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瑞薩采用間距焊料凸點(diǎn)的芯片對芯片技術(shù)
- -- 30μm超精細(xì)間距焊料凸點(diǎn)和高引腳數(shù)連接有助于實(shí)現(xiàn)芯片間高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝阅躍iP產(chǎn)品 -- 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，已開發(fā)出采用30μm超精細(xì)間距焊料凸點(diǎn)的芯片對芯片（COC）技術(shù)，以及一種采用該技術(shù)的倒裝芯片球柵陣列（COC-FCBGA）封裝。預(yù)期這種下一代封裝技術(shù)將成為開發(fā)包括數(shù)字設(shè)備和高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等新型高性能產(chǎn)品的關(guān)鍵因素。 COC是一種在單個封裝中堆迭多個芯片的結(jié)構(gòu)。新技術(shù)是使用一種超精細(xì)間距的微型凸點(diǎn)將
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瑞薩科技宣布管理團(tuán)隊(duì)更迭
- 瑞薩科技公司宣布了其在管理團(tuán)隊(duì)方面的最新變化，這是在瑞薩董事會會議上做出的決定。 總裁兼首席執(zhí)行官Satoru Ito將出任主席兼首席執(zhí)行官，并將全面負(fù)責(zé)瑞薩科技的管理工作。Katsuhiro Tsukamoto執(zhí)行副總裁將出任總裁兼首席運(yùn)營官，負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)運(yùn)營。新的任命將進(jìn)一步加強(qiáng)公司結(jié)構(gòu)以達(dá)到更加敏銳和敏捷的管理。 高級執(zhí)行副總裁、董事Yasuhiko Fukuda和高級副總裁、董事Katsumi Suizu將于2006年3月31日從他們目前的職位退休。此外，Yut
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瑞薩發(fā)布具有片上內(nèi)核電控制復(fù)位IC
- 無需上電定時設(shè)計，有助于縮短系統(tǒng)開發(fā)時間 瑞薩科技公司發(fā)布了業(yè)界第一個集成了一個內(nèi)核上電控制功能的復(fù)位IC*1 RNA50C27AUS。該功能可用于采用3.3VI/O電源電壓*2和1.8V內(nèi)核電源電壓*3的雙電源微型機(jī)。樣品將在2006年4月從日本開始出貨。 RNA50C27AUS通過預(yù)先連接諸如晶體管的外部器件，集成了一個內(nèi)核上電控制電路，可以在與I/O電源狀態(tài)協(xié)調(diào)的情況下實(shí)現(xiàn)與內(nèi)核電源的上電/斷電控制。這樣就避免了在實(shí)現(xiàn)電源系統(tǒng)設(shè)計時所需的復(fù)雜的上電定時設(shè)計。 &
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RSA Security選擇瑞薩科技安全I(xiàn)C解決方案
- 兩家公司也將合作為多種類型計算設(shè)備提供強(qiáng)大的雙因素two-factor 驗(yàn)證能力 瑞薩科技公司宣布，RSA Security公司已選擇一種瑞薩的安全I(xiàn)C解決方案，用于其RSA SecurID® SID800 USB雙因素驗(yàn)證標(biāo)記。該解決方案包括一個建立在瑞薩成熟的安全技術(shù)上的安全I(xiàn)C芯片，以及Java Card™ 操作系統(tǒng)和加密庫。 為了使瑞薩安全I(xiàn)C解決方案的成功應(yīng)用融入RSA Security的產(chǎn)品，兩家公司也將
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瑞薩與力晶簽署1Gbit AG-AND技術(shù)授權(quán)合約
- 瑞薩科技近日宣布與力晶半導(dǎo)體簽署授權(quán)合約，內(nèi)容涵蓋運(yùn)用于1Gbit AG-AND 閃存器件的技術(shù)以及此類器件的銷售。在此之前，雙方已簽署過關(guān)于制造的合同。 新的合約提升了合作伙伴雙方的關(guān)系，并開始允許力晶半導(dǎo)體（PSC）以自己的品牌出售閃存。此合約的簽署，會使市場 AND 閃存的供應(yīng)量增長，也將促進(jìn)此類器件市場的擴(kuò)充，對客戶大有裨益。
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瑞薩與力晶簽署1GbitAG-AND技術(shù)授權(quán)合約
- 瑞薩科技近日宣布與力晶半導(dǎo)體簽署授權(quán)合約，內(nèi)容涵蓋運(yùn)用于1Gbit AG-AND 閃存器件的技術(shù)以及此類器件的銷售。在此之前，雙方已簽署過關(guān)于制造的合同。 新的合約提升了合作伙伴雙方的關(guān)系，并開始允許力晶半導(dǎo)體（PSC）以自己的品牌出售閃存。此合約的簽署，會使市場 AND 閃存的供應(yīng)量增長，也將促進(jìn)此類器件市場的擴(kuò)充，對客戶大有裨益。
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