場(chǎng)效應(yīng)管文章進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)社區(qū)

場(chǎng)效應(yīng)管的基本放大電路

　　1.共源極電路　　共源極電路可采用圖16-14 所示的電路。這種電路的柵偏壓是由負(fù)電壓UG經(jīng)偏置電阻RG提供的。該電路雖然簡(jiǎn)單.但R G不易取得過大.否則會(huì)在柵漏泄電流流過時(shí)產(chǎn)生較大的壓降，使柵偏壓發(fā)生變化.造成工作點(diǎn)的偏離。共源極基本放大電路的主要參數(shù)，可由以下各式確定:　　　　2. 共漏極電路(源極輸出器)　　共漏極電路如圖16-15 所示。該電路中除有源極電阻Rs提供的自偏壓外，還有由R1和R2組成的分壓器為柵極提供的固定柵偏壓
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場(chǎng)效應(yīng)管原理、場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型及其參數(shù)

　　場(chǎng)效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(Junction Field Effect Transister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET(Metal Oxide Sem
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場(chǎng)效應(yīng)管的基本應(yīng)用：共源極放大器

　　　　1)靜態(tài)工作點(diǎn)的測(cè)試　　上圖為場(chǎng)效應(yīng)管共源極放大器實(shí)驗(yàn)電路圖。該電路采用的自給偏壓的方式為放大器建立靜態(tài)工作點(diǎn)，柵極通過R1接地，因R1中無電流流過，所以柵極與地等電位。即VG=0，可用萬用表測(cè)出靜態(tài)工作點(diǎn)IDQ和VDSQ值?！　?)輸入輸出阻抗的測(cè)試　　(1) 輸入阻抗的測(cè)量　　上圖是伏安法測(cè)試放大電路的連接圖。其在輸入回路中串接一取樣電阻R，輸入信號(hào)調(diào)整在放大電路用晶體管毫對(duì)地的交流電壓VS與Vi，這樣求得兩端的電壓為VR=VS-V
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采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管加大輸入電壓范圍電路

采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管加大輸入電壓范圍電路圖采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管加大輸入電壓范圍電路意，圖4所示電路的輸出電流主要取決于IDSS。一般而言，不要在回路中串聯(lián)電流取樣元件。當(dāng)電源直接安裝在電路主板上時(shí)，輸出短路的可能性...
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場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線圖示儀電路圖

場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線圖示儀電路圖
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UC3842場(chǎng)效應(yīng)管充電器電路

UC3842場(chǎng)效應(yīng)管充電器電路
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不需要場(chǎng)效應(yīng)管的多路傳輸開關(guān)

不需要場(chǎng)效應(yīng)管的多路傳輸開關(guān)
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場(chǎng)效應(yīng)管阻抗匹配器

場(chǎng)效應(yīng)管阻抗匹配器
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詳解場(chǎng)效應(yīng)管——不就是一個(gè)電控開關(guān)！

　　場(chǎng)效應(yīng)管在mpn中，它的長(zhǎng)相和我們常面講的三極管非常像，所以有不少修朋友好長(zhǎng)時(shí)間還分不清楚，統(tǒng)一的把這些長(zhǎng)相相同的三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、雙二極管、還有各種穩(wěn)壓IC統(tǒng)統(tǒng)稱作“三個(gè)腳的管管”，呵呵，如果這樣麻木不分的話，你的維修技術(shù)恐怕很難快速提高的哦! 　　言歸正傳，說到場(chǎng)效應(yīng)管的長(zhǎng)相恐怕我就不用貼圖了，在電路圖中它常用　　　　表示，關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，我們是通俗化講它的使用，所以不去多講，由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不
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三極管開關(guān)電路PK場(chǎng)效應(yīng)管電路優(yōu)劣大不同

　　一般我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)時(shí)候，三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問題，三極管便宜，MOS管貴;其次是功耗問題，三極管損耗大;最后是驅(qū)動(dòng)能力，MOS管常用來電源開關(guān)，以及大電流地方開關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。　　MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管。實(shí)際上說電流控制慢，電壓控制快
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簡(jiǎn)單聊聊模電中的場(chǎng)管和運(yùn)放

