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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體周要聞-20250224
- 半導(dǎo)體周要聞（2025-2-17 to 2025-2-21）1 ) 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM份額將達(dá)10%，重塑內(nèi)存格局根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM市場(chǎng)份額從2024年僅為5%到今年將飆升至10%，預(yù)計(jì)可與三星電子、SK 海力士、美光建立四大方體系TrendForce 預(yù)測(cè)，中國(guó)企業(yè)在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額將首次達(dá)到兩位數(shù)，從 2024 年第三季度的 6.0% 增加到 2025 年第三季度的 10.1%?？紤]到長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的低良率（正品比率），預(yù)計(jì)其在晶圓產(chǎn)能方面的份額會(huì)更高。TrendForce集邦咨
- 關(guān)鍵字： 莫大康 半導(dǎo)體
歐盟日本巨額補(bǔ)貼半導(dǎo)體企業(yè)：英飛凌、臺(tái)積電成焦點(diǎn)
- 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)兩大重磅消息，歐盟與日本分別對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)提供大額補(bǔ)貼，旨在推動(dòng)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英飛凌獲歐盟9.2億歐元補(bǔ)貼，德累斯頓新廠加速落地2月20日，歐盟委員會(huì)宣布批準(zhǔn)德國(guó)政府對(duì)英飛凌位于德累斯頓的新晶圓廠授予9.2億歐元（約69.85億元人民幣）的《歐洲芯片法案》補(bǔ)貼，用于其在德國(guó)德累斯頓建設(shè)新的半導(dǎo)體制造工廠。公開(kāi)資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元，于2023年3月啟動(dòng)建設(shè)，目標(biāo)是在2026年投入使用，2031年達(dá)到滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn)。建成后，該工廠將制造分立功率
- 關(guān)鍵字： 補(bǔ)貼 半導(dǎo)體 英飛凌 臺(tái)積電
2025 年的疲軟開(kāi)局
- WSTS 在 4 年報(bào)道了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)th2024 年季度為 1,709 億美元，同比增長(zhǎng) 17%，比 3 增長(zhǎng) 3%RD2024 年季度。2024 年全年市場(chǎng)規(guī)模為 6280 億美元，比 2023 年增長(zhǎng) 19.1%。我們 Semiconductor Intelligence 為今年最準(zhǔn)確的半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)頒發(fā)了一個(gè)虛擬獎(jiǎng)項(xiàng)。這些標(biāo)準(zhǔn)是在去年 10 月和 3 月初發(fā)布 WSTS 1 月數(shù)據(jù)之間發(fā)布的公開(kāi)預(yù)測(cè)。對(duì)于 2024 年，我們打成平手。IDC 在 2023 年 11 月預(yù)測(cè) 2024 年將增長(zhǎng) 2
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 預(yù)測(cè) AI 服務(wù)器
歐盟批準(zhǔn)德國(guó)為英飛凌芯片工廠提供 9.2 億歐元援助
- 歐盟委員會(huì)周四表示，已批準(zhǔn)向英飛凌提供9.2億歐元的德國(guó)國(guó)家援助，用于在德累斯頓建設(shè)一座新的半導(dǎo)體制造廠。歐委會(huì)補(bǔ)充說(shuō)，這項(xiàng)措施將使英飛凌能夠完成MEGAFAB-DD項(xiàng)目，該項(xiàng)目將能夠生產(chǎn)多種不同類(lèi)型的芯片。全球的芯片制造商正在向新工廠投入數(shù)十億美元，因?yàn)樗麄兝妹绹?guó)和歐盟慷慨的補(bǔ)貼，使西方國(guó)家在發(fā)展尖端半導(dǎo)體技術(shù)方面領(lǐng)先于中國(guó)。到 2030 年，歐盟委員會(huì)已為公共和私營(yíng)半導(dǎo)體項(xiàng)目撥款 150 億歐元。歐盟委員會(huì)在一份聲明中說(shuō)："這座新的制造工廠將為歐盟帶來(lái)靈活的生產(chǎn)能力，從而加強(qiáng)歐洲在半導(dǎo)體技
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2024年全球半導(dǎo)體TOP10廠商排名
- 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner的最新報(bào)告，2024年全球半導(dǎo)體收入總額達(dá)到了6260億美元，同比增長(zhǎng)18.1%。預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)，總收入將進(jìn)一步增長(zhǎng)至7050億美元。Gartner研究副總裁George Brocklehurst表示：“數(shù)據(jù)中心應(yīng)用（服務(wù)器和加速卡）中使用的GPU和AI處理器是2024年芯片行業(yè)的主要驅(qū)動(dòng)力。由于對(duì)AI和生成式AI工作負(fù)載的需求日益增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心在2024年成為了僅次于智能手機(jī)的第二大半導(dǎo)體市場(chǎng)，數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體總收入從2023年的648億美元增至112
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 三星 英特爾 英偉達(dá) 美光
三星穩(wěn)坐全球前十大半導(dǎo)體品牌廠商第一！Intel跌至第五
