存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
- (新加坡 – 2013年5月16日) 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM 存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合，兩個(gè)產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)系統(tǒng)、先進(jìn)計(jì)算平臺(tái)、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴(yán)苛的存儲(chǔ)器應(yīng)用。 DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù)，該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標(biāo)準(zhǔn)1.5V工作電壓，DDR3對(duì)比DDR2減
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基于FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器用戶接口設(shè)計(jì)
- 使用功能強(qiáng)大的FPGA來實(shí)現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲(chǔ)控制器，由于該公司出產(chǎn)的這種存儲(chǔ)控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，可知本設(shè)計(jì)具有很大的使用前景。本設(shè)計(jì)通過采用多路高速率數(shù)據(jù)讀寫探作仿真驗(yàn)證，可知其完全可以滿足時(shí)序要求，由綜合結(jié)果可知其使用邏輯資源很少，運(yùn)行速率很高，基本可以滿足所有設(shè)計(jì)需要。
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誰為全球半導(dǎo)體市場帶來新一輪增長動(dòng)力？
- 美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA) 宣布，2013年3月，全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到234.8億美元，較上個(gè)月的232.3億美元增長了1.1%，較2012年3月的232.8億美元也增長了0.9%。2013年第一季度的全球銷售總額較上年同期則增長了0.9%。所有月銷售數(shù)位均取3個(gè)月的移動(dòng)平均數(shù)。 美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)總裁兼行政總裁布萊恩-圖希 (Brian Toohey) 表示：“與上年同期相比，在整個(gè)2013年第一季度，全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了溫和但是連續(xù)的增長。絕大多數(shù)的終端產(chǎn)品種類的銷售額都有所增
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三星電子：強(qiáng)化大容量存儲(chǔ)器的產(chǎn)品競爭力
- 4月11日，三星電子表示，從上個(gè)月開始，已全面量產(chǎn)高性能10nm級(jí)(1nm為10億分之1m)128Gb閃存。128Gb 3bit MLC閃存是目前儲(chǔ)存半導(dǎo)體中容量最大的產(chǎn)品，三星電子通過量產(chǎn)128Gb 3bit MLC閃存，將全面擴(kuò)大大容量內(nèi)存及SSD市場，并快速推進(jìn)64Gb MLC市場的升級(jí)。 自去年11月初，三星電子便開始大批量生產(chǎn)10nm級(jí)超高速64Gb MLC閃存;不到5個(gè)月，在容量上擴(kuò)大至兩倍的10nm級(jí)128Gb閃存產(chǎn)品又得以量產(chǎn)，三星電子此舉進(jìn)一步鞏固了自身在eMMC，SSD等業(yè)內(nèi)
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲(chǔ)器電路
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