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          芯片制作工藝需追趕世界潮流 加倍努力

          •   隨著科技的發(fā)展,在半導(dǎo)體設(shè)計制造方面,各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝,提高市場競爭力。   2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設(shè)計業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設(shè)計業(yè)2012年會暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上,富士通半導(dǎo)體又一次帶來驚喜,率先將已經(jīng)量產(chǎn)的成熟28nm先進(jìn)工藝和設(shè)計服務(wù)帶給中國高端SoC設(shè)計業(yè)者。   “55nm創(chuàng)新工藝制
          • 關(guān)鍵字: 富士通  IC  28nm  

          SuVolta發(fā)布DDC技術(shù)的電路級性能與功耗優(yōu)勢

          • 致力于開發(fā)低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta日前發(fā)布了一項旨在展示其DDC(深度耗盡通道,Deeply Depleted Channel?)技術(shù)在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用SuVoltaPowerShrink?低功耗CMOS平臺設(shè)計、并由富士通半導(dǎo)體有限公司的65納米低功耗工藝制造的模擬及數(shù)字電路。
          • 關(guān)鍵字: SuVolta  富士通  半導(dǎo)體  DDC  

          富士通率先在中國引入28nm SoC設(shè)計服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)

          • 2012年初,富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設(shè)計業(yè)的震動。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  IC設(shè)計  SoC  

          富士通推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  FRAM  存儲器  

          富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

          •   上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
          • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器件  GaN  

          富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

          •   富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化,從而可以通過硅晶圓直徑的增加,來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo),富
          • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器件  硅基板  

          富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  功率器  GaN  

          富士通半導(dǎo)體推出32位微控制器系列產(chǎn)品

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出其新的基于ARM? Cortex?-M4處理器內(nèi)核的FM4系列32位通用RISC微控制器,以及新的采用Cortex-M0+內(nèi)核的FM0+系列。富士通計劃在2013年提供這些新微控制器產(chǎn)品的批量樣片,在年內(nèi)晚些時候這些產(chǎn)品將全部投產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  ARM  微控制器  

          富士通“180度全直流變頻空調(diào)方案”獲年度最佳綠色節(jié)能方案

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,其基于富士通FM3的電機(jī)控制新技術(shù)---180度全直流變頻空調(diào)方案獲得了2012年電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎之“年度最佳綠色節(jié)能方案獎”。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  直流變頻空調(diào)  

          富士通提出“軟硬一體”平臺化解決方案

          • 不久前,豐田公司高調(diào)宣布放棄純電動汽車計劃,這一消息在業(yè)內(nèi)激起不小的“浪花”,加上深圳5.26交通事故電動出租車的起火事件,似乎都為新能源汽車的發(fā)展?jié)娏死渌?,有不少人甚至開始質(zhì)疑新能源汽車的前景。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  汽車電子  CAN  

          富士通提出“軟硬一體”平臺化解決方案,應(yīng)對汽車

          • 不久前,豐田公司高調(diào)宣布放棄純電動汽車計劃,這一消息在業(yè)內(nèi)激起不小的“浪花”,加上深圳5.26交通事故電動出租車的起火事件,似乎都為新能源汽車的發(fā)展?jié)娏死渌?,有不少人甚至開始質(zhì)疑新能源汽車的前景
          • 關(guān)鍵字: 富士通  方案  電子設(shè)計      

          富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸,從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項研究成果驗(yàn)證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后,短距離電信號傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  CMOS  ADC/DAC  

          富士通推出一款可支持10種接口橋接芯片

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,新推出接口橋接芯片“MB86E631”,該芯片內(nèi)部集成了一個雙核ARM? Cortex?-A9處理器與許多不同接口于一體。新產(chǎn)品樣品將從2012年12月晚些時候可以提供。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  芯片  MB86E631  

          富士通半導(dǎo)體各種變頻控制方案詳解

          • 富士通半導(dǎo)體各種變頻控制方案詳解,說到變頻電機(jī)控制,就不得不說說富士通半導(dǎo)體的技術(shù)和產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體開發(fā)的變頻方案采用了各種先進(jìn)技術(shù)和算法,匹配過20多款壓縮機(jī),具有可現(xiàn)場系統(tǒng)整合調(diào)試、功能驗(yàn)證和性能優(yōu)化的優(yōu)勢,適用于各種變頻控制應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 方案  詳解  控制  變頻  半導(dǎo)體  各種  富士通  

          富士通推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

          • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止,富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的FRAM產(chǎn)品,為當(dāng)今對元器件電壓范圍要求高的領(lǐng)域提供了設(shè)計的方便。
          • 關(guān)鍵字: 富士通  FRAM  MB85RC256V  
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          富士通介紹

          富士通 富士通株式會社(Fujitsū Kabushiki-gaisha)是一家日本公司,專門制作半導(dǎo)體、電腦(超級電腦、個人電腦、服務(wù)器)、通訊裝置及服務(wù),總部位于東京。1935年“富士通信機(jī)制造”成立,1954年,富士通研制出日本第一臺電腦FACOM 100,1967年,公司的名字正式改為縮寫Fujitsū(富士通)。今天,富士通雇用了大約158,000名員工以及在其子公司中雇用了500名員 [ 查看詳細(xì) ]

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