根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
上海PCIM Asia展會現場，氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)聯合創(chuàng)始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務器電源的集成電路板展示：“由于使用氮化鎵晶體管器件，這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是，它在性能、能源效率、系統(tǒng)成本等方面相比當下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。”
被稱為“終極半導體材料”的氮化鎵研究和應用是全球半導體研究的前沿和熱點，在光電子器件和微電子器件領域市場前景廣闊。“
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據日經BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體，將于2016年春季在日本國內企業(yè)中率先量產。新一代半導體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據悉，松下目前已與日本國內外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉，新一代半導體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導體業(yè)務的戰(zhàn)略產品，松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。
氮化鎵被稱為“終極半導體材料”，世界上僅有美國風險企業(yè)涉足。松下將在生產子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor
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從下一代的國防和航天應用，到有線電視、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎設施，Qorvo的GaN(氮化鎵)產品和技術為您身邊的各種系統(tǒng)提供領先的 性能支持，讓您能夠隨時聯網并受到保護。這些領先性能包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理……閱讀下面的“氮化鎵的十個重要事實”，真正了解這個在我 們的工作和生活中發(fā)揮重要作用的關鍵技術。
關于氮化鎵的十個重要事實：
一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度較高，
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半導體產業(yè)是整個電子信息產業(yè)鏈中最關鍵的產業(yè)之一，它為集成芯片產業(yè)、LED產業(yè)、光伏產業(yè)等產業(yè)提供關鍵性基礎材料，對整個電子信息產業(yè)影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術產業(yè)，使人類進入了信息時代。
半導體產品廣泛應用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。
有
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推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。
這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產通過授證的公司，并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統(tǒng)設計具備深厚的專知和技術，提供寬廣的陣容產品，從功率分立器件
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今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化鎵(GaN)金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)，結合了該行業(yè)最高的生產率與最佳良率這兩大優(yōu)勢，運營成本低，從而進一步降低通用照明應用的發(fā)光二極管(LED)的制造成本。
EPIK700 MOCVD系統(tǒng)采用了Veeco大生產驗證過的TurboDisc技術，具有行業(yè)內最大的反應腔，其產能相當于目前的其它反應腔的兩倍多。反應腔的容量增加，再加上腔內波長均勻性以及生產力的提升，與之前的反應腔相比，其產量提高了
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我們會探討在高頻降壓轉換器使用最優(yōu)版圖并在1MHz頻率開關時可實現高于96%效率。降壓轉換器縱然具備最優(yōu)電...
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我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應晶體管的優(yōu)勢，以及它具備可實現更高效率和更快開關速度的潛力，為硅MOSFET...
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電子簽名、指紋掃描、以及機器人觸感皮膚之間有什么共同點？得益于一套能將氧化鋅納米線陣列轉化成微型L...
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據中國國防科技信息網報道，美國射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓，以滿足軍用和商用需求。該公司實現了從現有高產量、6寸砷化鎵晶圓生產向6寸氮化鎵晶圓生產和研發(fā)的轉變，以降低成本滿足不斷增長的氮化鎵器件市場需求。
RFMD公司總裁兼首席執(zhí)行官鮑勃稱：“我們很高興在RFMD公司的現有高產量6寸砷化鎵生產線上推出業(yè)界首款6寸碳化硅基氮化鎵射頻技術。氮化鎵器件和砷化鎵器件在制造上的合并是我們“砷化鎵中氮化鎵代工廠”策略
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如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術,本文是專為功率系統(tǒng)設計工程師及工程經理而設的連載文章的第一章。我們在未來數個月將介紹應用于電源轉換的氮化鎵技術，并討論其基本設計及輔以應用范例。硅器件已稱王多時
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技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)，日前發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器，為快速增長的有線電視基礎構架提供了優(yōu)異的性能。
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電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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增強型氮化鎵電源管理器件的供應商宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity?公司開發(fā)出采用高頻氮化鎵(eGaN?)的無線電源展示系統(tǒng)。
WiTricity?公司的無線電源展示系統(tǒng)內含宜普公司的具高頻開關性能的氮化鎵晶體管，該氮化鎵晶體管所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。
WiTricity?的創(chuàng)始人發(fā)明了具非常高的共振頻率的無線電源傳送。WiTricity&trade
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氮化鎵介紹
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