存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND
- 11 月 7 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）“加強(qiáng)后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計將變得極其龐大，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標(biāo)打造出較 DRAM
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HBM外另一大關(guān)注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？
- 隨著GDDR7存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
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2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調(diào)整，預(yù)計下半年價格將面臨壓力
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情況，筆電市場也因為消費(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費(fèi)
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富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案株式會社宣布更名為RAMXEED LIMITED
- 日本橫濱2024年8月20日 /美通社/ -- 富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案株式會社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名稱將變更為RAMXEED LIMITED。在更名的同時，公司的電子郵件地址和網(wǎng)站網(wǎng)址也將提前更新，而郵政地址和電話號碼則保持不變。新公司徽標(biāo)：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC 都是什么？一次性搞清楚！
- 簡單解釋一、ROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。二、RAM：隨機(jī)存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可
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HBM之后存儲器市場掀起新風(fēng)暴
- AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時，存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計算提供強(qiáng)大支持，不過GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
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合約價勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達(dá)183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應(yīng)用之
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存儲器最新發(fā)展路線圖
- 數(shù)字存儲需求不斷增長，這需要更先進(jìn)的存儲技術(shù)來支持強(qiáng)大的數(shù)字海量存儲層次結(jié)構(gòu)。
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EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！
- 前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時
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存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈
- AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預(yù)計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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AI PC一觸即發(fā)，存儲器、NPU等大放異彩！
- AI浪潮正持續(xù)改變各行各業(yè)，此前歷經(jīng)下行周期的PC市場也開始迎來新的機(jī)會。今年以來，無論是美國消費(fèi)電子展（CES）還是巴塞羅那世界移動通信大會（MWC），AI PC都成為了當(dāng)之無愧的焦點，包括英特爾、AMD、英偉達(dá)等芯片大廠，以及聯(lián)想、戴爾、宏碁、華碩、榮耀等下游廠商紛紛推出相關(guān)產(chǎn)品，布局AI PC。業(yè)界直言，2024年或是AI PC元年，這一風(fēng)口下，半導(dǎo)體領(lǐng)域NPU以及存儲器等有望持續(xù)受益。一 AI PC一觸即發(fā)，半導(dǎo)體大廠瞄準(zhǔn)NPUChatGPT的橫空出世，讓人見識到了AI大模型的威力，隨后，
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搞嵌入式，不懂DMA？笑死人
- DMA，全稱Direct Memory Access，即直接存儲器訪問。DMA傳輸將數(shù)據(jù)從一個地址空間復(fù)制到另一個地址空間，提供在外設(shè)和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。我們知道CPU有轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)、計算、控制程序轉(zhuǎn)移等很多功能，系統(tǒng)運(yùn)作的核心就是CPU.CPU無時不刻的在處理著大量的事務(wù)，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數(shù)據(jù)的復(fù)制和存儲數(shù)據(jù)，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復(fù)雜計算事務(wù)，是不是能夠更好的利用CPU的資源呢？因此：轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)（尤其是轉(zhuǎn)移大量數(shù)據(jù)）是可以不需要
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AI激發(fā)存儲市場潛能，SSD主控芯片國產(chǎn)化浪潮提速
- 近日，國產(chǎn)主控芯片廠商英韌科技宣布量產(chǎn)其第九款主控芯片——YRS820。這也是繼去年9月宣布量產(chǎn)PCIe 5.0 SSD企業(yè)級主控YRS900后，英韌科技官宣量產(chǎn)的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”據(jù)英韌科技聯(lián)合創(chuàng)始人、數(shù)據(jù)存儲技術(shù)副總裁陳杰介紹，YRS820主控芯片具備四“高”二“低”的技術(shù)亮點，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延時。陳杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（開源指令架構(gòu)），配備4通道PCIe 5.0接口，8個NAND閃存通道，支持NVM
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中國科學(xué)家研究鐵電隧道結(jié)存儲器獲新進(jìn)展
- 近日，中國科學(xué)家鐵電隧道結(jié)存儲器研發(fā)取得了新的進(jìn)展。據(jù)中國科學(xué)院金屬研究所官網(wǎng)介紹，在最新完成的研究中，其研究團(tuán)隊提出利用緩沖層定量調(diào)控薄膜應(yīng)變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強(qiáng)鐵電極化強(qiáng)度的策略，成功揭示極化強(qiáng)度同鐵電隧道結(jié)存儲器隧穿電阻之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，并實現(xiàn)巨大隧穿電致電阻(或器件開關(guān)比)。鐵電隧道結(jié)具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結(jié)構(gòu)。利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)調(diào)控量子隧穿效應(yīng)獲得不同的電阻態(tài)，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲功能，具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優(yōu)點，屬于下一代信息存儲技術(shù)，近年來在信息存儲領(lǐng)域備受關(guān)注
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北京大學(xué)公開存儲器專利
- 存儲器是電子信息處理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進(jìn)步，存儲器的性能得以不斷提高。但近年來，一方面，尺寸微縮導(dǎo)致的晶體管漏電問題越來越嚴(yán)重，在增大存儲器功耗的同時，惡化了存儲單元的保持特性，存儲器的發(fā)展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展又對存儲器的容量速度以及功耗等性能指標(biāo)提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機(jī)存取存儲器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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