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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 損耗

          電子輻照對(duì)開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

          • 中心議題: 開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的損耗 開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的電子輻照實(shí)驗(yàn) 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
            功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一, 采用10M eV電子輻照
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  損耗  影響  雙極  功率  輻照  開關(guān)電源  電子  

          光纖應(yīng)用中的損耗及解決方案

          • 1、接續(xù)損耗及其解決方案1.1接續(xù)損耗光纖的接續(xù)損耗主要包括:光纖本征因素造成的固有損耗和非...
          • 關(guān)鍵字: 光纖  損耗  解決方案  

          如何為電源選擇最佳的工作頻率

          • 為您的電源選擇最佳的工作頻率是一個(gè)復(fù)雜的權(quán)衡過程,其中包括尺寸、效率以及成本。通常來說,低頻率設(shè)計(jì)往...
          • 關(guān)鍵字: 電源  工作頻率  損耗    

          低導(dǎo)通損耗的USB電源開關(guān)的設(shè)計(jì)

          • 本文設(shè)計(jì)了一種低導(dǎo)通損耗的USB 電源開關(guān)電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓, 以降低USB 開關(guān)的導(dǎo)通損耗。在過載情況下, 過流保護(hù)電路能將輸出電流限制在0. 3 A?! ? 引言:  通用串行總
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  開關(guān)  電源  USB  損耗  

          求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

          • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)??梢詼y量出這些特征參數(shù),...
          • 關(guān)鍵字: 熱源功率  損耗  MOSFET  

          一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

          • 一 引言  DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)??梢詼y量出這些特征參數(shù),并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá):  效率 = 輸出功率 / 輸入功率 (1)  功率損耗 = 輸入功率-輸出功率
          • 關(guān)鍵字: 方法  損耗  功率  每個(gè)  求解  

          Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
            嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  文件  嵌入式  損耗  均衡  Flash  

          10KVA變壓器損耗的計(jì)算公式及方法

          • 負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)越高,為達(dá)到損耗電能越小,要選用損耗比越小的變壓器;負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)越低,為達(dá)到損耗電能越小,要選用損耗比越大的變壓器。將負(fù)載曲線的平均負(fù)載系數(shù)乘以一個(gè)大于1的倍數(shù),通??扇?/li>
          • 關(guān)鍵字: 公式  方法  計(jì)算  損耗  變壓器  10KVA  

          天線基本知識(shí)及應(yīng)用―鏈路及空間無線傳播損耗計(jì)算

          • 1 鏈路預(yù)算 上行和下行鏈路都有自己的發(fā)射功率損耗和路徑衰落。在蜂窩通信中,為了確定有效覆蓋范圍,必須確定最大路徑衰落、或其他限制因數(shù)。在上行鏈路,從移動(dòng)臺(tái)到基站的限制因數(shù)是基站的接受靈敏度。對(duì)下行鏈路來
          • 關(guān)鍵字: 傳播  損耗  計(jì)算  無線  空間  基本知識(shí)  應(yīng)用  鏈路  天線  

          EMI電源濾波器的插入損耗分析

          • 摘要:在一般EMI濾波器的共模和差模等效電路的基礎(chǔ)上,分析了源阻抗和負(fù)載阻抗對(duì)濾波器插入損耗的影響。提出了共模插入損耗和差模插入損耗的計(jì)算方法,推導(dǎo)了濾波器插入損耗與阻抗關(guān)系的表達(dá)式,并且對(duì)這一關(guān)系作了仿
          • 關(guān)鍵字: 損耗  分析  插入  濾波器  電源  EMI  

          利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗

          在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗

          • 摘要:升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率,設(shè)計(jì)者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中,利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言  在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,效率是一個(gè)關(guān)鍵性的參
          • 關(guān)鍵字: 減少  開關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

          采用新型IGBT優(yōu)化軟開關(guān)應(yīng)用中的損耗

          • IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終止”概念(也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外,帶有單片二極
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  損耗  開關(guān)  優(yōu)化  新型  IGBT  采用  

          變壓器中磁性元件的損耗問題詳解

          •   今天我們來討論下電源電路中磁性元件的損耗?! ‰娫粗械拇判栽话憔褪侵鸽姼信c變壓器,這里我們這種討論初次級(jí)隔離的變壓器,因?yàn)檫@種變壓器在開關(guān)電源中應(yīng)用最為廣泛。  變壓器的作用大致是提供初次級(jí)的
          • 關(guān)鍵字: 問題  詳解  損耗  元件  磁性  變壓器  
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