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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容

電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容文章進(jìn)入電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容技術(shù)社區(qū)

PICl6LF874單片機(jī)在電容測(cè)量模塊中的應(yīng)用

摘要：為提高電容測(cè)量精度，針對(duì)電容式傳感器的工作原理設(shè)計(jì)了基于PICl6LF874單片機(jī)電容測(cè)量模塊。簡(jiǎn)單闡述了電容測(cè)量電路的應(yīng)用背景和國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀，介紹了美國(guó)Microchip公司PICl6LF874單片機(jī)的特性。電容式傳感器
關(guān)鍵字：模塊應(yīng)用測(cè)量電容單片機(jī) PICl6LF874

互電容式觸控技術(shù)淺析

互電容式觸控技術(shù)淺析,容式觸摸技術(shù)，特別是互電容技術(shù)由于具有直接、高效、準(zhǔn)確、流暢、時(shí)尚等特點(diǎn)，極大程度提高了人和計(jì)算機(jī)對(duì)話的效率和便利性，未來必將替代鼠標(biāo)和鍵盤，成為未來消費(fèi)的主流。投射電容屏觸摸檢測(cè)原理投射電容屏可分
關(guān)鍵字：淺析技術(shù) 電容

FPGA電源的旁路電容值計(jì)算

隨著速度更快密度更高的FPGA器件的出現(xiàn),保持信號(hào)完整性就成為高可靠,可重復(fù)性設(shè)計(jì)的關(guān)鍵.合適的電源旁路和退偶設(shè)計(jì)能夠改善整個(gè)設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性.
關(guān)鍵字：計(jì)算電容旁路電源 FPGA

通孔的電容分析

每個(gè)通孔都有對(duì)地寄生電容。因?yàn)橥椎膶?shí)體結(jié)構(gòu)小，其特性非常像集總線路元件。我們可以在一個(gè)數(shù)量以內(nèi)估算一個(gè)通孔的寄生電容的值：其中，D2=地平面上間隙孔的直徑，IN
D1=環(huán)繞通孔的焊盤的直徑，IN
關(guān)鍵字：通孔電容分析

電容的簡(jiǎn)化模型和阻抗曲線

為了分析方便，在實(shí)際的分析應(yīng)該中經(jīng)常使用由串聯(lián)等效電阻ESR、串聯(lián)等效電感ESL、電容組成的
RLC模型。因?yàn)閷?duì)電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL，我們通常采用下圖中簡(jiǎn)化的實(shí)際模型進(jìn)行分析：上式就是電容的容抗
關(guān)鍵字：電容模型阻抗曲線

開關(guān)電源中X電容和Y電容設(shè)計(jì)規(guī)則

開關(guān)電源的X電容設(shè)計(jì)準(zhǔn)則：
參考AD1118 X電容放置原則：
1.共模扼流圈前：105/275VAC(MKP/X2)
2.共模扼流圈后：474/275VAC(MKP/X2)
參考MW SP200-12 X電容放置原則：
1.共模扼流圈前：1uF/275VA
關(guān)鍵字：電容規(guī)則設(shè)計(jì) 開關(guān)電源

用可變電阻改變?nèi)萘康碾娙荼对銎麟娐?/a>

電路的功能容量可變的電容器，其最大可變?nèi)萘繛?00PF，當(dāng)容量變化范圍要求更大時(shí)，可采用容量倍增器由于電容器一端接地，使其用途受到一定限制，但可以制作無極性的大容量電容。采用可變電阻VR1，可使容量倍率在1~11

關(guān)鍵字：可變電阻改變電容倍增器電路

采用相同的電容參數(shù)、容易改變截止頻率的24DB/OCT低通濾波器

電路的功能多級(jí)有源濾波器為獲得規(guī)定的Q值，可采用濾波器元件設(shè)定不平衡的參數(shù)和設(shè)定相同參數(shù)、使反饋放大器具有增益這兩種方式。尤其是低通濾波器，現(xiàn)有的系列電容器不容易形成所需的不平衡比，必須由多個(gè)電容合成達(dá)
關(guān)鍵字：截止頻率 24DB/OCT 濾波器改變容易相同電容參數(shù)

