傳聞稱聯(lián)發(fā)科今年發(fā)布10核、12核芯片，業(yè)內(nèi)人士戲稱聯(lián)發(fā)科做的不是手機芯片，而是“核彈”。聯(lián)發(fā)科是手機核戰(zhàn)的“始作俑者”，手機各界對其態(tài)度褒貶不一。此次，聯(lián)發(fā)科如果率先推出10核甚至12核芯片，想必會再度站到風口浪尖。聯(lián)發(fā)科的核戰(zhàn)策略，雖然能有效地提升其品牌形象和地位，但對整個手機行業(yè)和市場卻帶來了不良的競爭環(huán)境。
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聯(lián)發(fā)科 晶體管
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產(chǎn)品的電路板面積僅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的電氣性能。這些器件的離板高度只有0.4mm，非常適合智能手表、健康和健身設備等可穿戴產(chǎn)品，以及智能手機與平板電腦等受空間限制的消費性產(chǎn)品。
Diodes公司首批DF
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Diodes 晶體管
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)自主研發(fā)的“跑道形NLDMOS晶體管及其制作方法”專利技術，近日榮獲2014年第七屆無錫市專利金獎。該項專利填補了國內(nèi)空白，開創(chuàng)了國內(nèi)首個可應用于單片智能開關電源集成電路工藝技術，達到國際領先水平。目前，該項專利已應用于華潤上華晶圓生產(chǎn)線，累計產(chǎn)出已達24萬片，大幅提升了企業(yè)營收能力，兩年內(nèi)為華潤上華新增直接銷售額3.8億元，新增利潤4500萬元。
該項專利提供一種提高跑道形NLDMOS晶
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華潤微電子 NLDMOS 晶體管
斯坦福大學工程師開發(fā)出的四層“多層芯片”原型。底層和頂層是邏輯晶體管，中間是兩層存儲芯片層。垂直的管子是納米級的電子“電梯”，連接邏輯層和存儲層，讓它們能一起工作解決問題。
左邊是目前的單層電路卡，邏輯與存儲芯片分隔在不同區(qū)，通過電線連接。就像城市街道，由于數(shù)據(jù)在邏輯區(qū)和存儲區(qū)來來回回地傳輸，常會產(chǎn)生擁堵。右邊是多層的邏輯芯片和存儲芯片，形成一種“摩天大樓”式的芯片，數(shù)據(jù)通過納米“電梯”實現(xiàn)立體傳輸，
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3D封裝 晶體管
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內(nèi)有10,000余顆意法半導體研制的高可靠性抗輻射芯片。
在歷經(jīng)10多年，長達60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號彗星探測器終于抵達并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面圖片及分析彗星的組
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意法半導體 晶體管
每當有新的處理器發(fā)布時，制造商都要站出來強調(diào)，他們的設備搭載的是更小納米制程工藝芯片，因此他們最新設備相比前一代更強大、更節(jié)能。
不過，這種說法有些“反直覺”：處理器確實變小了，但是它們卻變得更強大，難道能耗還能降低?我們可能習慣性認為，尺寸更大，意味著更強勁，更強勁自然就需要更多的能耗。這種想法是否準確呢?你可能還不知道不同納米工藝具體意味著什么，以及它們對你智能手機運行游戲或者電池續(xù)航時間有何影響。
為了弄清楚這些問題，首先，就讓我們解釋一下處理器制程工藝概念吧
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微處理器 晶體管
致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)祝賀歐洲太空總署(ESA)、美國國家航空航天局(NASA)和其合作伙伴的羅塞塔號(Rosetta)探測器成功實現(xiàn)了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標。
超過15,000個美高森美高可靠性創(chuàng)新太空產(chǎn)品，比如跨越多項技術的FPGA、二極管、晶體管和集成電路用于這個長達10年、跨越40億英里的關鍵任務應用中，并且繼續(xù)支持該任務進行多種研究項目
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美高森美 FPGA 晶體管
為降低研發(fā)、制造等方面的成本，同時快速提高技術積累，以期提高在市場上的競爭力，最終提高企業(yè)的利潤，選擇并購，對于很多半導體企業(yè)來說都是明智而有效的舉措，半導體業(yè)界的并購將在未來幾年繼續(xù)保持當前的趨勢。
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半導體 芯片 晶體管
