半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
三星預(yù)計(jì) 2023 年半導(dǎo)體芯片利潤達(dá) 13.1 萬億韓元,相較 2022 年減半
- IT之家 1 月 3 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,三星預(yù)計(jì)其 2023 年半導(dǎo)體銷售的年度營業(yè)利潤將達(dá)到 13.1 萬億韓元(約 712.64 億元人民幣)左右。這一數(shù)字是三星在周三發(fā)給員工的一份說明中與員工分享的,該說明解釋了他們將在 1 月獲得的預(yù)期獎(jiǎng)金的數(shù)額。三星在每年年初都會向員工支付業(yè)績獎(jiǎng)勵(lì),該金額從每個(gè)業(yè)務(wù)部門前一年目標(biāo)的超額利潤中支付。多達(dá) 20% 的盈余利潤被用作獎(jiǎng)金,每個(gè)員工最多可以獲得 50% 的年薪作為獎(jiǎng)勵(lì)。三星還分享了每個(gè)業(yè)務(wù)部門在 2023 年的目標(biāo)利潤和收入,涵
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臺媒:臺積電2023年資本支出有望逼近400億美元
- 臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》1月3日消息,供應(yīng)鏈傳出,臺積電因應(yīng)未來三年成長所需,在先進(jìn)制程臺灣擴(kuò)產(chǎn)與投資研發(fā)、美日海外擴(kuò)產(chǎn)、成熟制程升級等三大動(dòng)力驅(qū)動(dòng)下,今年資本支出有望逼近400億美元(逾新臺幣1.2萬億元),再創(chuàng)新高,換算年增5.6%起跳,不受半導(dǎo)體市場短線庫存調(diào)整影響。臺積電一向不評論市場數(shù)據(jù),公司預(yù)計(jì)1月12日召開法說會,屆時(shí)有望釋出最新資本支出計(jì)劃。
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“未來芯片“——硅光子技術(shù)
- 近期,隨著芯片代工巨頭和先進(jìn)制程領(lǐng)跑者臺積電宣布聯(lián)手英特爾押注硅光子芯片,這種被業(yè)內(nèi)人士普遍好看的“未來芯片”,硅光子芯片進(jìn)入了大眾的視野。雖說目前看來硅光芯片也許在未來一段時(shí)間內(nèi)不會全面代替?zhèn)鹘y(tǒng)的芯片,但是在通信領(lǐng)域,很可能是未來的主流產(chǎn)品類型。特別是對于我國來說,在先進(jìn)制程的芯片制造領(lǐng)域頻頻被西方世界“卡脖子”的情況下,硅光子芯片很有可能是繞過光刻機(jī),實(shí)現(xiàn)換道超車的“出路”之一。?縱觀芯片發(fā)展的歷史,總是離不開一個(gè)人們耳熟能詳?shù)母拍睢澳柖伞?。即:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每
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華為關(guān)閉俄國業(yè)務(wù),臺積電、歐洲巨頭相繼行動(dòng),普京壓力山大?
- 各大半導(dǎo)體巨頭在俄羅斯的業(yè)務(wù)發(fā)生了變化,因?yàn)楸娝苤脑?,俄羅斯無法像過去一樣順利獲得想要的芯片產(chǎn)品。包括移動(dòng)電信業(yè)務(wù),也有愛立信,諾基亞表明了立場。另外根據(jù)俄媒傳來的消息,華為也會關(guān)閉在俄的電信設(shè)備銷售業(yè)務(wù),這背后是何原因呢?俄羅斯芯片能否迎來轉(zhuǎn)折?俄羅斯的科技變局對俄羅斯芯片產(chǎn)業(yè)有一定了解的人都知道,俄羅斯主要掌握了90nm的芯片制程工藝,由Mikron公司參與制造,這是俄羅斯最大的芯片制造商,在關(guān)鍵時(shí)期被寄予厚望。當(dāng)然,由于Mikron的工藝有限,所以俄羅斯芯片設(shè)計(jì)公司大部分的訂單都是交由外部供應(yīng)
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半導(dǎo)體大廠業(yè)務(wù)調(diào)整,擬分拆圖形芯片部門
- 近日,據(jù)外媒報(bào)道,半導(dǎo)體大廠英特爾宣布將進(jìn)行圖形芯片部門拆分,以加快從英偉達(dá)和AMD手中搶奪市場份額。根據(jù)信息披露,英特爾宣布將加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部(AXG)一分為二:其中,消費(fèi)者圖形部門將與英特爾的客戶計(jì)算部門(CCG)合并,后者主要產(chǎn)品是PC處理器;加速計(jì)算團(tuán)隊(duì)將加入其數(shù)據(jù)中心和人工智能業(yè)務(wù)部門(DCAI)。同時(shí),在人事調(diào)整方面,負(fù)責(zé)加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形部的拉賈·科杜里 (Raja Koduri) 將重新?lián)斡⑻貭柺紫軜?gòu)師,專注于英特爾在CPU、GPU和AI領(lǐng)域的增長潛力,并推動(dòng)高優(yōu)先級技術(shù)項(xiàng)
