晶體管 文章 進入晶體管技術(shù)社區(qū)
后摩爾定律時代誰來主導(dǎo)芯片產(chǎn)業(yè)
- 在摩爾定律引領(lǐng)下的集成電路生產(chǎn)正在逼近物理定律的極限，芯片產(chǎn)業(yè)迫切需要替代技術(shù)。目前尚處于研發(fā)狀態(tài)中的各種新的芯片生產(chǎn)技術(shù)—分子計算、生物計算、量子計算、石墨烯等技術(shù)中，誰將最終勝出? 1965年，芯片產(chǎn)業(yè)的先驅(qū)戈登-摩爾(GordonMoore)發(fā)布了著名的摩爾定律：集成電路芯片的復(fù)雜程度每過兩年就會增加一倍。此后的幾十年來，在這一定律的指引下，芯片制造工藝的進步讓芯片的晶體管尺寸得以不斷縮小，從而使電氣信號傳輸?shù)木嚯x更短，處理速度也更快。 對電子行業(yè)和消費者來說，摩爾定律意
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。 這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準，使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
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Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動放大器使用，這些面向移動通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機頂盒等各種其他無線通信應(yīng)
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愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
- 愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項發(fā)明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復(fù)雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個原子的直徑加起來那么大。 該研發(fā)團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點，而且還可以兼容于CMOS工藝。 硅溝道中的電
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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
- CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的
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法國研究人員開發(fā)出新型智能晶體管
- 法國研究人員最新開發(fā)出一種新型智能晶體管，它能夠模仿神經(jīng)系統(tǒng)的運行模式，對圖像進行識別，幫助電腦完成更加復(fù)雜的任務(wù)。 法國國家科研中心和法國原子能委員會的研究人員在最新一期《先進功能材料》雜志上介紹說，普通晶體管功能單一，無法完成圖像識別和處理等復(fù)雜任務(wù)。 他們此次開發(fā)的這種名為Nomfet的新型晶體管中，含有一種納米微粒，它能像人腦的神經(jīng)系統(tǒng)一樣靈活調(diào)整電子信號。 參與研究的多米尼克·維堯姆介紹說，在信息處理的過程中，Nomfet還可以與周邊晶體管互通有無，更好地對不
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美韓科學(xué)家制成世界上首個分子晶體管
- 美國耶魯大學(xué)23日發(fā)表新聞公報稱，該校及韓國光州科學(xué)技術(shù)研究院科學(xué)家最近合作制成世界上首個分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個苯分子。 研究人員說，苯分子在附著到黃金觸點上后，就可以發(fā)揮硅晶體管一樣的作用。研究人員能夠利用通過觸點施加在苯分子上的電壓，操縱苯分子的不同能態(tài)，進而控制流經(jīng)該分子的電流。 負責(zé)這項研究的耶魯大學(xué)工程和應(yīng)用科學(xué)系教授馬克·里德說：“這就像推一個球滾過山頂，球就代表電流，而山的高度則代表苯分子的不同能態(tài)。我們能夠調(diào)整山的高度，山低時允許電
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Intel化合物半導(dǎo)體研究取得里程碑式突破
- Intel近日宣布在化合物半導(dǎo)體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度，消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現(xiàn)在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導(dǎo)體材料，比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前，此類晶體管使用的是沒有柵極介質(zhì)的肖特基柵極(Schottky gate)，柵極漏電現(xiàn)象非常嚴重。 Intel現(xiàn)在為這種所謂的量子阱場效應(yīng)晶體管(QWFET)加入了一個高K柵極介質(zhì)，并且已經(jīng)在硅晶圓基片上制造了一個原型設(shè)備，證明新技術(shù)可以和現(xiàn)有硅制造工藝相結(jié)
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CISSOID 推出了新系列高溫小信號晶體管
- 高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 推出了新產(chǎn)品的行星家族高溫晶體管和開關(guān)。汞是一種高溫 80V 的小信號 N 溝道 MOSFET 晶體管，其保証的工作溫度範圍為攝氏負 55 度至 225 度。憑藉其極端溫度的魯棒性，其輸入電容僅為 32pF，在225度其柵極洩漏限于 5.6μA，這 80V 的晶體管非常適合用于高溫度傳感器接口，如壓電式傳感器或執(zhí)行一個保護放大器。 在225度這種邏輯級 MOSFET 可匯到 230mA，也可用于切換中或高電阻，例如：轉(zhuǎn)換 3.3V/5V的邏輯信號
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英特爾CEO保羅歐德寧：摩爾定律將繼續(xù)有效
- 剛剛結(jié)束訪華的英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅·歐德寧在北京表示，摩爾定律將繼續(xù)有效，英特爾將遵循摩爾定律，繼續(xù)推動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 針對有人認為“沒有必要去不斷追求更強大的性能，產(chǎn)品功能夠用就好，摩爾定律已經(jīng)不再重要了”，歐德寧表示：“摩爾定律將繼續(xù)有效。摩爾定律不僅僅是指推動性能提升，實際上指的是晶體管密度。更高的晶體管密度可以提高性能或集成度。對于智能手機或小型電子產(chǎn)品，我們提供片上系統(tǒng)(SoC)，把多個芯片集成到一個芯片上，這將給消費者帶來諸多好處
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韓國開發(fā)全新晶體管 電腦有望不需啟動過程
- (首爾法新電)韓國科學(xué)家成功開發(fā)出一種全新的晶體管，其反應(yīng)速度和能源效率比現(xiàn)有晶體管更快更好，令不需啟動過程的電腦有望實現(xiàn)。韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)說，這種晶體管除了像現(xiàn)有晶體管般運用電流開關(guān)，也運用電子的順時逆時旋轉(zhuǎn)方向，來處理信息。 這種運用電子旋轉(zhuǎn)方向來處理信息的半導(dǎo)體稱為“自旋場效應(yīng)晶體管”(spin-injected field effect transistors)，其概念于1990年代首次出現(xiàn)，被認為是可以取代傳統(tǒng)氧化物晶體管的下一代半導(dǎo)體。 其
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]
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