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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 基本半導(dǎo)體

          基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

          • 引言:隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車(chē)載功率芯片的理想選擇。同時(shí),高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對(duì)碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求,開(kāi)發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年,但它們各自存在一定短板。例如,錫基焊料耐高溫性能不足,熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率偏低,在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險(xiǎn),在
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  銅燒結(jié)  碳化硅  功率模塊  

          基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

          • 4月24日,基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線,是基本半導(dǎo)體打造國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹,基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國(guó)家工信部的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)支持,并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目,廠區(qū)面積13000平方米,配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專(zhuān)業(yè)設(shè)備,主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等,產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車(chē)的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過(guò)打造垂直整合制造模式,加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  車(chē)規(guī)級(jí)  碳化硅  

          基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

          • 日前,深圳基本半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“基本半導(dǎo)體”)與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”)在位于日本京都的羅姆總部簽訂車(chē)載碳化硅功率器件戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。 羅姆董事長(zhǎng)松本功(圖左)、基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍?。▓D右)出席簽約儀式 此次簽約,雙方將充分發(fā)揮各自的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì),就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級(jí)、性能提升等方面展開(kāi)深度合作,開(kāi)發(fā)出更先進(jìn)、更高效、更可靠的新能源汽車(chē)碳化硅解決方案。此外,作為第一批合作成果,融合了雙方技術(shù)的車(chē)載功率模塊將提供給多家大型汽車(chē)企業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  羅姆  

          第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

          • 2022年9月20日,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,由新股東德載厚資本、國(guó)華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,現(xiàn)有股東屹唐長(zhǎng)厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力,提升產(chǎn)能規(guī)模,支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的大規(guī)模應(yīng)用,全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月,該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持,充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  代半導(dǎo)體  碳化硅  

          第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C1輪融資

          • 9月17日,專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體基本半導(dǎo)體功率器件的深圳基本半導(dǎo)體有限公司完成C1輪融資,由現(xiàn)有股東博世創(chuàng)投、力合金控,以及新股東松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將繼續(xù)用于加速碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體正處于快速發(fā)展的黃金賽道?;景雽?dǎo)體經(jīng)過(guò)多年深耕,掌握了國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù),研發(fā)領(lǐng)域覆蓋碳化硅的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈,先后推出全電流電壓等級(jí)的碳化硅肖特基二極管及MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  基本半導(dǎo)體  第三代半導(dǎo)體  

          基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無(wú)限

          • 相比于數(shù)字半導(dǎo)體,我國(guó)在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些,因?yàn)楣β势骷粌H僅是產(chǎn)品設(shè)計(jì)的問(wèn)題,還涉及到材料等多個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點(diǎn)迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè),基本半導(dǎo)體技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)副總監(jiān)劉誠(chéng)表示,公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等,基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車(chē)是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域,市場(chǎng)潛力大,也是基本半導(dǎo)體要重點(diǎn)發(fā)力的市場(chǎng)。站在劉誠(chéng)的角
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  MOSFET  中國(guó)芯  

          創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展、合作共贏未來(lái)——2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功召開(kāi)

          • 11月20日,由中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)與深圳市人民政府共同主辦,中國(guó)科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)等單位承辦,深圳市科技開(kāi)發(fā)交流中心、深圳中歐創(chuàng)新中心等單位執(zhí)行,基本半導(dǎo)體等單位協(xié)辦的“2020中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際合作、市場(chǎng)熱點(diǎn)和技術(shù)前沿話題,邀請(qǐng)中外半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)<覍W(xué)者進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)分享,探討中歐半導(dǎo)體合作發(fā)展新路徑。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)副主席張治平在致辭中表示,深圳市政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,推
          • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  碳化硅功率器件  基本半導(dǎo)體  青銅劍  

          脫穎而出!基本半導(dǎo)體獲頒“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

          • 近日,第十四屆“中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)”在青島舉辦,現(xiàn)場(chǎng)揭曉了“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果,基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)?!爸袊?guó)芯”是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的最高榮譽(yù),被譽(yù)為我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。工業(yè)和信息化部電子信息司司長(zhǎng)喬躍山出席活動(dòng)并發(fā)表致辭基本半導(dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士(左起第五位)登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)?!爸袊?guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集活動(dòng)旨在征集國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用創(chuàng)新成果,打造中國(guó)集成
          • 關(guān)鍵字: 車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊(BMB200120P1)、基本半導(dǎo)體、中國(guó)芯、中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)  

          國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)!基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測(cè)試“火”力全開(kāi)

          • 挑戰(zhàn)驕陽(yáng)火焰山,何須芭蕉借又還。國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì),不懼火煉過(guò)樓蘭。——鄭廣州國(guó)創(chuàng)中心副總經(jīng)理8月14日,國(guó)家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心(簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)創(chuàng)中心”)邀請(qǐng)基本半導(dǎo)體等13家國(guó)內(nèi)整車(chē)和半導(dǎo)體企業(yè)的專(zhuān)家,實(shí)地開(kāi)展“中國(guó)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體首批測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”活動(dòng),并舉行了車(chē)規(guī)半導(dǎo)體測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目高溫測(cè)試技術(shù)研討會(huì)。自2019年7月底開(kāi)始,國(guó)創(chuàng)中心攜搭載了國(guó)產(chǎn)自主硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的4輛試驗(yàn)車(chē),在吐魯番進(jìn)行為期一個(gè)月的“極限高溫”
          • 關(guān)鍵字: 國(guó)產(chǎn)芯片  基本半導(dǎo)體  極限高溫測(cè)試  

          基本半導(dǎo)體與NetPower達(dá)成戰(zhàn)略合作,優(yōu)質(zhì)代理商火熱招募中!