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產(chǎn)業(yè)鏈人士:半導(dǎo)體供應(yīng)鏈明年仍面臨市場不確定性,2024 年有望增長
- 12 月 27 日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,進(jìn)入下半年之后,受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響,半導(dǎo)體市場也面臨挑戰(zhàn),出貨量與價(jià)格雙雙下滑,機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體市場的規(guī)模,將降至 5800 億美元,同比下滑 4.4%。半導(dǎo)體市場不樂觀,也就會影響半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,而在半導(dǎo)體市場不樂觀的狀況預(yù)計(jì)持續(xù)的情況下,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈預(yù)計(jì)也會繼續(xù)面臨挑戰(zhàn)。而最新的報(bào)道顯示,產(chǎn)業(yè)鏈消息人士認(rèn)為,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈廠商,在明年仍會面臨相對較高的市場不確定性,預(yù)計(jì)直到 2024 年才會走上明確的增長軌道。值得注意的是,此前預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體市場規(guī)
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美國半導(dǎo)體強(qiáng)勢回歸:新建23個(gè)晶圓廠 增加2000億美元投資
- 通過在 2022 年 8 月頒布的芯片和科學(xué)法案,華盛頓的政策制定者在吸引美國半導(dǎo)體生產(chǎn)和創(chuàng)新投資方面邁出了歷史性的一步。已經(jīng)激發(fā)了對美國的私人投資,這將加強(qiáng)美國經(jīng)濟(jì)、創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會和供應(yīng)鏈彈性。從 CHIPS 法案于 2020 年春季出臺到頒布后的幾個(gè)月,半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的公司宣布了數(shù)十個(gè)提高美國制造能力的項(xiàng)目。一些項(xiàng)目開始時(shí)是在期待 CHIPS 法案的資助并依賴于政策制定者的承諾繼續(xù)提供此類資金,而其他人則在立法頒布后向前推進(jìn)。以下是 CHIPS 法案推動(dòng)的公告的一些要點(diǎn):全美宣布了40 多個(gè)新的半導(dǎo)體
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印度塔塔集團(tuán)宣布進(jìn)軍半導(dǎo)體行業(yè) 計(jì)劃五年內(nèi)投資900億美元
- 印度塔塔集團(tuán)的主要投資控股公司塔塔之子(Tata Sons)董事長納塔拉詹·錢德拉塞卡蘭周四接受媒體采訪時(shí)表示,塔塔集團(tuán)將在幾年內(nèi)開始在印度本土生產(chǎn)芯片。 塔塔集團(tuán)是印度最大的集團(tuán)公司,商業(yè)運(yùn)營主要涉及七個(gè)領(lǐng)域:通信和信息技術(shù)、工程、材料、服務(wù)、能源、消費(fèi)產(chǎn)品和化工產(chǎn)品。塔塔集團(tuán)過去也曾表達(dá)過進(jìn)軍半導(dǎo)體制造業(yè)的意愿,其目標(biāo)是在全球芯片供應(yīng)鏈中占據(jù)關(guān)鍵的一部分。 錢德拉塞卡蘭表示,塔塔集團(tuán)計(jì)劃在未來五年為此投資900億美元。公司還計(jì)劃在電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域推出新業(yè)務(wù),包括制造電動(dòng)車和電動(dòng)車電池,生
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基于安森美半導(dǎo)體NCP13992/NCL2801-戶外400W-IP67防水LED電源
- 該方案采用安森美半導(dǎo)體的LLC驅(qū)動(dòng)器-NCP13992,同步整流驅(qū)動(dòng)芯片MPS6922,PFC驅(qū)動(dòng)為NCL2801;而NCP13992是業(yè)界首款采用電流控制模式LLC控制器NCP1399優(yōu)化平均效率待機(jī)功耗升級版本.輸入100-277VAC輸出DC12V30A,主要驅(qū)動(dòng)器件應(yīng)用600V門極驅(qū)動(dòng)器簡化布局并減少外部組件數(shù),采用跳周期模式提升輕載能效,并集成一系列保護(hù)特性以提升系統(tǒng)可靠性,用于LED電源及工業(yè)電源系統(tǒng)應(yīng)用,可顯著實(shí)現(xiàn)輕載和滿載時(shí)的高能效及超低待機(jī)能耗。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?展示板照片?方案