電容參數(shù)相同的12DB/OCT低通濾波器

電路的功能“由OP放大器構(gòu)成的12DB/OCT低通濾波器”介紹的低通濾波器為保證獲得0.707的Q值而造成各電容器的容量不一致，按計(jì)算的容量選取電容非常困難。本電路C1、C2的電容量相同，截止頻率一旦確定，即可選取CO=C1=
關(guān)鍵字：濾波器 12DB/OCT 相同參數(shù) 電容

高速PCB中旁路電容的分析

1 引言隨著系統(tǒng)體積的減小，工作頻率的提高，系統(tǒng)的功能復(fù)雜化，這樣就需要多個(gè)不同的嵌入式功能模塊同時(shí)工作。只有各個(gè)模塊具有良好的EMC和較低的EMI，才能保證整個(gè)系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)。這就要求系統(tǒng)自身不僅需要具
關(guān)鍵字：分析電容旁路 PCB 高速

Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級(jí)應(yīng)用

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。　　為達(dá)到T級(jí)的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進(jìn)行了額外測(cè)試，對(duì)原材料和產(chǎn)品批次定義進(jìn)行嚴(yán)格控制，并達(dá)到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進(jìn)行了100%的C浪涌試驗(yàn)。此外，電容器進(jìn)行了完備的視覺和
關(guān)鍵字： Vishay 電容

利用普通I/O口實(shí)現(xiàn)電容觸摸感應(yīng)方案

現(xiàn)在電子產(chǎn)品中，觸摸感應(yīng)技術(shù)日益受到更多關(guān)注和應(yīng)用，不僅美觀耐用，而且較傳統(tǒng)機(jī)械按鍵具有更大的靈敏度、穩(wěn)定性、可靠性，同時(shí)可以大幅提高產(chǎn)品的品質(zhì)。觸摸感應(yīng)解決方案受到越來越多的IC設(shè)計(jì)廠家的關(guān)注，
關(guān)鍵字：觸摸感應(yīng) 方案電容實(shí)現(xiàn) 普通 I/O 利用

電容觸摸感應(yīng)方案

現(xiàn)在電子產(chǎn)品中，觸摸感應(yīng)技術(shù)日益受到更多關(guān)注和應(yīng)用，不僅美觀耐用，而且較傳統(tǒng)機(jī)械按鍵具有更大的靈敏度、穩(wěn)定性、可靠性，同時(shí)可以大幅提高產(chǎn)品的品質(zhì)。觸摸感應(yīng)解決方案受到越來越多的IC設(shè)計(jì)廠家的關(guān)注，
關(guān)鍵字：方案感應(yīng) 觸摸電容

對(duì)各類電子元器件價(jià)格走勢(shì)的最新分析

　　去年的這個(gè)時(shí)候，供貨商們還在為生存而掙扎。如今，2009年的年報(bào)已經(jīng)公布，許多供應(yīng)商的年報(bào)業(yè)績(jī)之好，就連最樂觀的分析師也始料未及。這種變化的原因很簡(jiǎn)單：供應(yīng)商們大幅削減成本，接下來是強(qiáng)勁的需求，這又導(dǎo)致了隨后高企的設(shè)備利用率。　　出現(xiàn)這種情況，供應(yīng)商們自然喜上眉梢，但卻使得一些產(chǎn)品嚴(yán)重短缺。當(dāng)然，并非所有產(chǎn)品都受到影響。事實(shí)上，某些產(chǎn)品的供貨期還得到了改善。然而，供不應(yīng)求的商品情況更加惡化，己經(jīng)出現(xiàn)了雙重訂貨和配給的現(xiàn)象。　　正如iSuppli公司上個(gè)月指出的，為了更好地理解為什么出現(xiàn)短缺的現(xiàn)
關(guān)鍵字：電子元器件模擬器件電容磁性元件

Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對(duì)于+28V應(yīng)
關(guān)鍵字： Vishay 電容導(dǎo)通電阻 MOSFET

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電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容介紹

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電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容電路

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