          • 日前,基本半導(dǎo)體與NetPower簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將共同開(kāi)發(fā)歐美地區(qū)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。這是基本半導(dǎo)體繼成立瑞典海外營(yíng)銷(xiāo)中心后,公司國(guó)際化戰(zhàn)略的又一里程碑。根據(jù)合作協(xié)議,NetPower正式成為基本半導(dǎo)體歐美地區(qū)授權(quán)分銷(xiāo)商,為歐洲及北美客戶(hù)提供基本半導(dǎo)體全線碳化硅功率器件產(chǎn)品銷(xiāo)售、方案咨詢(xún)和售后等相關(guān)服務(wù)。此次戰(zhàn)略合作的達(dá)成,將實(shí)現(xiàn)基本半導(dǎo)體與NetPower的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)與資源有效整合,為基本半導(dǎo)體全面實(shí)施國(guó)際化經(jīng)營(yíng)戰(zhàn)略,提升品牌的國(guó)際知名度提供有力支撐。NetPower于2000年在美國(guó)德克薩斯州成立
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  第三代半導(dǎo)體  NetPower  

          中國(guó)深圳創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三屆國(guó)際賽英國(guó)倫敦分站賽圓滿成功

          •   深圳市人民政府主辦,深圳市人力資源和社會(huì)保障局、深圳市坪山區(qū)人民政府承辦的中國(guó)深圳創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三屆國(guó)際賽英國(guó)倫敦分站賽,于英國(guó)時(shí)間3月22日下午在英國(guó)倫敦順利舉行,比賽最終決出今年4月份前往深圳參加全球總決賽的10個(gè)晉級(jí)項(xiàng)目?! ∩钲谑腥肆Y源和社會(huì)保障局黨組成員、局機(jī)關(guān)黨委專(zhuān)職副書(shū)記杜斌出席活動(dòng)并致辭。杜斌表示,深圳是中國(guó)改革開(kāi)放的窗口,是中國(guó)最早實(shí)施改革開(kāi)放、影響最大、建設(shè)最好的經(jīng)濟(jì)特區(qū),創(chuàng)造了世界工業(yè)化、城市化、現(xiàn)代化發(fā)展的奇跡。近年來(lái),深圳堅(jiān)定實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,構(gòu)建“基礎(chǔ)研究+技術(shù)攻關(guān)+
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽  第三屆國(guó)際賽英國(guó)倫敦分站賽  

          基本半導(dǎo)體參加全國(guó)政協(xié)副主席萬(wàn)鋼調(diào)研活動(dòng)

          •   近日,全國(guó)政協(xié)副主席、致公黨中央主席、中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)主席萬(wàn)鋼一行蒞臨深圳第三代半導(dǎo)體研究院調(diào)研。研究院院長(zhǎng)趙玉海、副理事長(zhǎng)吳玲等陪同調(diào)研?;景雽?dǎo)體作為深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起共建單位受邀參加調(diào)研活動(dòng)?! ∪f(wàn)鋼主席一行在趙玉海院長(zhǎng)陪同下詳細(xì)了解了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況,并參觀了研究院碳化硅襯底、外延、器件、封裝,硅基GaN外延,新能源汽車(chē)變換器等實(shí)物展品?! 』景雽?dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士、副總經(jīng)理張振中博士和高級(jí)顧問(wèn)高躍博士向萬(wàn)鋼一行匯報(bào)了基本半導(dǎo)體在碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果,介紹了自主研發(fā)
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  萬(wàn)人計(jì)劃  巍巍博士  第三代半導(dǎo)體  

          重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導(dǎo)體參加第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議

          •   11月4-7日,由中國(guó)電源學(xué)會(huì)與IEEE電力電子學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?;景雽?dǎo)體作為本次大會(huì)的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì),IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來(lái)自31個(gè)國(guó)家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì)議。大會(huì)主席、中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞,美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士李澤元教授,中國(guó)工程院院
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          基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國(guó)電子展

          •   10月31日-11月2日,第92屆中國(guó)電子展在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉行。基本半導(dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū),展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?! ≈袊?guó)電子展是電子行業(yè)的年度盛會(huì),集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測(cè)試測(cè)量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等產(chǎn)業(yè),傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化,電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”為主題,共有40000余名買(mǎi)家和專(zhuān)業(yè)觀眾觀展,共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì)。 
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          基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

          •   11月5日,在第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間,來(lái)自中國(guó)、日本和韓國(guó)的第三代半導(dǎo)體專(zhuān)家齊聚基本半導(dǎo)體,參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)。  出席會(huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(zhǎng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國(guó)亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專(zhuān)家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向,
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          基本半導(dǎo)體介紹

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