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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 損耗

          一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算,圖文結(jié)合+計(jì)算公式步驟

          • 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算。與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測(cè)量功率計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: IGBT  損耗  溫升  

          PCB哪些因素影響損耗

          • 我們經(jīng)常討論P(yáng)CB中損耗大小的問(wèn)題。有的工程師就會(huì)問(wèn),哪些因?yàn)闀?huì)影響損耗的大小呢?其實(shí),最常見(jiàn)的答案通常會(huì)說(shuō)PCB材料的損耗因子、PCB傳輸線的長(zhǎng)度、銅箔粗糙度,其實(shí)答案肯定遠(yuǎn)不至于此。下面我們分別就相應(yīng)參數(shù)做一些實(shí)驗(yàn)給大家介紹下PCB板中哪些因素對(duì)傳輸線損耗有影響。首先看看介質(zhì)損耗因子Df對(duì)損耗的影響,以Df為變量,分析Df的變化對(duì)損耗的影響,下圖是分析的原理圖:仿真對(duì)比結(jié)果如下,顯然,隨著PCB介質(zhì)損耗因子的變大,損耗越來(lái)越大:長(zhǎng)度也是損耗的主要因素之一,把傳輸線長(zhǎng)度設(shè)定為L(zhǎng)en變量,分析Len的變化
          • 關(guān)鍵字: PCB  損耗  仿真  

          高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡

          • 高速總線升級(jí)迭代的矛盾在于,消費(fèi)者對(duì)性能的需求驅(qū)動(dòng)著信號(hào)速率成倍的增長(zhǎng),消費(fèi)者對(duì)便捷性的需求使得傳輸線無(wú)法縮短,消費(fèi)者對(duì)低成本的追求要求PCB板材和傳輸線不能太貴,這就導(dǎo)致ISI抖動(dòng)變得越來(lái)越嚴(yán)重。均衡(Equalization)就是為了應(yīng)對(duì)ISI抖動(dòng),而被廣泛應(yīng)用的黑科技。既然ISI抖動(dòng)的根源,是傳輸鏈路對(duì)不同頻率信號(hào)損耗的差異,均衡就是要想辦法補(bǔ)償?shù)暨@個(gè)差異,讓不同頻率信號(hào)的幅度都能保持均勻。根據(jù)均衡技術(shù)所使用的位置,一般分為發(fā)送端均衡(Tx EQ)和接收端均衡(Rx EQ)。發(fā)送端均衡一般采用前向均
          • 關(guān)鍵字: 傳輸鏈路  損耗  均衡  泰克  

          圖騰柱 PFC 級(jí)受益于CoolSiC? MOSFET

          • 無(wú)橋式圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC) 級(jí)可用于滿足嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn),但使用硅 MOSFET 時(shí)出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的,而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅(SiC)器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進(jìn)的 SiC器件性能參數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復(fù)  電荷  效率  損耗  輸出電容  

          新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

          • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:
          • 關(guān)鍵字: IGBT  軟開(kāi)關(guān)  損耗  

          一種降低肖特基PIN限幅器損耗的方法

          •   介紹   無(wú)線通信接收器前端可能會(huì)因同步或異步信號(hào)傳輸形成過(guò)載[1],在時(shí)域雙工系統(tǒng)中,交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會(huì)造成前者,后者則由兩個(gè)未相關(guān)系統(tǒng)天線間造成的非故意耦合產(chǎn)生,在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中,另一個(gè)造成過(guò)載的原因?yàn)榘l(fā)出刺激脈沖后探針線圈上儲(chǔ)存能量所帶來(lái)的振鈴信號(hào)[2],縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能,但卻會(huì)犧牲過(guò)載的承受能力,例如采用0.25μ
          • 關(guān)鍵字: 肖特基  PIN  損耗  

          80GHz頻段E-Band微波應(yīng)用介紹

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: E-Band  微波  ETSI  FCC  損耗  

          基于手機(jī)功耗的能量節(jié)省難點(diǎn)挑戰(zhàn)及損耗要素分析

          • 為了保證設(shè)備的運(yùn)行速率以及低功耗要求,必須優(yōu)化設(shè)備性能。為了提高電他壽命,在系統(tǒng)級(jí)、芯片級(jí)以及晶體管級(jí)...
          • 關(guān)鍵字: 手機(jī)功耗  損耗  

