晶體管 文章 進入晶體管技術(shù)社區(qū)
摩爾定律十年后失效 業(yè)界爭議甚囂塵上
- 今年12月16日是晶體管誕生60周年紀念日，但是摩爾定律的發(fā)現(xiàn)者，英特爾公司聯(lián)合創(chuàng)始人戈登▪摩爾卻在接受美聯(lián)社采訪時說，摩爾定律還只能延續(xù)十年，此后在技術(shù)上將會變得十分困難，在他看來，晶體管體積繼續(xù)縮小的物理極限即將達到。美聯(lián)社評論稱，由此，曾經(jīng)驅(qū)動了數(shù)字技術(shù)革命--甚至是現(xiàn)代經(jīng)濟--的半導體技術(shù)引擎將"剎車"停車。 "摩爾定律"可以簡述為：每18個月，同一面積芯片上可以集成的晶體管數(shù)量將翻一番，而價格下降一半。問世40多年來，摩爾定律對推動整個半導體行業(yè)發(fā)展，驅(qū)動數(shù)字革命和加速信息
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FPGA加速滲透非傳統(tǒng)應用領域
- 自從1985年首款FPGA器件誕生以來，F(xiàn)PGA產(chǎn)業(yè)一方面修煉內(nèi)功——從技術(shù)上來說，工藝從2μm發(fā)展到65nm，晶體管數(shù)量從8.5萬個增長到10億個以上;另一方面向外擴張——應用領域從最初的通信業(yè)不斷向消費電子、汽車、工業(yè)控制等滲透，同時在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產(chǎn)業(yè)的領導廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰(zhàn)，在其周圍，F(xiàn)PGA開發(fā)和應用的生態(tài)系統(tǒng)已然初步形成，大大促進了FPGA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 “非傳統(tǒng)”應用領域
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CEO如是說：對于可持續(xù)發(fā)展，電子行業(yè)做得太少
- Applied CEO Mike Splinter指出，在生態(tài)可持續(xù)發(fā)展方面，電子行業(yè)做的還太少，在半導體制造業(yè)必須開始朝一個目標努力。Splinter指出，半導體行業(yè)持續(xù)地關(guān)注電子產(chǎn)品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說，未來的芯片架構(gòu)必須關(guān)注功率優(yōu)化。Splinter補充說，隨著消費電子中半導體產(chǎn)品的使用，芯片在可持續(xù)發(fā)展上扮演著重要的角色。 在和印度半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(India Semiconductor Association)的一位成員交談時，Splinter說尤其在少數(shù)半導體制造
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使用雙極晶體管進行鋰離子電池充電
- 序言隨著便攜式手持設備(如手機、PDA等)的功能不斷增加，加上對較小體積與更長電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術(shù)與相關(guān)的離散調(diào)節(jié)元件，并重點討論主要離散參數(shù)與選擇標準。 鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個鋰離子電池的典型充電周期。預充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類及不同的生產(chǎn)商。而
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應用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)
- 近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應用材料公司的Carina技術(shù)具有獨一無二的表現(xiàn)，它能達到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產(chǎn)品殘留物。 應用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務
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飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管
- 飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。 這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優(yōu)勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
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安森美擴展低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管產(chǎn)品
- 電源管理半導體解決方案供應商安森美半導體(ONSemiconductor)推出采用先進硅技術(shù)的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領先的低Vce(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)產(chǎn)品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應用。
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恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管
- 恩智浦半導體（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機）的發(fā)熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業(yè)及汽車領域。 華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項重要性能，也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]
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