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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 可靠性

          IGBT如何進(jìn)行可靠性測(cè)試?

          • 在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商,為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品,且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認(rèn)識(shí)到,為實(shí)現(xiàn)有保證的質(zhì)量性能,最佳方式是摒棄以前的“通過(guò)測(cè)試確保質(zhì)量”方法,轉(zhuǎn)而擁抱新的“通過(guò)設(shè)計(jì)確保質(zhì)量”理念。在安森美,我們使用雙重方法來(lái)達(dá)到最終的質(zhì)量和可靠性水
          • 關(guān)鍵字: IGBT  可靠性  測(cè)試  

          Molex莫仕公布全球可靠性和硬件設(shè)計(jì)調(diào)研結(jié)果

          • ?·?????? 超過(guò)一半的調(diào)研參與者表示,可靠性會(huì)促進(jìn)品牌忠誠(chéng)度??·?????? 可靠性方面的主要挑戰(zhàn)包括充足的測(cè)試時(shí)間、供貨商質(zhì)量、成本,以及產(chǎn)品設(shè)計(jì)屬性與影響可靠性之間的相關(guān)性??·?????? 46%的受訪者認(rèn)為,人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、模擬和分析是提高產(chǎn)品可靠性的最佳選擇
          • 關(guān)鍵字: Molex  莫仕  可靠性  硬件設(shè)計(jì)  

          基于Microchip dsPIC33CK256MP505 高性能DSP開(kāi)發(fā)的250W微逆變電源方案

          • 隨著傳統(tǒng)化石能源的供應(yīng)不穩(wěn)定因素增加以及國(guó)家碳達(dá)峰,碳中和的要求,太陽(yáng)能、風(fēng)能等可再生能源需求急增;同時(shí)戶(hù)外運(yùn)動(dòng)的不斷普及也給便攜式儲(chǔ)能電源的發(fā)展帶來(lái)了前所未有有機(jī)遇,另外隨著我們經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展;智能家電在人民日常生活中廣泛應(yīng)用,家用儲(chǔ)能電源也日益得到人民的重視,這些行業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用需求推動(dòng)了逆變電源轉(zhuǎn)換的巨大發(fā)展。如何實(shí)現(xiàn)可靠穩(wěn)定并網(wǎng)運(yùn)行、降低轉(zhuǎn)換損耗、增加功率密度,降低開(kāi)發(fā)難度及開(kāi)發(fā)周期是廣大電源研發(fā)工程師的關(guān)注焦點(diǎn)。Microchip 的 Level 4 純數(shù)字電源方案,將為新能源儲(chǔ)能逆變這個(gè)行業(yè)提供完
          • 關(guān)鍵字: Microchip  逆變電源  數(shù)字化  并網(wǎng)發(fā)電  可靠性  

          輸出過(guò)壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)思路

          • 介紹了五種輸出過(guò)壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)思路,并根據(jù)每種方案的優(yōu)缺點(diǎn),分析如何在實(shí)際應(yīng)用中選擇最合適的輸出過(guò)壓保護(hù)電路。
          • 關(guān)鍵字: 202304  過(guò)壓保護(hù)  電源  可靠性  電路對(duì)比  

          電視機(jī)直下式低成本背光系統(tǒng)研究與應(yīng)用

          • 直下式LED背光模組廣泛應(yīng)用于液晶電視、平板燈、廣告燈箱、警示牌等領(lǐng)域。常規(guī)性能直下式LED背光技術(shù)已趨成熟,高效轉(zhuǎn)換效率光電材料和廣角光學(xué)透鏡技術(shù)尚未十分成熟,如何進(jìn)一步提高LED背光源高效光電轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)背光模組同一混光距離透鏡使用數(shù)量進(jìn)一步減少達(dá)到降成本目的,開(kāi)發(fā)大發(fā)光角度透鏡提高背光模組的亮度均勻性及背光模組可靠性等問(wèn)題十分關(guān)鍵,進(jìn)行相關(guān)方法的研究具有重要意義。
          • 關(guān)鍵字: 直下式背光模組  LED  光學(xué)透鏡  可靠性  202302  

