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          基于ARM與低成本MEMS器件的AHRS設(shè)計(jì)

          • 基于ARM與低成本MEMS器件的AHRS設(shè)計(jì),摘要:自平衡機(jī)器人、多旋翼無(wú)人飛行器的控制需要高精度的姿態(tài)運(yùn)動(dòng)信息作為反饋輸入,要求測(cè)量模塊具有響應(yīng)快、體積小和功耗低的特點(diǎn)。采用低成本的MEMS器件與STM32單片機(jī)構(gòu)建了航向姿態(tài)參考系統(tǒng)硬件平臺(tái)。針對(duì)傳感器
          • 關(guān)鍵字: AHRS  設(shè)計(jì)  器件  MEMS  ARM  成本  基于  

          基于IC和蓄電技術(shù)的光電轉(zhuǎn)換器件簡(jiǎn)介

          • 以照明的光線作為遙控器和鐘表的電源,無(wú)需布線即可使傳感器網(wǎng)絡(luò)遍布家中——羅姆正在開(kāi)發(fā)為這種環(huán)境實(shí)現(xiàn)的太陽(yáng)能發(fā)電面板。那就是色素增感型光電轉(zhuǎn)換元件(Dye Sensitized Solar Cell,以下DSC)?! ‰m
          • 關(guān)鍵字: 器件  簡(jiǎn)介  轉(zhuǎn)換  光電  IC  技術(shù)  基于  

          基于固體開(kāi)關(guān)器件的新型高壓脈沖驅(qū)動(dòng)源

          • 摘要:從MOSFET的開(kāi)關(guān)基理,以仿真與電路實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法,研究出了MOSFET柵極的“過(guò)”驅(qū)動(dòng)技術(shù),以此采提高M(jìn)OSFET的開(kāi)關(guān)速度。并結(jié)合多個(gè)MOSFET的串并聯(lián)的級(jí)聯(lián)技術(shù),采用多管串聯(lián)方法來(lái)提高脈沖源的輸出
          • 關(guān)鍵字: 高壓  脈沖  驅(qū)動(dòng)  新型  器件  固體  開(kāi)關(guān)  基于  

          PDLC器件顯示原理及性能分析

          • 引言  近年來(lái),高分子分散型液晶顯示器(polymerdispersed liquid crystal,PDLC) 的一些特殊性能得到了很大的應(yīng)用。本文基于當(dāng)前對(duì)PDLC 的理論研究成果,探討和研究了PDLC 器件的顯示原理,同時(shí)制作了基于玻璃基材
          • 關(guān)鍵字: 性能  分析  原理  顯示  器件  PDLC  

          使用嵌入式處理器對(duì)可編程邏輯器件重編程

          • 使用嵌入式處理器對(duì)可編程邏輯器件重編程, 1 引言  在嵌入式系統(tǒng)里除了嵌入式處理器外還會(huì)經(jīng)常使用到可編程邏輯器件,有些可編程邏輯器件在被焊接到印制電路板上之后還可以對(duì)其程序進(jìn)行更新,這種特性稱之為“在系統(tǒng)可重編程能力”(In SystemR
          • 關(guān)鍵字: 器件  編程  邏輯  可編程  嵌入式  處理器  使用  

          LM4702高保真功放器件詳細(xì)介紹

          •  LM4702是為對(duì)音質(zhì)有高要求且需求大功率輸出的消費(fèi)者應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。放大器的輸出功率大小可根據(jù)供給電壓和輸出設(shè)備數(shù)量的變化進(jìn)行調(diào)整。采用LM4702設(shè)計(jì)的音頻放大器每個(gè)聲道能夠在8Omega;負(fù)載上輸出超過(guò)300W 的功率
          • 關(guān)鍵字: 詳細(xì)  介紹  器件  功放  高保真  LM4702  

          微波器件薄膜化技術(shù)難點(diǎn)

          • 微波器件的薄膜化過(guò)程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn),本文以環(huán)形器薄膜化過(guò)程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過(guò)程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。工作在微波波段(300~300000兆 赫)的器件。它的電子產(chǎn)品都在向
          • 關(guān)鍵字: 難點(diǎn)  技術(shù)  薄膜  器件  微波  

