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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

          存儲器及代工推動2010年投資增長

          •   按華爾街的一位分析師預(yù)計,2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲器和代工的再次推動下可達335億美元,比09年增加50%。   由于09年存儲器的產(chǎn)能緊縮,在2010年為了滿足市場需求的增加,制造商又開始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預(yù)測,半導(dǎo)體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過比較,其中存儲器相比于09年增加38%,而相比于07年又下降63%。   代工的投資在2010年將由09年的50億美元,上升到90億美元。并預(yù)計投資集中在臺積電及新廠Globalfoun
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          基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

          • 摘要:就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案,并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。 無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
          • 關(guān)鍵字: 閃存  大容量  存儲器  星載    

          為存儲器測試開發(fā)低成本的解決方案

          • 便攜式技術(shù)的發(fā)展使人們越來越依賴蜂窩電話、PDA和導(dǎo)航系統(tǒng)這類便攜式裝置。隨著處理器技術(shù)的不斷進步,過去幾年中大容量存儲器件的設(shè)計和開發(fā)呈指數(shù)級增長。例如,從蘋果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  測試  方案    

          威剛陳立白:今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

          •   存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單,董事長陳立白表示,2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài),只要價格維持平穩(wěn),預(yù)計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事,往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季,2010年將會見到淡季不淡,也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預(yù)計會起起伏伏,整體而言,DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。   威剛2009年進行高層人士調(diào)整,延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職,與原有的總經(jīng)理
          • 關(guān)鍵字: 威剛  存儲器  NAND   

          對FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法的研究

          • SPI(SerialPeripheralInteRFace,串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線,在芯片的引腳上...
          • 關(guān)鍵字: FPGA  SPI  復(fù)用配置  存儲器  

          相變存儲器:能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

          • 相變存儲器:能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個重要特性看,相變存儲器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求: 容量
            C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應(yīng)用趨勢,所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長,數(shù)據(jù)增長速率甚至更
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  模型  新型  使用  全新  實現(xiàn)  相變  

          基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

          • 1、引言
            當(dāng)代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲器芯片每年僅僅增加10%的帶寬,本文就如何設(shè)計一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進行研究。
            本文第二部分介紹當(dāng)代D
          • 關(guān)鍵字: 控制器  設(shè)計  存儲器  結(jié)構(gòu)  當(dāng)代  DRAM  基于  

          半導(dǎo)體二手設(shè)備市場看好

          •   全球半導(dǎo)體翻新,二手設(shè)備市場歷來很難精切的界定及統(tǒng)計,有人認(rèn)為是處于半祕密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設(shè)備的供應(yīng)商或者購買設(shè)備的公司都比較含蓄,而不大愿意公布其細(xì)節(jié)。因為購買二手設(shè)備從好的方面被認(rèn)為是節(jié)省投資,從不好方面可能會讓人另眼相看。但是在目前階段那些負(fù)面的影響可能會減少。因為一方面工業(yè)處于下降周期,二手設(shè)備拋向市場增多,而在另一方面業(yè)界對于二手設(shè)備的認(rèn)識也逐漸有所改善。   ClassOne是美國Atlanta基一家翻新及納米技術(shù)設(shè)備的供應(yīng)商,進行二手設(shè)備的買賣,包括薄膜
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  存儲器  

          海力士:2010年DRAM供不應(yīng)求

          •   據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn),將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。   海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑,此外,預(yù)期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨,半導(dǎo)體市場已走出過去3年的谷底,前景相當(dāng)穩(wěn)定。   隨著景氣逐漸回升,海力士計劃2010年提升資本支出,共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平,及擴張目前的NAND
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          TIMC驚傳B計畫 力晶爭取買回瑞晶股權(quán)

          •   盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣,但對于力晶而言,仍是揮之不去的心腹大患,尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計畫」版本,可能藉由與爾必達(Elpida)合作滲入瑞晶,再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)活。因此,力晶對于手上瑞晶持股偏低問題,始終耿耿于懷,不斷宣示要買回合作伙伴爾必達手上瑞晶股權(quán),不過,爾必達會不會同意釋股仍是大問題。   存儲器業(yè)者透露,力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股,盡管業(yè)界多認(rèn)為并沒有這個必要,因為力晶對瑞晶持股不論是30%或40%,其實都不能改變主導(dǎo)權(quán)旁落爾必達的事實,
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          PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價大漲3% 

          •   沈寂已久的DRAM價格再度動起來,存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀,DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài),目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB,未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB,市場對于后市看法相當(dāng)樂觀,原本外界預(yù)期12月合約價格會開始下跌,反應(yīng)淡季效應(yīng),但目前開出是持平,反映市場供給不多,而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動,一口氣大漲3%;此外,下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。   存儲器模塊廠一致看好2010
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          存儲器價格回溫 美光虧損11季后首度獲利

          •   美國存儲器大廠美光(Micron)公布2010會計年度第1季(2009年9~11月)財報,由于存儲器價格回溫,因此在連續(xù)虧損11季之后,終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營收為17.4億美元,較2009年度同期成長約24%。凈利為2.04億美元,每股盈余(EPS)為0.23美元。   據(jù)彭博(Bloomberg)的預(yù)估,美光第1季的每股盈余為0.06美元,實際表現(xiàn)情況超出華爾街多數(shù)分析師的預(yù)期。美光執(zhí)行長Steve Appleton表示,盡管全球經(jīng)濟仍挑戰(zhàn)重重,美光靠著技術(shù)領(lǐng)先、成本優(yōu)勢及財務(wù)穩(wěn)健的優(yōu)勢,可望在市
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          東京大學(xué)研發(fā)出可彎曲有機快閃記憶體

          •   東京大學(xué)宣布已經(jīng)開發(fā)出一種可彎曲的快閃記憶體,這種記憶體完全由有機材料打造,額定讀取和擦除電壓分別為1V和6V,可惜的是壽命不長,數(shù)據(jù)只能被寫入和擦除超過1000次左右。   這種存儲器的用途廣泛,可以用于大面積的傳感器,電子紙和其他大型電子設(shè)備,由于存儲壽命問題沒有解決,因此還沒有到商用階段。   目前早期的樣機已經(jīng)出現(xiàn),這種記憶體采用聚乙烯酯(PEN),作為樹脂薄膜基板,可以靈活彎曲直至它的半徑為6mm也不會出現(xiàn)數(shù)據(jù)損害,并且可以短期保持記憶。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  電子紙  傳感器  

          爾必達預(yù)期明年DRAM需求大增

          •   日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預(yù)期芯片將出現(xiàn)短缺潮,因而計劃在明年4月起的財年中,增加其資本支出。   爾必達社長兼執(zhí)行長坂本幸雄周二在記者會上表示,爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。   他表示:“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉(zhuǎn)。”   爾必達預(yù)期,一些驅(qū)動新需求的動力,例如微軟的Window 7個人電腦操作系統(tǒng),有可能刺激個人電腦汰換潮發(fā)生,進而提升存儲芯片的銷售力道。   坂本幸雄預(yù)期,明年全球用于電腦
          • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  存儲器  

          非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制

          •   非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器,而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。   經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究,現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升,盡管如此,現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小技術(shù)節(jié)點的新式存儲器機制和材料。   目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制,相變存儲器(PC
          • 關(guān)鍵字: 恒憶  NVM  存儲器  浮柵存儲  
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          存儲器介紹

          什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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