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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 失效

          VRLA電池模擬停電試驗(yàn)的研究

          • 1引言隨著鉛酸蓄電池在生產(chǎn)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,蓄電池在惡劣環(huán)境下的使用壽命已成為很多用戶判斷電池性能的...
          • 關(guān)鍵字: VRLA蓄電池  使用壽命  失效  

          蓄電池持續(xù)監(jiān)測(cè)保證不間斷電源(UPS)可以隨時(shí)啟用

          IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

          • 摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞:安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、
          • 關(guān)鍵字: 安全  工作區(qū)  失效  機(jī)理  工作  物理  IGBT  概念  

          IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

          • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

            關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

          • 關(guān)鍵字: 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

          IGBT及其子器件的四種失效模式比較

          • 摘要:本文通過案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

            關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

          • 關(guān)鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

          DC/DC電源模塊高溫失效原因分析

          • 引言  DC/DC電源模塊(以下簡稱模塊),是一種運(yùn)用功率半導(dǎo)體開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)DC/DC功率變換的開關(guān)電源。它廣泛應(yīng)用于遠(yuǎn)程及數(shù)據(jù)通信、計(jì)算機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國民經(jīng)擠的各行
          • 關(guān)鍵字: 失效  原因分析  高溫  模塊  電源  DC/DC  

          電容使用注意事項(xiàng)與失效解決方案

          • 電容使用注意事項(xiàng)與失效解決方案: 電容的選用注意事項(xiàng)  在確認(rèn)使用及安裝環(huán)境時(shí),作為按產(chǎn)品樣本設(shè)計(jì)說明書所規(guī)定的額定性能范圍內(nèi)使用的電容器,應(yīng)當(dāng)避免在下述情況下使用:
              a、高溫(溫度超過最高使
          • 關(guān)鍵字: 電容  注意事項(xiàng)  失效  方案    

          經(jīng)驗(yàn)之談:電容使用注意事項(xiàng)以及失效解決辦法

          • 電容的選用注意事項(xiàng)在確認(rèn)使用及安裝環(huán)境時(shí),作為按產(chǎn)品樣本設(shè)計(jì)說明書所規(guī)定的額定性能范圍內(nèi)使用的電...
          • 關(guān)鍵字: 電容  注意事項(xiàng)  失效  

          LED主要失效模式分析

          • LED是一種直接將電能轉(zhuǎn)換為可見光和輻射能的發(fā)光器件,具有耗電量小、發(fā)光效率高、體積小等優(yōu)點(diǎn),目前已經(jīng)逐漸成為了一種新型高效節(jié)能產(chǎn)品,并且被廣泛應(yīng)用于顯示、照明、背光等諸多領(lǐng)域。近年來,隨著LED技術(shù)的不斷
          • 關(guān)鍵字: 分析  模式  失效  主要  LED  

          深度剖析LED失效問題

          • LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構(gòu)成,即大家熟知的磊晶晶粒(chip),該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定,在產(chǎn)品...
          • 關(guān)鍵字: LED  LED芯片  失效    

          LED機(jī)械應(yīng)力失效分析

          • 1 、失效模式:

              產(chǎn)品中相同結(jié)構(gòu)手插件 LED 的失效位號(hào)隨機(jī)分布,失效比例高的 LED 集中在近離 PCB 板面的 LED 。 LED 的結(jié)構(gòu)參考 figure 1 。

              2 、失效機(jī)理:

              組裝時(shí)的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致 LED 引腳移
          • 關(guān)鍵字: 分析  失效  應(yīng)力  機(jī)械  LED  

          DC /DC電源模塊高溫失效原因

          • 摘 要: 為了得到一款軍品級(jí)模塊因?yàn)閷?dǎo)致高溫失效的原因, 通過對(duì)模塊內(nèi)部元件加熱測(cè)試, 觀測(cè)模塊電學(xué)參數(shù)的變化, 并與模塊整體加熱電學(xué)參數(shù)變化的結(jié)果做比較。得到影響模塊輸出電學(xué)參數(shù)變化的最主要的元件,
          • 關(guān)鍵字: 失效  原因  高溫  模塊  /DC  電源  DC  

          DC/DC電源模塊高溫失效原因

          • 為了得到一款軍品級(jí)模塊因?yàn)閷?dǎo)致高溫失效的原因,通過對(duì)模塊內(nèi)部元件加熱測(cè)試,觀測(cè)模塊電學(xué)參數(shù)的變化,并與模塊整體加熱電學(xué)參數(shù)變化的結(jié)果傲比較。得到影響模塊輸出電學(xué)參數(shù)變化的最主要的元件,同時(shí)對(duì)該元件特性分析,獲得元件隨溫度變化失效的原理。測(cè)得其輸出電壓隨環(huán)境溫度的上升,而緩慢下降的主要原因來自于光耦的溫度特性。環(huán)境溫度達(dá)到150℃左右時(shí),模塊內(nèi)變壓器磁芯溫度將達(dá)到居里點(diǎn)附近,使模塊輸出電壓幾乎為零。
          • 關(guān)鍵字: DC  原因  失效  模塊  電源  高溫  

          FPGA與PCB板焊接連接失效

          •   問題描述:  81%的電子系統(tǒng)中在使用FPGA,包括很多商用產(chǎn)品和國防產(chǎn)品,并且多數(shù)FPGA使用的是BGA封裝形式。BGA封裝形式的特點(diǎn)是焊接球小和焊接球的直徑小。當(dāng)FGPA被焊在PCB板上時(shí),容易造成焊接連接失效。焊接
          • 關(guān)鍵字: FPGA  PCB  焊接  失效    

          LED燈具失效分析及電路保護(hù)措施

          •   LED燈具損壞的原因  LED燈具失效一是來源于電源和驅(qū)動(dòng)的失效,二是來源于LED器件本身的失效。通常LED電源和驅(qū)動(dòng)的損壞來自于輸入電源的過電沖擊(EOS)以及負(fù)載端的斷路故障。輸入電源的過電沖擊往往會(huì)造成驅(qū)動(dòng)電
          • 關(guān)鍵字: 保護(hù)  措施  電路  分析  燈具  失效  LED  
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