          LED照明器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)因素關(guān)系分析

          • 一 前言  設(shè)計(jì)者們給發(fā)光二極管—LED和陣列作光源設(shè)計(jì)的供電電源,稱之為L(zhǎng)ED電子驅(qū)動(dòng)器。對(duì)于LED照明器件和系統(tǒng)而言,LED光源本身就是其電子封裝組成的一部分。這種給LED陣列提供能源并對(duì)其進(jìn)行控制的電子驅(qū)動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 因素  關(guān)系  分析  設(shè)計(jì)  系統(tǒng)  照明  器件  LED  

          用于計(jì)算應(yīng)用的占位面積優(yōu)化功率器件

          • I.概述 本文將:. 總結(jié)針對(duì)計(jì)算應(yīng)用的典型同步降壓調(diào)節(jié)器負(fù)載設(shè)計(jì)規(guī)范;Tjcn、負(fù)載電流、DC和瞬態(tài)調(diào)節(jié). 簡(jiǎn)單概述帶來(lái)典型的每相20 - 30 A電流的因素;工作頻率、瞬態(tài)響應(yīng)和效率. 解釋三要素概念=>額定輸出電流由三個(gè)
          • 關(guān)鍵字: 優(yōu)化  功率  器件  面積  占位  計(jì)算  應(yīng)用  用于  

          PROTEL DXP如何創(chuàng)建原理圖器件(二)

          • 添加電路仿真模型電路仿真用的SPICE 模型文件(.ckt and .mdl)存放在AltiumLibrary路徑里的集成庫(kù)文件中。如果你希望在你的設(shè)計(jì)上進(jìn)行電路仿真分析,你就需要加入這些模型。如果你要將這些仿真模型用到你的庫(kù)元件中
          • 關(guān)鍵字: PROTEL  DXP  原理圖  器件    

          PROTEL DXP如何創(chuàng)建原理圖器件(一)

          • 介紹了使用PROTEL DXP 的庫(kù)編輯器創(chuàng)建原理圖器件和PCB 封裝。這個(gè)指南假設(shè)你能理解如何在原理圖及PCB 環(huán)境中工作并且具有擺放及編輯器件的能力。你可以在AltiumExamples utorials 路徑中找到指南中的例子中使用到的器
          • 關(guān)鍵字: PROTEL  DXP  原理圖  器件    

          功率邏輯器件在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用分析

          • 嵌入式可編程控制器及其I/O模塊為較合理地解決目前可編程邏輯控制器.html target=_blank>控制器自身的軟硬件分配,以及與上位機(jī)通信協(xié)調(diào)工作中存在的問(wèn)題,結(jié)合外掛式和虛擬式的優(yōu)點(diǎn),本文基于ISA總線技術(shù)自行開(kāi)發(fā)
          • 關(guān)鍵字: 功率邏輯  分析  器件  嵌入式系統(tǒng)    

          存儲(chǔ)器件軟誤差解決方案

          • 軟誤差是半導(dǎo)體器件中無(wú)法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計(jì)師控制的外部因素所引起的,包括alpha;粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如,如果為音頻、視
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  器件  方案  軟誤差    

          基于VHDL語(yǔ)言對(duì)高速A/D器件TLC5510控制的實(shí)現(xiàn)

          • 基于VHDL語(yǔ)言對(duì)高速A/D器件TLC5510控制的實(shí)現(xiàn),--TLC5510 VHDL控制程序  --文件名:TLC5510.vhd  --功能:基于VHDL語(yǔ)言,實(shí)現(xiàn)對(duì)高速A/D器件TLC5510控制  --最后修改日期:2004.3.20  library ieee;  use ieee.std_logic_1164.all;  entity tlc5510 is
          • 關(guān)鍵字: TLC5510  控制  實(shí)現(xiàn)  器件  A/D  VHDL  語(yǔ)言  高速  基于  

          低功耗器件的“設(shè)計(jì)時(shí)測(cè)試”方法

          • 在65nm制造工藝條件下,依靠電池供電的器件正在大量出現(xiàn)。這種先進(jìn)的工藝技術(shù)使得新器件較前代工藝的同類器件具有很多改進(jìn)。采用65nm工藝之后,設(shè)計(jì)人員可以在一塊單獨(dú)的裸片上集成遠(yuǎn)多于過(guò)去的晶體管,還可以在器件
          • 關(guān)鍵字: 低功耗  測(cè)試  器件  計(jì)時(shí)    
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          器件介紹

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