晶體管 文章 進入晶體管技術(shù)社區(qū)
摩爾定律預言晶體管將在2021年停止縮減 準不準?
- 本月早些時候公布的2015年半導體國際技術(shù)路線圖顯示，經(jīng)過50多年的小型化，晶體管可能將在短短五年間停止縮減。該報告的預測，到2021年之后，繼續(xù)縮微處理器當中小晶體管的尺寸，對公司來說不再經(jīng)濟。相反，芯片制造商將使用其它手段提升晶體管密度，即從水平專到垂直，建立多層電路。 一些人認為，這一變化將有可能被解釋為摩爾定律死亡的另外一種方式。雪上加霜的是，這是最后一份ITRS路線圖。目前，半導體行業(yè)協(xié)會和半導體研究公司已經(jīng)分道揚鑣，就摩爾定律死亡之后，尋找和制定新的半導體發(fā)展路線圖。預計其他ITRS
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一款驅(qū)動壓電管的高壓放大器
- 文章主要介紹能驅(qū)動壓電管的高壓放大器，感性趣的朋友可以看看?！ ≡趻呙杷淼里@微鏡中驅(qū)動操作裝置的壓電管狀定位器需要使用高壓低電流驅(qū)動電路。圖1所示電路具有6 kHz的-3dB帶寬，可驅(qū)動高阻低電容的壓電負載。該電路成本低，可代替商用驅(qū)動器。晶體管Q3和Q4構(gòu)成了一個電流反射鏡，R3設定Q4的集電極電流。該集電極電流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式確定。運算放大器IC1為Q5提供基極驅(qū)動，Q5又驅(qū)動Q6。當IC1輸入端無信號時，Q6和Q3的集電極電流平衡，
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從晶體管特性曲線看飽和問題
- 我前面說過：談論飽和不能不提負載電阻。現(xiàn)在再作詳細一點的解釋。 借用楊真人提供的那幅某晶體管的輸出特性曲線。由于原來的Vce僅畫到2.0V為止，為了說明方便，我向右延伸到了4.0V。 如果電源電壓為V，負載電阻為R，那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束： Ic = (V-Vce)/R 在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關(guān)系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說的“Ic(max)是指在假定e、c極短路
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一個小型晶體管開關(guān)電路的無聊分析
- Q3是一個PNP型開關(guān)，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另另一NPN型開關(guān)，與本文無關(guān)。 實驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導通情況的影響。電路的設計需求是Q3導通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導通而VCE較大時，Q4也隨之導通。這種情況在Q3負載電容R29固定時，往往是由R27取特定范圍值導致的。在PSpice中做個DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實不用完全關(guān)斷Q4就導通了，而且R29的電流不會降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導通，此時Q3對R29分壓
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斯坦福學者發(fā)現(xiàn)集成光路核心單元
- Lightwave報道，斯坦福大學的研究者最近在美國光學學會OSA的Optica雜志撰文稱找到一種利用基于MZ干涉儀的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)來構(gòu)建多種光網(wǎng)絡用光器件的辦法。 斯坦福大學電子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光學技術(shù)”中指出，最近，學者們開始發(fā)現(xiàn)干涉儀可以用來構(gòu)建幾乎任何可以想到的光學器件。對干涉儀網(wǎng)的研究可以開啟未來利用光學器件代替現(xiàn)在的電子器件來進行線性工作的大門。 ? 根據(jù)Miller博士的描述，
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杜克大學研究者開發(fā)超快速LED 1秒鐘內(nèi)開合900億次
- 根據(jù)國外媒體報道，有研究者最近研發(fā)出了一種可在1秒鐘內(nèi)開合900億次的LED發(fā)光設備，可作為光計算技術(shù)的應用基礎(chǔ)。 目前，智能手機的電池內(nèi)部擁有多達數(shù)十億的晶體管，它們使用了可在每秒開合數(shù)十億次的電子來進行供電。但如果微芯片可以使用光子而非電子來處理和傳輸數(shù)據(jù)，計算機的運行速度就能得到大幅提升。不過首先，研究者們需要開發(fā)出能夠快速開合的光源。 雖然激光可以滿足這種要求，但它們存在能耗過高和發(fā)射裝置體積過大的問題，因此并不適合在計算機內(nèi)部工作。而現(xiàn)在，杜克大學所開發(fā)出的這種快速發(fā)光設備讓研究
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晶體管原理
- 導讀：本文主要講述的是晶體管的原理，感興趣的童鞋們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~ 1.晶體管原理--簡介 晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，開關(guān)速度可以非常之快。嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。 2.晶體管原理--結(jié)構(gòu) 晶體管
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晶體管工作原理
- 導讀：晶體管，只是對所有以半導體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱，那么問題來了，晶體管工作原理是什么呢?接下來就讓我們以雙極性晶體管和場效應晶體管為例來詳細了解一下吧～ 一、晶體管工作原理- -簡介 晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，如二極管、三極管、場效應管等等。晶體管具有整流、檢波、放大、穩(wěn)壓、開關(guān)等多種功能，具有響應速度快、精度高等特點，是規(guī)范化操作手機、平板等現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建模塊，目前已有著廣泛的應用。 二、晶體管工作原理- -分類
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實現(xiàn)專業(yè)高音質(zhì)及96%功率效率，宜普公司的演示板采用氮化鎵場效應晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展。在這個基于氮化鎵場效應電晶體的系統(tǒng)中，我們把所有會影響D類音頻系統(tǒng)的音質(zhì)的元素減至最少或完全去除。 根據(jù)Intersil公司的D2 Audio的共同創(chuàng)辦人兼前任CTO Skip Taylor博士所說：「eGaN FET的功率級準確地以高功率復制D類脈寬調(diào)制(PWM)信號并具有超高線
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]
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