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。 數(shù)十年來,硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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再添一座新工廠?印度的半導(dǎo)體布局
- 據(jù)印度媒體近日報(bào)道,總部位于英國的SRAM & MRAM Group副主席Gurujee Kumaran Swami在2022 年奧里薩邦(MIO) 秘密會議上宣布,該集團(tuán)將在奧里薩邦投資2萬億盧比(約合人民幣1723億元),以在該州設(shè)立一個(gè)半導(dǎo)體工廠。報(bào)道稱,Swami和該公司在奧里薩邦子公司負(fù)責(zé)人Debadutta Singh Deo表示,該集團(tuán)將在第一階段投資3000億盧比(258.6億元)。SRAM & MRAM Group介紹稱,該半導(dǎo)體制造部門將在獲得所有政府部門的許可后三
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半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強(qiáng),頭部公司訂單飽滿紛紛擴(kuò)產(chǎn)
- 半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整,但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動(dòng),以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率器件強(qiáng)勢增長,相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿,產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭,斯達(dá)半導(dǎo)今年前三季度實(shí)現(xiàn)凈利潤達(dá)到5.9億元,同比增長1.21倍,增速超過營業(yè)收入,銷售毛利率達(dá)到41.07%,環(huán)比提升。在12月5日斯達(dá)半導(dǎo)三季度業(yè)績說明會上,公司高管介紹,近幾個(gè)季度營收增長主要驅(qū)動(dòng)力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲能、風(fēng)電等行業(yè)持續(xù)快速放量,市場份額不斷提高;隨著規(guī)?;?yīng)
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芯片大漲3%!半導(dǎo)體開啟全面復(fù)蘇?
- 12月6日,芯片半導(dǎo)體板塊直線拉升,截止上午11點(diǎn)00分,芯片產(chǎn)業(yè)指數(shù)(H30007)漲超3%,大幅跑贏大盤,成分股中芯源薇漲超8%,晶豐明源漲超7%,北方華創(chuàng)、國科微,思瑞浦漲超6%。消息面上,國內(nèi)多地發(fā)布最新疫情防控政策,有望推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)進(jìn)一步回歸正軌。世界銀行經(jīng)濟(jì)學(xué)家預(yù)計(jì),隨著疫情管控政策放松,2023年中國實(shí)際GDP增長率將從今年的3%上升到4.5%,可能是全球惟一在2023年能實(shí)現(xiàn)正增長的主要經(jīng)濟(jì)體。基本面來看,短期芯片行業(yè)預(yù)期逐步樂觀,疫后經(jīng)濟(jì)恢復(fù)有望拉動(dòng)下游需求,芯片半導(dǎo)體全面復(fù)蘇有望提前啟
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又一汽車芯片企業(yè)沖擊資本市場芯旺微正式啟動(dòng)科創(chuàng)板IPO輔導(dǎo)
- 又一汽車芯片廠商啟動(dòng)“闖關(guān)”資本市場。近日,上海芯旺微電子技術(shù)股份有限公司(下稱“芯旺微”)在上海證監(jiān)局進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案。備案報(bào)告顯示,該公司于今年11月下旬簽署輔導(dǎo)協(xié)議,輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為招商證券,輔導(dǎo)期擬于明年3月結(jié)束。《科創(chuàng)板日報(bào)》記者從公司投資方獲悉,芯旺微此次擬上市地為科創(chuàng)板。不過致電公司公開聯(lián)系方式后并未取得相關(guān)回應(yīng)。芯旺微是一家聚焦汽車級、工業(yè)級混合信號8位/32位MCU&DSP芯片提供商,成立于2012年,現(xiàn)公司總部位于上海張江高科,并在深圳、重慶、武漢均設(shè)有分支機(jī)構(gòu),公司董事長、實(shí)控人為
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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