　　凡是學(xué)電的，總是避不開模電。　　上學(xué)時(shí)老師教的知識(shí)，畢業(yè)時(shí)統(tǒng)統(tǒng)還給老師。畢業(yè)后又要從事產(chǎn)品設(shè)計(jì)，《模電》拿起又放下了 n 次，躲不開啊。畢業(yè)多年后，回頭望，聊聊模電的學(xué)習(xí)，但愿對(duì)學(xué)弟學(xué)妹有點(diǎn)幫助。　　按理說，場(chǎng)管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雙極型晶體管(BJT)。場(chǎng)效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。　　運(yùn)放在今天的應(yīng)用，也是如火如荼。比較器、ADC、DAC、電源、儀表、等等離不開運(yùn)放。　　1、場(chǎng)效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電的
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總結(jié)：關(guān)于直流電防接反電路

　　對(duì)于平常日用的一些產(chǎn)品，產(chǎn)品在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)就會(huì)考慮這個(gè)問題，顧客只是簡(jiǎn)單的利用插頭進(jìn)行電源的連接，所以一般采用反插錯(cuò)接頭，這是種簡(jiǎn)單，低價(jià)而有效的方法。　　但是，對(duì)于產(chǎn)品處于工廠生產(chǎn)階段，可能不便采用防差錯(cuò)接頭，這可能就會(huì)造成由于生產(chǎn)人員的疏忽造成反接，帶來損失。　　所以給電路增加防接反電路有時(shí)還是有必要的，盡管增加了成本。　　下面就說說常用的防接反電路：　　1、最簡(jiǎn)單的在電路中串入一只二極管　　　　優(yōu)點(diǎn)：電路簡(jiǎn)單，成本較低。適用于小電流，對(duì)成本要求比較嚴(yán)的產(chǎn)
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電源可靠性的設(shè)計(jì)

　　生活當(dāng)中我們經(jīng)常會(huì)遇到電源壞掉的問題，比如手機(jī)適配器、PC電源以及一些小家電的電源。當(dāng)我們遇到這些問題時(shí)總是感嘆電源的不可靠，那么我們?cè)鯓硬拍茉O(shè)計(jì)出穩(wěn)定可靠電源呢?下面就讓我們一起來總結(jié)一下那些影響電源可靠性的因素。　　1、電壓應(yīng)力　　電源電壓應(yīng)力是保證電源可靠性的一個(gè)重要指標(biāo)。在電源中有許多器件都有規(guī)定最大耐壓值，比如：場(chǎng)效應(yīng)管的Vds和Vgs、二極管的反向耐壓、IC的最大VCC電壓以及輸入輸出電容的最大耐壓。所以我們?cè)O(shè)計(jì)時(shí)必須要考慮到器件要承受的最大電壓。再根據(jù)電壓選擇適當(dāng)器件，最后再進(jìn)行
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【E問E答】三極管開關(guān)電路和場(chǎng)效應(yīng)管電路優(yōu)劣比較？

　　一般我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)時(shí)候，三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問題，三極管便宜，MOS管貴;其次是功耗問題，三極管損耗大;最后是驅(qū)動(dòng)能力，MOS管常用來電源開關(guān)，以及大電流地方開關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制?！　OS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管。實(shí)際上說電流控制慢，電壓控制快這種
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【E問E答】場(chǎng)效應(yīng)管mos管vgs電壓過大有什么后果？

　　常遇到MOS管Vgs電壓過大會(huì)損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀?　　當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，形成反型層?！　GS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)就越強(qiáng)，吸引到P襯底表面的電子就越多，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小。　　即N溝道MOS管在vGS
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場(chǎng)效應(yīng)管介紹

目錄場(chǎng)效應(yīng)管 1.概念: 2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類: 3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) : 4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別: 5.場(chǎng)效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管　　根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effec [ 查看詳細(xì) ]