          某航空用壓力傳感器可靠性研究

          • 壓力傳感器的可靠性是考核質(zhì)量好壞的重要指標(biāo),可以綜合反應(yīng)壓力傳感器的性能,可靠性的高低關(guān)系著工作效率、經(jīng)濟(jì)效益,甚至直接影響人身安全問(wèn)題。因此,對(duì)壓力傳感器的可靠性研究顯得十分重要和非常迫切。本文通過(guò)對(duì)壓力傳感器的工作原理和工作環(huán)境的分析,以理論計(jì)算等方式,對(duì)壓力傳感器的可靠性進(jìn)行了研究。用以判斷壓力傳感器的可靠性是否達(dá)到技術(shù)要求,分析航空用壓力傳感器使用過(guò)程中的薄弱環(huán)節(jié)。從壓力傳感器設(shè)計(jì)和使用角度出發(fā),對(duì)薄弱環(huán)節(jié)采取相應(yīng)的控制措施,提高了航空用壓力傳感器的可靠性和穩(wěn)定性。
          • 關(guān)鍵字: 壓力傳感器  可靠性  MTBF  失效率  202211  

          基于高壓LED搭建的背光控制電視系統(tǒng)

          • 摘? 要:本文引入一種應(yīng)用在局部背光調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新型高壓LED方案,并對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)講述,與傳統(tǒng)方案相 比,新方案無(wú)論是在可靠性、成本、還是效率方面均有不同程度的優(yōu)化,值得學(xué)習(xí)和推廣。 關(guān)鍵詞:局部背光調(diào)節(jié);高壓LED;BUCK 橫流模塊;可靠性 隨著消費(fèi)者對(duì)液晶電視機(jī)畫(huà)質(zhì)要求的不斷提升, Local Dimming(局部背光調(diào)節(jié))作為提升對(duì)比度的主 要技術(shù)受到了各大電視機(jī)廠家的青睞。眾所周知,電視 機(jī)的分區(qū)越多,Local Dimming 的效果越好,動(dòng)態(tài)對(duì)比 度越高,畫(huà)質(zhì)更佳。而在電視機(jī)上
          • 關(guān)鍵字: 202210  局部背光調(diào)節(jié)  高壓LED  BUCK 橫流模塊  可靠性  

          關(guān)于輸出可調(diào)電路的電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)

          • ?隨著電器的豐富,用電場(chǎng)所的增加,常規(guī)的輸出電壓已不滿足多樣化使用場(chǎng)景的要求。特別當(dāng)用電設(shè)備與供電設(shè)備距離較遠(yuǎn)時(shí),途中導(dǎo)線帶來(lái)的電壓降無(wú)法忽略,它會(huì)降低負(fù)載的實(shí)際供電電壓,影響用電質(zhì)量。為了兼顧所有用電者,輸出可調(diào)的電源應(yīng)運(yùn)而生。
          • 關(guān)鍵字: 202208  輸出可調(diào)  電源  可靠性  電壓調(diào)整  電路對(duì)比  

          開(kāi)關(guān)電源芯片的失效分析與可靠性研究

          • 摘要:隨著科技的飛速發(fā)展,電器設(shè)備的使用越來(lái)越廣泛,功能也越來(lái)越強(qiáng)大,體積也越來(lái)越小,導(dǎo)致了對(duì) 電源模塊要求在不斷增加。開(kāi)關(guān)芯片在應(yīng)用中失效,經(jīng)分析為電路設(shè)計(jì)本身可靠性差,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)芯片失效。本 文通過(guò)增加放電與限流貼片電阻,對(duì)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化更改,使電路工作可靠性明顯提高,滿足電路設(shè)計(jì)需求,改善后應(yīng)用失效大幅度減低。關(guān)鍵詞:弱電端短路;過(guò)電損傷;放電電阻;限流電阻;可靠性0 引言?現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)電源模塊的工作效率、體積以及安 全要求等技術(shù)性能指標(biāo)要求越來(lái)越高,開(kāi)關(guān)電源電路憑 借良好的性能在電
          • 關(guān)鍵字: 202208  弱電端短路  過(guò)電損傷  放電電阻  限流電阻  可靠性  

          GaN是否具有可靠性?或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)?

          • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世,電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上,GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對(duì)于硅可靠性方面的問(wèn)題措辭則不同,比如“這是否通過(guò)了鑒定?”盡管GaN器件也通過(guò)了硅鑒定,但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀點(diǎn),因
          • 關(guān)鍵字: GaN  FET  電源  可靠性  

          基于改進(jìn)最小生成樹(shù)的配網(wǎng)線路優(yōu)化

          • 針對(duì)配網(wǎng)規(guī)劃過(guò)程中難以考慮城市地理環(huán)境條件的快速變化等難題,提出了基于城市環(huán)境影響的配網(wǎng)線路優(yōu)化方法。首先,總結(jié)配電網(wǎng)可靠性規(guī)劃的步驟,分析城市配電網(wǎng)的環(huán)境約束對(duì)網(wǎng)架結(jié)構(gòu)的影響;然后,利用GIS提供的城市環(huán)境等信息,考慮線路網(wǎng)損以及配電網(wǎng)電壓降落的要求,確定主干線并形成初始線路集;最后,根據(jù)配電網(wǎng)輻射式網(wǎng)絡(luò)的基本特征,建立啟發(fā)式規(guī)則,利用改進(jìn)的最小生成樹(shù)方法對(duì)城市配電網(wǎng)的輻射網(wǎng)進(jìn)行優(yōu)化,從而提高配電網(wǎng)供電可靠性水平。
          • 關(guān)鍵字: ?配網(wǎng)優(yōu)化  可靠性  輻射式網(wǎng)絡(luò)  最小生成樹(shù)  202201  

          基于供電可靠性的配電網(wǎng)規(guī)劃

          • 隨著城市建設(shè)不斷推進(jìn),配電線路逐漸規(guī)?;图夯槍?duì)城市配電網(wǎng)線路輸送通道緊張等問(wèn)題,為保障供電可靠性為目標(biāo),著重研究配電網(wǎng)的規(guī)劃方法。首先介紹計(jì)算配電網(wǎng)主干線可靠性方法,在一定假設(shè)條件下從平均故障時(shí)間和故障率、電量損失期望計(jì)算可靠性指標(biāo);其次,建立配電網(wǎng)可靠性規(guī)劃的數(shù)學(xué)模型,對(duì)輻射型配電網(wǎng)進(jìn)行潮流計(jì)算,以年綜合費(fèi)用最低為目標(biāo)規(guī)劃變電站與負(fù)荷點(diǎn)之間的連線,最后改進(jìn)離散二進(jìn)制粒子群算法,給出求解方案。
          • 關(guān)鍵字: 配網(wǎng)規(guī)劃  可靠性  離散二進(jìn)制  粒子群算法  202112  

          雙面壓接背板可靠性研究

          • 雙面壓接背板作為一種高速背板,用于實(shí)現(xiàn)線路信號(hào)傳輸和互連。本文從雙面壓接背板的結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)過(guò)程和制備工藝流程等方面探討了雙面壓接背板的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: 高速背板  可靠性  制備流程  電路板  202105  

          變頻電源開(kāi)關(guān)芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

          • 隨著科技的發(fā)展,電器設(shè)備使用越來(lái)越廣泛,功能越來(lái)越強(qiáng)大,體積也越來(lái)越小,對(duì)電源模塊的要求不斷增加。開(kāi)關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點(diǎn),在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)分析,開(kāi)關(guān)電源電路多個(gè)器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)芯片失效。本文通過(guò)增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能,使產(chǎn)品各項(xiàng)性能有效提高,滿足電路設(shè)計(jì)需求,減少售后失效。
          • 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源  高壓瓷片電容  芯片  耐壓提升  可靠性  202105  MOSFET  

          某型紅外探測(cè)器預(yù)處理電路失效分析

          • 摘要:作為紅外探測(cè)系統(tǒng)中的基礎(chǔ)硬件和關(guān)鍵部件,預(yù)處理電路的性能直接影響紅外探測(cè)系統(tǒng)成像質(zhì)量。針對(duì)某型紅外探測(cè)器預(yù)處理電路的故障現(xiàn)象,建立故障樹(shù)逐步進(jìn)行失效分析,定位異常處并通過(guò)測(cè)試驗(yàn)證,進(jìn)而提出糾正措施避免類(lèi)似異常的發(fā)生。經(jīng)過(guò)本次失效分析,找到了偶然事件產(chǎn)生的根源,通過(guò)采取糾正措施,降低了偶然失效發(fā)生的概率,對(duì)產(chǎn)品可靠性的提高具有顯著實(shí)用價(jià)值。圖1 紅外探測(cè)系統(tǒng)功能框圖預(yù)處理電路是紅外探測(cè)系統(tǒng)模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的橋梁,其采集性能、圖像處理能力及輸出信號(hào)直接影響紅外探測(cè)系統(tǒng)成像質(zhì)量,是整體系統(tǒng)的關(guān)鍵部件[2
          • 關(guān)鍵字: 202106  紅外探測(cè)器  預(yù)處理電路  失效分析  可靠性  
          共303條 1/21 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

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