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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

          高級教程視頻系列教授如何使用氮化鎵(GaN)功率器件以實現(xiàn)先進的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計

          •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學視頻系列,擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術(shù)的知識庫,為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師提供高級技術(shù)教程,包括應(yīng)用范例,教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設(shè)計出更高效的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。  除了為工程師提供氮化鎵晶體管的設(shè)計基礎(chǔ)及可靠性數(shù)據(jù)外,本視頻系列教授如何把開發(fā)板轉(zhuǎn)化為實用的原型。此外,該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應(yīng)用中的實用范例,包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換,以及關(guān)于采用氮化鎵器件的無線充電應(yīng)用的兩個視頻?! 〉?GaN)高級學習視頻
          • 關(guān)鍵字: 宜普  氮化鎵  

          氮化鎵元件將擴展功率應(yīng)用市場

          •   根據(jù)YoleDeveloppement指出,氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。   Yole估計,2015年GaN在功率半導體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間,這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長,預(yù)計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。   目前銷售Ga
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN  

          氮化鎵:開啟終極半導體商業(yè)化革命

          •   上海PCIM Asia展會現(xiàn)場,氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務(wù)器電源的集成電路板展示:“由于使用氮化鎵晶體管器件,這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是,它在性能、能源效率、系統(tǒng)成本等方面相比當下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。”   被稱為“終極半導體材料”的氮化鎵研究和應(yīng)用是全球半導體研究的前沿和熱點,在光電子器件和微電子器件領(lǐng)域市場前景廣闊。“
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  半導體  

          日本松下將量產(chǎn)新一代半導體:氮化鎵

          •   據(jù)日經(jīng)BP報道,松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體,將于2016年春季在日本國內(nèi)企業(yè)中率先量產(chǎn)。新一代半導體采用氮化鎵(GaN),能將耗電量控制在原來一半左右。據(jù)悉,松下目前已與日本國內(nèi)外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉,新一代半導體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導體業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略產(chǎn)品,松下計劃首先將向服務(wù)器電源裝置等供貨。   氮化鎵被稱為“終極半導體材料”,世界上僅有美國風險企業(yè)涉足。松下將在生產(chǎn)子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor
          • 關(guān)鍵字: 松下  氮化鎵  

          Qorvo:關(guān)于氮化鎵的十個重要事實

          •   從下一代的國防和航天應(yīng)用,到有線電視、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎(chǔ)設(shè)施,Qorvo的GaN(氮化鎵)產(chǎn)品和技術(shù)為您身邊的各種系統(tǒng)提供領(lǐng)先的 性能支持,讓您能夠隨時聯(lián)網(wǎng)并受到保護。這些領(lǐng)先性能包括:高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”,真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關(guān)鍵技術(shù)。   關(guān)于氮化鎵的十個重要事實:   一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高,
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  氮化鎵  

          北美稱半導體市場未來翻倍增長 氮化鎵需求增長

          •   半導體產(chǎn)業(yè)是整個電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)之一,它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料,對整個電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀中葉,單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功,引發(fā)了第三次技術(shù)革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明,促進了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè),使人類進入了信息時代。        半導體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中,用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。   有
          • 關(guān)鍵字: 半導體  氮化鎵  

          安森美半導體與 Transphorm合作提供領(lǐng)先業(yè)界能效的基于氮化鎵(GaN)的電源系統(tǒng)方案

          •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系,共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案,用于工業(yè)、計算機、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。   這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產(chǎn)通過授證的公司,并在這先進技術(shù)有無與倫比的經(jīng)驗。安森美半導體是一家領(lǐng)先的高能效電源方案供應(yīng)商,在系統(tǒng)設(shè)計具備深厚的專知和技術(shù),提供寬廣的陣容產(chǎn)品,從功率分立器件
          • 關(guān)鍵字: 安森美  氮化鎵  硅基器件  

          Veeco推出EPIK700 MOCVD系統(tǒng) 加快固態(tài)照明的普及

          •   今日,Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng),結(jié)合了該行業(yè)最高的生產(chǎn)率與最佳良率這兩大優(yōu)勢,運營成本低,從而進一步降低通用照明應(yīng)用的發(fā)光二極管(LED)的制造成本。   EPIK700 MOCVD系統(tǒng)采用了Veeco大生產(chǎn)驗證過的TurboDisc技術(shù),具有行業(yè)內(nèi)最大的反應(yīng)腔,其產(chǎn)能相當于目前的其它反應(yīng)腔的兩倍多。反應(yīng)腔的容量增加,再加上腔內(nèi)波長均勻性以及生產(chǎn)力的提升,與之前的反應(yīng)腔相比,其產(chǎn)量提高了
          • 關(guān)鍵字: Veeco  氮化鎵  TurboDisc  

          在高頻降壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)

          • 我們會探討在高頻降壓轉(zhuǎn)換器使用最優(yōu)版圖并在1MHz頻率開關(guān)時可實現(xiàn)高于96%效率。降壓轉(zhuǎn)換器縱然具備最優(yōu)電...
          • 關(guān)鍵字: 高頻降壓  轉(zhuǎn)換器  氮化鎵  

          如何使用氮化鎵:氮化鎵場效應(yīng)晶體管的驅(qū)動器和版圖的考慮因素

          • 我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢,以及它具備可實現(xiàn)更高效率和更快開關(guān)速度的潛力,為硅MOSFET...
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  晶體管  驅(qū)動器  

          納米級壓電LED陣列推動機器人觸感皮膚技術(shù)發(fā)展

          • 電子簽名、指紋掃描、以及機器人觸感皮膚之間有什么共同點?得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉(zhuǎn)化成微型L...
          • 關(guān)鍵字: LED陣列    LED技術(shù)    氮化鎵  

          美公司推出全球首款新型氮化鎵晶圓 可制造軍用設(shè)備

          •   據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報道,美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓,以滿足軍用和商用需求。該公司實現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變,以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。   RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱:“我們很高興在RFMD公司的現(xiàn)有高產(chǎn)量6寸砷化鎵生產(chǎn)線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術(shù)。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  晶圓  

          如何使用氮化鎵器件:引進氮化鎵晶體管技術(shù)

          • 如何使用氮化鎵器件:引進氮化鎵晶體管技術(shù),本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù),并討論其基本設(shè)計及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  晶體管  

          TriQuint發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器

          • 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),日前發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器,為快速增長的有線電視基礎(chǔ)構(gòu)架提供了優(yōu)異的性能。
          • 關(guān)鍵字: TriQuint  氮化鎵  倍增器  

          從直流到18 GHz氮化鎵產(chǎn)品選擇

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 直流  18GHz  氮化鎵  TriQuint  
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          氮化鎵介紹

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