海力士 文章 進(jìn)入海力士技術(shù)社區(qū)
紫光入股韓國海力士半導(dǎo)體遭拒
- 北京時(shí)間11月27日下午消息，韓國芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團(tuán)的合作要約，但并未提供詳細(xì)信息。 最近有媒體報(bào)道稱，紫光集團(tuán)計(jì)劃收購海力士最多20%的股權(quán)。但該發(fā)言人拒絕對(duì)此置評(píng)。 紫光集團(tuán)發(fā)言人稱，該公司尚未留意相關(guān)事項(xiàng)。 SK海力士股價(jià)周三和周四累計(jì)大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。 紫光集團(tuán)今年早些時(shí)候斥資230億美元洽購美光集團(tuán)，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項(xiàng)交易。
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DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破2美元 歷史新低
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價(jià)。 DRAM市場(chǎng)庫存問題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價(jià)如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價(jià)。 第4季來DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 南亞科預(yù)期，DRAM價(jià)格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價(jià)格將較第3季微幅下滑。 只是集邦科技對(duì)DRAM后市看法相對(duì)保守，表示目前市場(chǎng)已
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲(chǔ)器雙雄掀軍備競(jìng)賽
- 昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，隔天三星即宣布新廠下個(gè)月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場(chǎng)正式進(jìn)入新一輪的軍備競(jìng)賽。 三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個(gè)月已進(jìn)行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。 另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計(jì)畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對(duì)單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內(nèi)將投
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
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三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解
- 南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識(shí)，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時(shí)，雙方還將擴(kuò)大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時(shí)間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝圖文揭密
- 過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1：HBM模組橫截面示意圖 (來
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝揭密
- 過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)
- 全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory)廠商?hào)|芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實(shí)用化。 東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士(
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DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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研調(diào)預(yù)估：8寸晶圓 明年產(chǎn)能續(xù)滿載
- 今年以來8寸產(chǎn)能滿載話題延燒，市場(chǎng)看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights出具報(bào)告指出，韓國、臺(tái)灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達(dá)35%，臺(tái)灣則占21%。 IC Insights指出，韓國的8寸產(chǎn)能主要來自三星與海力士兩大廠商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲(chǔ)器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠就在中國大陸，三星
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研調(diào)：臺(tái)韓兩地合計(jì)掌控全球56%12吋晶圓產(chǎn)能
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights表示，臺(tái)灣及韓國半導(dǎo)體廠持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，合計(jì)已掌握全球56%的12吋晶圓產(chǎn)能。 IC Insights指出，三星(Samsung)與海力士 ( Hynix )合計(jì)掌握全球35%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，三星一家便掌握全球高達(dá)24%的12吋晶圓產(chǎn)能。臺(tái)灣廠商則掌握全球約21%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，有85%的產(chǎn)能主要投入晶圓代工，有15%產(chǎn)能生產(chǎn)記憶體產(chǎn)品。至于北美廠商則掌握全球28%的12吋晶圓產(chǎn)能，日本廠商則掌握全球14%的12吋晶圓產(chǎn)能。 另外，就全球晶圓產(chǎn)能
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠
- 韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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海力士介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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