- 2月16日消息，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint的最新報(bào)告，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)（包括存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)）在2024年預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇，全年?duì)I收同比增長(zhǎng)19%，達(dá)到6210億美元。這一增長(zhǎng)主要得益于人工智能技術(shù)需求的大幅增加，尤其是內(nèi)存市場(chǎng)和GPU需求的持續(xù)推動(dòng)。從廠商來(lái)看，三星電子以11.8%的市場(chǎng)份額位居全球第一，隨后分別是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特爾（4.9%）、美光（4.8%）、英偉達(dá)（4.3%）、AMD（4.1%）、聯(lián)發(fā)科（2.6%）和西部數(shù)據(jù)（2.5%）。需要注意的是，此
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 SK海力士 高通 博通 英特爾 美光 英偉達(dá) AMD 聯(lián)發(fā)科 西部數(shù)據(jù)
(2025.2.17)半導(dǎo)體周要聞－莫大康
- 半導(dǎo)體一周要聞 2025.2.10- 2025.2.141. 臺(tái)積電斷供，16and14nm及以下工藝受到嚴(yán)格限制臺(tái)積電最近對(duì)中國(guó)大陸的集成電路（IC）設(shè)計(jì)公司實(shí)施了一系列嚴(yán)格的供應(yīng)限制，特別是針對(duì)16/14納米工藝的產(chǎn)品。這一決策與美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）最新發(fā)布的出口管制法規(guī)密切相關(guān)。根據(jù)這一新規(guī)，自2025年1月31日起，如果16/14nm及以下工藝的相關(guān)產(chǎn)品不在BIS白名單中的“approved OSAT”進(jìn)行封裝，并且臺(tái)積電沒(méi)有收到該封裝廠的認(rèn)證簽署副本，這些產(chǎn)品將
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(2025.2.10)半導(dǎo)體春節(jié)期間要聞
- 半導(dǎo)體一周要聞 2025.2.4- 2025.2.71. 饒議：DeepSeek是鴉片戰(zhàn)爭(zhēng)以來(lái)中國(guó)對(duì)人類(lèi)最大的科技震撼1840年至今的185年來(lái)，中國(guó)有很多成就，也有很多困苦，包括與科學(xué)和技術(shù)相關(guān)的方面和領(lǐng)域。在科學(xué)和技術(shù)相關(guān)的方面，185年來(lái)中國(guó)出現(xiàn)的對(duì)人類(lèi)最大的震撼是DeepSeek。這不是說(shuō)以前的成就不重要，而是說(shuō)現(xiàn)實(shí)世界的反應(yīng)；這不是說(shuō)它沒(méi)在前人的肩膀上，而是說(shuō)它的令人驚訝；這不是說(shuō)它一勞永逸永遠(yuǎn)立住了，而是說(shuō)它橫空出世；這不是寄希望中國(guó)僅出現(xiàn)這一次，而會(huì)有更多更好。DeepS
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半導(dǎo)體市場(chǎng)新一輪并購(gòu)潮來(lái)襲
- 過(guò)去一年，半導(dǎo)體市場(chǎng)在政策支持、AI需求高漲等利好因素之下，并購(gòu)交易呈現(xiàn)復(fù)蘇勢(shì)頭。邁入2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)并購(gòu)熱潮持續(xù)，繼安森美收購(gòu)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)，聯(lián)想收購(gòu)以色列企業(yè)存儲(chǔ)公司Infinidat等事件之后，行業(yè)再次迎來(lái)四起半導(dǎo)體并購(gòu)新動(dòng)態(tài)。軟銀擬收購(gòu)一家處理器公司近年軟銀頻繁發(fā)力半導(dǎo)體領(lǐng)域，并通過(guò)收購(gòu)和控股等方式，不斷擴(kuò)展其業(yè)務(wù)版圖。此前，軟銀通過(guò)收購(gòu)Arm公司，成為了全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)公司之一。最新消息顯示，軟銀將收購(gòu)IC設(shè)計(jì)公司Ampere Computing LLC?！杜聿┥纭穲?bào)道
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2024年10大半導(dǎo)體故事:萬(wàn)億晶體管 GPU、鋼切片激光芯片、粒子加速器等
- 雖然在企業(yè)運(yùn)營(yíng)方面英特爾的2024充滿(mǎn)爭(zhēng)議，但在技術(shù)上似乎英特爾做的比財(cái)報(bào)要好看一點(diǎn)。我們梳理了IEEE整理的10大2024年半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展。1. 我們將如何實(shí)現(xiàn)一萬(wàn)億個(gè)晶體管 GPU1971 年是特殊的一年，原因有很多——第一本電子書(shū)發(fā)布，第一場(chǎng)為期一天的國(guó)際板球比賽舉行，這位記者誕生了。這也是半導(dǎo)體行業(yè)首次售出超過(guò) 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管。如果臺(tái)積電高管的預(yù)測(cè)是正確的，那么十年內(nèi)，一個(gè) GPU 中將有 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管。代工廠計(jì)劃如何實(shí)現(xiàn)這樣一項(xiàng)技術(shù)壯舉是我們今年發(fā)布的閱讀量最大的半導(dǎo)體故事的主題。2. 可
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半導(dǎo)體「美國(guó)制造」太天真？ASML高層：光有錢(qián)是不夠的
