場(chǎng)效應(yīng)管文章進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)社區(qū)

e絡(luò)盟擴(kuò)充東芝場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品系列,滿(mǎn)足全球市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求

安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟宣布新增250多種東芝（Toshiba）產(chǎn)品，包括一系列新型N通道功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。新增系列將涵蓋600V-650V的高壓和30V-150V的低壓產(chǎn)品。Farnell及e絡(luò)盟高級(jí)供應(yīng)商客戶(hù)經(jīng)理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)張。盡管這段時(shí)間以來(lái)，汽車(chē)應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體的需求一直是人們的熱點(diǎn)話(huà)題。但它掩蓋了一個(gè)事實(shí)，那就是許多其他應(yīng)用的需求增長(zhǎng)速度也非常迅猛，至少與汽車(chē)應(yīng)用的需求增長(zhǎng)速度相當(dāng)。”他補(bǔ)充道：“功率場(chǎng)效
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)

據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管）計(jì)劃在今年 8 月下旬開(kāi)始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開(kāi)關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項(xiàng)新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結(jié)構(gòu)，將其與 PN 二極管并聯(lián)放置，能將可靠性提升 10 倍。雖然上述器件結(jié)構(gòu)可以顯著提升可靠性，可它卻有著無(wú)法規(guī)避的缺點(diǎn) —— 特定導(dǎo)通電阻和性能
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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

2022年5月11日移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列。
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場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)
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怎么選擇三極管和場(chǎng)效應(yīng)管，看這篇就夠了

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管，因此正確挑選場(chǎng)效應(yīng)晶體管是硬件工程師常常碰到的難點(diǎn)之一，也是極其重要的1個(gè)環(huán)節(jié)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的挑選，有可能直接影響到一整塊集成運(yùn)放的速率和制造費(fèi)，挑選場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以從下列六大技巧下手。
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IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理及檢測(cè)方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱(chēng)絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具備易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn)，已逐步取代晶閘管和GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
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逆變電源設(shè)計(jì)基本常識(shí)

電源，用通常理解的話(huà)說(shuō)：是一種可以為我們電子電器提供合適電壓，電流，波形與頻率的轉(zhuǎn)換裝置!比如：直流電源，可以理解為頻率為零，波形為直線的
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分享：IGBT的檢測(cè)方法

IGBT有三個(gè)電極，分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱(chēng)漏極)及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)
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三極管開(kāi)關(guān)電路和場(chǎng)效應(yīng)管電路優(yōu)劣比較

一般我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)時(shí)候，三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問(wèn)題，三極
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【E課堂】模擬電子技術(shù)重難點(diǎn)盤(pán)點(diǎn)

　　在緒論課中，除了簡(jiǎn)要介紹電子技術(shù)的發(fā)展及其應(yīng)用概況，本課程的性質(zhì)、任務(wù)和要求以及基本內(nèi)容外，還應(yīng)著重介紹本課程的學(xué)習(xí)方法。根據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn)，?筆者從學(xué)習(xí)“電路”課程過(guò)渡到學(xué)習(xí)“電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程時(shí)，總感到電子電路的分析與計(jì)算，不如“電路”課程中那樣嚴(yán)格，那樣有規(guī)律可循，時(shí)而忽略這個(gè)元?件，時(shí)而忽略了那個(gè)參數(shù)，不好掌握?！　∫蚨仨氈该鞅菊n程是一門(mén)技術(shù)基礎(chǔ)課，著重“技術(shù)”二字。在定性分析，搞清概念的基礎(chǔ)上，進(jìn)行定量估算。由于半導(dǎo)體器件參數(shù)的分散性，存在?較大的偏差，電阻、電容
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【E課堂】模擬電子技術(shù)的重點(diǎn)及難點(diǎn)簡(jiǎn)析

　　模擬電子技術(shù)是電氣工程及其自動(dòng)化等專(zhuān)業(yè)的學(xué)生必須掌握的一門(mén)技術(shù)，此課程在專(zhuān)業(yè)培養(yǎng)計(jì)劃中具有舉足輕重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作崗位的我們?cè)诠ぷ髦幸苍S會(huì)接觸到這些知識(shí)，下面就模擬電子技術(shù)中的重難點(diǎn)做一些說(shuō)明。　　一、放大電路基礎(chǔ)　　作為本課程的基礎(chǔ)，由于課程剛?cè)腴T(mén)，概念較多，又要初步培養(yǎng)分析、計(jì)算能力，因此，必須放慢進(jìn)度，保證足夠的學(xué)時(shí)。　　關(guān)于半導(dǎo)體的物理基礎(chǔ)部分，因“物理”和“化學(xué)”兩課中一般都已講過(guò)，本課程不必重復(fù)，可從晶體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)講起。PN結(jié)是重點(diǎn)內(nèi)容，要求用物理概念講清PN結(jié)的
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系統(tǒng)詳解開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理

幾種基本類(lèi)型的開(kāi)關(guān)電源　顧名思義，開(kāi)關(guān)電源就是利用電子開(kāi)關(guān)器件（如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅閘流管等），通過(guò)控制電路，使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開(kāi)關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制，
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常用大功率高耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)114種

常用大功率高耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)114種
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圖解絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管

　　本文圖文結(jié)合的解析了絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　增強(qiáng)型：VGS=0時(shí)，漏源之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下無(wú)iD。　　耗盡型：VGS=0時(shí)，漏源之間有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下iD。　　1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)　　在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。　　其他MOS管符號(hào)　　2、工作原理(以N溝道增強(qiáng)型為例)　　(1) VGS=0時(shí)，不管VDS極性如何，其中總有一個(gè)PN結(jié)反偏，
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【E課堂】絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管之圖解

　　增強(qiáng)型：VGS=0時(shí)，漏源之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下無(wú)iD。耗盡型：VGS=0時(shí)，漏源之間有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下iD。　　1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)　　在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極?！　?nbsp; 　　其他MOS管符號(hào)　　　　2. 工作原理(以N溝道增強(qiáng)型為例)　　　　
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場(chǎng)效應(yīng)管介紹

目錄場(chǎng)效應(yīng)管 1.概念: 2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi): 3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) : 4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別: 5.場(chǎng)效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管　　根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effec [ 查看詳細(xì) ]