存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
DSP片外高速海量SDRAM存儲系統(tǒng)設(shè)計
- 在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應(yīng)用場合，需要有高速大容量存儲空間的強力支持，來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求，通過使用大容量同步動態(tài)ram（sdram）來擴展嵌入式dsp系統(tǒng)存儲空間的方法，選用issi公司的is42s16400高速sdram芯片，詳細論述在基于tms320c6201（簡稱c6201）的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設(shè)計方法的具體實現(xiàn)。 1 is42s16400芯片簡介 is42s16400是issi公司推出的一種單片存儲容量高達64mb（即8mb）的16位字寬高速sdram芯片。
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為DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片
- 引言 ddr-sdram，即雙數(shù)據(jù)速率同步dram，簡稱ddr。ddr因其更為卓越的性能 (起初的數(shù)據(jù)速率為266mbps，后來提升至400mbps，而一般sdram只有133mbps)、更低的功耗以及更具競爭力的價格，已經(jīng)在桌面和便攜式應(yīng)用中頗為流行。最近推出的第二代ddr或稱ddr2 (jesd79-2a)，數(shù)據(jù)速率從400mbps提升到了667mbps。因此與之前的sdram技術(shù)相比，ddr存儲器需要更加復(fù)雜和新穎的功率管理結(jié)構(gòu)。 ddr功率管理結(jié)構(gòu) 圖1所示為第一代ddr
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基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計與實現(xiàn)
- 1 引言 數(shù)控振蕩器是數(shù)字通訊中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分，同時也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號發(fā)生器的核心。隨著數(shù)字通信技術(shù)的發(fā)展，對傳送數(shù)據(jù)的精度和速率要求越來越高。如何得到可數(shù)控的高精度的高頻載波信號是實現(xiàn)高速數(shù)字通信系統(tǒng)必須解決的問題，可編程邏輯器件和大容量存儲器的發(fā)展為這一問題的解決帶來了曙光。本文介紹如何用fpga（現(xiàn)場可編程邏輯門陣列）和sram（靜態(tài)隨機存儲器）實現(xiàn)高精度數(shù)控振蕩器。 2 nco概述 nco（numerical controlled oscillator）
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Catalyst新增了三個包含最寬選擇范圍的嵌入式存儲器系列電壓監(jiān)控器件
- Catalys新推出了三個系列的電壓監(jiān)控器件，它們包含業(yè)內(nèi)最寬選擇范圍的嵌入式存儲器。CAT130xx系列具有1-，2-，4-，8-或16-kbit Microwire串行接口的嵌入式 EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列則具有2-，4-，8-或16-kbit I2C和SPI串行接口的嵌入式EEPROM。 這三種新的電壓監(jiān)控器件系列產(chǎn)品為2.5V，3V，3.3V和5V系統(tǒng)提供在2.32V到4.63V之間的7個復(fù)位門限。復(fù)位輸出可以是CMOS低電平或CMO
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瑞薩科技與力晶半導(dǎo)體建立設(shè)計存儲器產(chǎn)品的合資企業(yè)
- 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與力晶半導(dǎo)體公司 (Powerchip Semiconductor)今天宣布，雙方已簽署協(xié)議將建立一家致力于先進存儲器件設(shè)計的合資企業(yè)。 根據(jù)該協(xié)議，兩家合作公司都將為新公司提供工程設(shè)計資源。建立新型合資企業(yè)將有助于兩家公司解決其當前面對的一些關(guān)鍵問題。 瑞薩科技存儲器事業(yè)部總經(jīng)理Shigeru Mori表示：“作為一家系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商，瑞薩面對不斷提供高度先進而卓越的SiP（系統(tǒng)級封裝）解
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Ovonyx與奇夢達簽訂相變內(nèi)存技術(shù)許可協(xié)議
- Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關(guān)技術(shù)專利及知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術(shù)，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設(shè)備、材料、加工、設(shè)計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