          看版主講解電源效率的磁性元件損耗

          • 電源中的磁性元件一般就是指電感與變壓器,這里我們這種討論初次級(jí)隔離的變壓器,因?yàn)檫@種變壓器在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)...
          • 關(guān)鍵字: 電源效率  磁性元件  損耗  

          無(wú)電解電容LED驅(qū)動(dòng)電路

          • 針對(duì)現(xiàn)有LED驅(qū)動(dòng)電路存在電解電容限制壽命的不足,提出了一種無(wú)電解電容的LED驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方法。該方法采用Panasonic松下MIP553內(nèi)置PFC可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路的芯片,與外部非隔離底邊斬波電路合成作為基本的電路結(jié)構(gòu),輸出穩(wěn)定的電流用以滿足LED工作的需要。同時(shí)設(shè)計(jì)保護(hù)電路來(lái)保護(hù)負(fù)載。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,控制器芯片能穩(wěn)定工作,并且可以實(shí)現(xiàn)27 V的恒壓輸出和350 mA的恒流輸出。
          • 關(guān)鍵字: 電解電容  驅(qū)動(dòng)電路  恒流  損耗  保護(hù)電路  

          基于MOSFET設(shè)計(jì)優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路

          • 摘要:在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上,討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能,提高設(shè)計(jì)的可靠性。
            關(guān)鍵詞:MOSFET;急聚點(diǎn);損耗

            功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開(kāi)關(guān)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  急聚點(diǎn)  損耗  

          損耗/功率因數(shù)測(cè)試鮮為人知的事實(shí)

          • 隨著變電站電氣設(shè)備故障率的不斷上升,供電公司和重工業(yè)必須著手進(jìn)行預(yù)防和預(yù)測(cè)性維護(hù),確保電力系統(tǒng)的完整性和可靠性。電氣絕緣問(wèn)題是電氣設(shè)備故障的一個(gè)常見(jiàn)原因,而介質(zhì)損耗/功率損耗/功率因數(shù)(PF)測(cè)試則經(jīng)常用于
          • 關(guān)鍵字: 損耗  功率因數(shù)  測(cè)試    

          最大化規(guī)避散熱系統(tǒng)能量損耗

          • LED燈中的LED芯片是熱流密度很大的電子元件,它們?cè)谶\(yùn)行過(guò)程中,由于其靜態(tài)與動(dòng)態(tài)的損耗,產(chǎn)生大量的多余熱量,通過(guò)散熱系統(tǒng)發(fā)散到外部,維持其工作溫度的穩(wěn)定。目前LED的發(fā)光效率還是比較低,從而引起結(jié)溫升高,壽命
          • 關(guān)鍵字: 散熱系統(tǒng)  能量  損耗    

          創(chuàng)新的低待機(jī)損耗解決方案應(yīng)用于反激式轉(zhuǎn)換器

          • 節(jié)能技術(shù)在當(dāng)今電子行業(yè)中,已成為一個(gè)熱點(diǎn),其中最受關(guān)注的是待機(jī)功耗。相當(dāng)一部分產(chǎn)品有一定比例的時(shí)間處于輕載或待機(jī)(空載)工作模式,而“能源之星”等規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)在致力于提升電子設(shè)備所用電源適配器工作
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  轉(zhuǎn)換器  解決方案  損耗  待機(jī)  創(chuàng)新  

          光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)

          • 目前為止,我們認(rèn)為折射率是實(shí)數(shù),但是一般情況下,它是一個(gè)復(fù)數(shù)。復(fù)折射率定義為    因此,有一項(xiàng)為exp(-kON1z),這一項(xiàng)經(jīng)常被寫(xiě)為exp(-a),a稱(chēng)為損耗系數(shù), 之所以包含在里面,是因?yàn)閍通常為強(qiáng)度損耗系數(shù),因此我
          • 關(guān)鍵字: 系數(shù)  損耗  折射  波導(dǎo)  
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          損耗介紹

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