Jack Kilby成功發(fā)明的首個集成電路是將一只晶體管、數(shù)個電阻器和一個電容器嵌置在一片不到半英尺長的鍺片上制成的。無論用哪種標準衡量，這種裝置都只能用粗糙來形容，但示波器屏幕卻顯示這塊集成電路確實能夠運作。
Jack Kilby時常調(diào)侃說，如果他知道自己發(fā)明的首個可實際使用的集成電路在接下來的40年一直被人們所運用，他一定會“把它設計得美一點”。
一代又一代電氣工程師完成了他的這一愿望，而未來的接班人還將繼續(xù)將他的原始設計變得更加完美。
但是，回到1958
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晶體管 電阻器 集成電路
摘要：
每個TrueNorth芯片都包含54億個晶體管，集成了2560萬個神經(jīng)突觸。在美國國際商用機器公司(IBM)大腦實驗室的一個計算機監(jiān)控器上，一段從斯坦福大學塔樓上錄制的視頻短片展示了汽車、自行車、公交車、卡車和行人構成的穿梭畫面。每一種交通方式進入畫面后，都會呈現(xiàn)出不同的顏色：紫色代表騎行者，綠色代表行人，深藍色代表汽車，天藍色代表卡車，黃色代表公交車。
這是從一種計算模式發(fā)展到另一種模式的質(zhì)變。
這些顏色顯示著一枚郵票大小的計算機芯片作出的判斷，這枚芯片可以對不斷變化的
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神經(jīng)形態(tài)芯片 晶體管
搞LED電源的工程師經(jīng)常提及“恒流”驅(qū)動，其實，在很多電子設備中，有許多用電設備要求供給的電流(而不是電壓)保持恒定。一般把這種能夠向負載提供恒定電流的電源稱為恒流源。所謂恒流，是一種習慣說法，并不是電流值絕對不變，只是這種變化相對的小而已，在一個規(guī)定的工作范圍內(nèi)保持足夠的穩(wěn)定性。
經(jīng)常有人問起，看到LED驅(qū)動電源，不知道是恒壓源還是恒流源類型的。講正題之前，先在這里給大家講一個很實用的區(qū)分小技巧：看到一個LED驅(qū)動電源，先看電源的名牌參數(shù)。看輸出電壓這個關鍵參數(shù)：若它的
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恒流電源 LED 一， 晶體管
石墨烯具備多種優(yōu)異性質(zhì),未來下游應用市場有望達到萬億級別。石墨烯具備眾多優(yōu)異的力學、光學、電學和微觀量子性質(zhì)。它是目前最薄也是最堅硬的納米材料,同時具備透光性好,具備導熱系數(shù)高、電子遷移率高、電阻率低、機械強度高等眾多普通材料不具備的性能,未來有望在電極、電池、晶體管、觸摸屏、太陽能、傳感器、超輕材料、醫(yī)療、海水淡化等眾多領域應用,可以說是未來最有前景的先進材料之一,未來的市場空間有望超過萬億。
石墨烯技術開發(fā)是材料科學領域中熱點前沿,中國技術儲備實力雄厚。目前美國、英國、中國、日本和韓國等
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石墨烯 晶體管
近日綜合媒體報道：我國著名半導體器件物理學家、中國半導體科學奠基人之一、中科院院士王守武先生因病醫(yī)治無效，7月30日在美國逝世，享年95歲。
據(jù)了解，王守武先生曾組織領導并親自參加了我國第一臺單晶爐的設計、第一根鍺單晶的拉制、第一只鍺晶體管的研制和第一根硅單晶的拉制。1980年當選為中科院院士。
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半導體 晶體管
美國阿爾法和歐米伽半導體技術公司是功率半導體器件和功率集成電路的設計商、開發(fā)商及全球供應商。日前，該公司宣布推出6種新型25伏特和30伏特的功率場效應管(AON7760、AON7510、AON7758、AON7764、AON7536、AON7538)，對3×3毫米兩邊扁平無引腳(DFN)封裝低壓系列產(chǎn)品提供新的補充。這些器件用于個人計算、服務器、遠距離通信/數(shù)據(jù)通信等領域的各種直流/直流降壓轉(zhuǎn)換應用。
新型器件采用阿爾法和歐米伽公司專利性的功率槽功率場效應管技術，品質(zhì)因數(shù)極低，適用于
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半導體 晶體管
通過結(jié)合外部功率晶體管，可支持大輸出電流 東京—東芝公司日前宣布推出用于汽車系統(tǒng)應用的5伏恒壓調(diào)節(jié)器“TB9005FNG”。即日起開始提供樣品，并定于2014年12月開始批量生產(chǎn)。 通過結(jié)合外部功率晶體管1，“TB9005FNG”可支持1A或更高的輸出電流，從而可以應用于需要高輸出電流的汽車應用。該集成電路還整合了系統(tǒng)復位功能，當微控制器的電壓下降或者時鐘信號切斷時可以復位，這有助于提升汽車系統(tǒng)的安全性。 應用 使用5伏微控制器的汽車應用 主要特性
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東芝 TB9005FNG 晶體管
晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [
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