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存儲科技無止境 雷克沙CES 2007新品迭出
- 2007年1月8日至11日，第40屆國際消費電子展（CES 2007）在美國拉斯維加斯舉行，整個會期將持續(xù)4天，仍然以數(shù)字家庭以及高清視頻為主題。匯集全球通信、計算機和消費電子產(chǎn)品的2500余家知名企業(yè)，成為今年第一個IT盛會。作為在全球享有盛譽的存儲卡、高性能數(shù)碼媒體及其輔助產(chǎn)品生產(chǎn)商——Lexar（雷克沙）公司也參加了本屆展會，這也是雷克沙歸結(jié)美光公司旗下后2007年參加的第一次展會，展示最新系列的專業(yè)存儲卡、閃存盤、讀卡器等產(chǎn)品，希望通過這次展會，為關(guān)
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用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設(shè)計。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護設(shè)計者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
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松下推出第六級速度規(guī)格的SD/SDHC記憶卡
- 松下電子消費品公司宣布計劃推出新款的高速SD記憶卡，速度6級，記憶容量規(guī)格分別為1GB/2GB/4GB。預(yù)計于2007年2月在全球進行這些新款記憶卡的銷售。 SD/SDHC兼容器件的質(zhì)量、產(chǎn)銷正處于上升期，這要求產(chǎn)品要有更快的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度以及更大的儲存空間。為了滿足這些需求，松下即將推出新款高速SD卡，速度等級達到6級。依據(jù)SD卡協(xié)會的標準，SD速度等級共有三類，6級是其中速度最快的一類。 新款的高速SD卡擁有高速的數(shù)據(jù)寫入能力，使高級SD/SDHC兼容設(shè)備可以提供更為穩(wěn)定和有效的功能
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基于C8051F320 USB接口的數(shù)據(jù)采集存儲電路
- 摘要： 介紹采用C8051F320 SOC與AM45DB321構(gòu)成數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計方案。關(guān)鍵詞： 數(shù)據(jù)采集；USB接口；存儲電路；SOC 在一些特殊的工業(yè)場合，有時需要將傳感器的信號不斷的實時采集和存儲起來，并且到一定時間再把數(shù)據(jù)回放到PC機中進行分析和處理。在工作環(huán)境惡劣的情況下采用高性能的單片機和工業(yè)級大容量的FLASH存儲器的方案恐怕就是最適當?shù)倪x擇了。CYGNAL公司的C8051F320 SOC是一種具有8051內(nèi)核的高性能單片機，運行速度為普通8051的12倍。該芯
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從嵌入式應(yīng)用看存儲器的技術(shù)發(fā)展趨勢
- 針對嵌入式應(yīng)用 看市面存儲器的技術(shù)發(fā)展趨勢 存儲器是整個嵌入式系統(tǒng)中最重要的一個媒體，不但肩負有指令緩沖的責(zé)任，也同時兼具儲存、管理、甚至是加速等作用，依照存儲器種類的區(qū)分，利用不同的設(shè)計與實作方式，來決定其不同的使用目的?！≡诩铀儋Y料處理方面，從大家耳熟能詳?shù)腟RAM、1T-SRAM到PSRAM、eDRAM等，分別都使用了不同的技術(shù)來達到符合特定應(yīng)用的目的，而為了SoC/SiP的儲存需求，內(nèi)嵌快閃存儲器也成了降低設(shè)計成本、降低體積的絕妙方式?！隼?/li>
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Ramtron推出汽車級16Kb SPI接口FRAM器件
- Ramtron推出汽車級16Kb SPI 接口FRAM 器件FM25C160 滿足汽車電子AEC-Q100標準認證 此款產(chǎn)品豐富了適用于嚴苛汽車環(huán)境的汽車級產(chǎn)品陣容 Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標準認證 (汽車電子設(shè)備委員會針對集成電路而設(shè)的測試標準)。FM25C160是第三款達到AEC-Q100標準認證的FRAM器件，
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IBM、旺宏和奇夢達共同推出新型存儲芯片技術(shù)
- 尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠遠快于閃存 來自IBM、旺宏和奇夢達的科學(xué)家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計算機存儲器技術(shù)將有望取代已被廣泛用于計算機和消費類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。 新研究成果預(yù)示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲器以及功能更強大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術(shù)還為面向移
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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