸出電壓檔位，可為各種電子設(shè)備提供更加靈活
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半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件介紹
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