- 荷蘭芯片設(shè)備制造巨擘ASML執(zhí)行長(zhǎng)?？耍–hristophe Fouquet）近期在接受荷蘭媒體訪問(wèn)時(shí)，分享了他對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法。對(duì)于美國(guó)是否低估了半導(dǎo)體技術(shù)，?？苏J(rèn)為，不只是美國(guó)，所有人都低估打造成功半導(dǎo)體廠所需的條件，除了資金之外，還必須持續(xù)投資研發(fā)，以及付出長(zhǎng)期的努力。?？私战邮堋堵固氐ど虉?bào)》專(zhuān)訪時(shí)指出，臺(tái)積電是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成功企業(yè)之一。對(duì)于臺(tái)積電龐大的規(guī)模與全球依賴(lài)其芯片的現(xiàn)象，他表示，若產(chǎn)業(yè)中僅存少數(shù)大型企業(yè)，反而有利于創(chuàng)新的發(fā)展。?？祟A(yù)期，三星電子有望好轉(zhuǎn)，業(yè)界也期待英特爾能重振
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(2024.12.30)半導(dǎo)體一周要聞－莫大康
- 半導(dǎo)體一周要聞2024.12.23- 2024.12.271. 爭(zhēng)氣國(guó)產(chǎn)DDR5已量產(chǎn)，良率還很高！據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)道，中國(guó)DRAM芯片大廠長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）已經(jīng)成功量產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片，并有多家DRAM模組廠商開(kāi)始銷(xiāo)售基于其DDR5芯片的DRAM模組。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此前主要產(chǎn)品是19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，此次DDR5成功量產(chǎn)使用表明了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)在追趕全球頭部DRAM廠商的速度正在加快，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升。據(jù)了解，目前只有少數(shù)DRAM廠商如
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2024 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議：半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)展望
- 2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）聚焦于塑造未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)。本次會(huì)議展示了從傳統(tǒng)電子材料到新興材料領(lǐng)域的多項(xiàng)技術(shù)突破，為未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了重要參考。新興材料領(lǐng)域：碳納米管電子學(xué)的突破自石墨烯電子學(xué)誕生以來(lái)，已有20年的發(fā)展歷史。然而，在石墨烯及其他二維材料之前，碳納米管就已經(jīng)進(jìn)入電子學(xué)領(lǐng)域。盡管研究焦點(diǎn)有所轉(zhuǎn)移，但碳納米管電子學(xué)仍在持續(xù)取得進(jìn)展，尤其是在高性能和薄膜晶體管的開(kāi)發(fā)方面。在2024年IEDM大會(huì)上，北京大學(xué)、浙江大學(xué)和電子科技大學(xué)的彭練矛、張志勇團(tuán)隊(duì)展示了一種基于對(duì)齊碳納
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美商務(wù)部長(zhǎng)：阻止中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體是愚蠢的差事！
- 12月24日消息，近日美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多 （Gina Raimondo） 在接受媒體采訪時(shí)表示，美國(guó)應(yīng)該更多地關(guān)注對(duì)國(guó)內(nèi)創(chuàng)新的投資，而不是實(shí)施禁令和制裁?！霸噲D阻止中國(guó)（發(fā)展半導(dǎo)體）是愚蠢的差事”，雷蒙多還補(bǔ)充說(shuō)，拜登政府的《芯片與科學(xué)法案》（CHIPS and Science Act）導(dǎo)致美國(guó)在建設(shè)芯片基礎(chǔ)設(shè)施方面的投入比過(guò)去 28 年的總和還要多，這“比出口管制更重要”。盡管如此，《華爾街日?qǐng)?bào)》稱(chēng)，拜登總統(tǒng)仍然推動(dòng)對(duì)中國(guó)公司的禁令和制裁，甚至敦促包括荷蘭和日本在內(nèi)的盟友阻止中國(guó)獲得先進(jìn)技術(shù)，尤其
- 關(guān)鍵字： 美國(guó) 半導(dǎo)體
臺(tái)積電宣布計(jì)劃推出共同封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，引領(lǐng)未來(lái)高速傳輸革命
- 臺(tái)積電（TSMC）近日正式宣布，將在2026年推出全新的共同封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)，融合其業(yè)界領(lǐng)先的Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWoS）封裝技術(shù)與硅光子（Silicon Photonics）技術(shù)。此舉旨在滿(mǎn)足人工智能（AI）與高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域?qū)Ω咚贁?shù)據(jù)傳輸和低能耗的迫切需求，同時(shí)引領(lǐng)下一代數(shù)據(jù)中心的技術(shù)潮流。COUPE：臺(tái)積電CPO戰(zhàn)略的核心技術(shù)在此次技術(shù)布局中，臺(tái)積電緊湊型通用光子引擎（Compact Universal Photonic Engine，COUPE）
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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