電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容 文章 進(jìn)入電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容技術(shù)社區(qū)
金融危機(jī)影響電子元器件市場
- 由于全球金融市場的大動蕩，市場上幾乎沒有什么好消息，而要確定這次金融動蕩對元器件市場的影響則更加困難。消費(fèi)者的信心己經(jīng)降到歷史低點(diǎn)，由于消費(fèi)市場占了元器件市場的70%以上，預(yù)計(jì)年底的假日消費(fèi)市場將會十分低迷，并最終導(dǎo)致電子元器件需求下降。通常，元器件市場是買方市場，對部分產(chǎn)品而言，買方一直占據(jù)著主導(dǎo)的位置。但是，由于原材料和能源價(jià)格的上漲，供貨商們面臨著成本上升，因此，電子元器件的價(jià)格也不會自動地下降。 盡管如此，元器件市場仍然有一線曙光：供貨商們對庫存的管理十分嚴(yán)格，因此，庫存會持續(xù)地下
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茂達(dá)電子推出低壓降線性降壓轉(zhuǎn)換器APL5601/5602
- APL5601/2是低壓降(low dropout)的線性降壓轉(zhuǎn)換器，其輸入電壓可操作在2.9V至6V電壓范圍之間，且輸出電流可高達(dá)600mA﹔一般來說當(dāng)輸出電流為600mA時，壓降為220mV。APL5601/2所需的靜態(tài)電流僅需140μA，非常適合電池系統(tǒng)上的應(yīng)用。APL5601/2的輸出電容僅需2.2μF，即可保持系統(tǒng)穩(wěn)定。APL5601/2內(nèi)建過電流保護(hù)(current limit) ，短路電流保護(hù)(short circuit curr
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電容漏泄的測量
- 電容器是幾乎所有電氣設(shè)備上都會用到的主要器件。漏阻是電容器被測試的眾多電氣特征中的一個。漏阻通常被稱為“IR”（Insulation Resistance，絕緣電阻），以“兆歐－微法”表示。在其它情況下，漏泄可能被表示為特定電壓（通常為工作電壓）下的漏泄電流。 電容器的漏泄是通過向電容施加一個固定電壓，并測量產(chǎn)生的電流測得的。漏流將隨時間呈指數(shù)衰減，因此在測量電流之前，施加電壓必須達(dá)到一個已知的時間周期（保壓時間）。 出于統(tǒng)計(jì)目的，必須測試一
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安森美半導(dǎo)體推出下一代高速電信設(shè)備用浪涌保護(hù)器件系列
- 2008年10月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出新的低電容晶閘管浪涌保護(hù)器件(TSPD)系列，專為保護(hù)下一代高速電信設(shè)備而設(shè)計(jì)。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同時維持低電容和低泄漏，是先進(jìn)電信產(chǎn)品的極佳組合。 NP0080、NP0120和NP0160低電容、低泄漏TSPD器件采用節(jié)省空間的TSOP-5封裝，保護(hù)數(shù)字用戶線路(DSL)芯片組和線路驅(qū)動器。雖然在正常電路工
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Vishay 推出高性能、超小型4 線ESD保護(hù)陣列
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個高速 USB 端口或四個其它高頻信號線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號的損壞。 VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計(jì)算、通
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村田：不斷創(chuàng)新迎來更大發(fā)展空間
- 產(chǎn)品的革新。從1944年創(chuàng)立于日本京都的一家普通陶瓷作坊到如今執(zhí)全球電容、濾波器、傳感器牛耳的大公司，村田一直立足陶瓷材料，不斷創(chuàng)新，村田1944年開發(fā)的鈦酸鋇陶瓷仍就是現(xiàn)今世界上仍然沿用的兩大電子材料之一，村田一直引領(lǐng)著MLCC的發(fā)展，如今，村田又發(fā)現(xiàn)原鈦酸鋇可以吸收CO2，這將為全球解決環(huán)境污染問題作出重要貢獻(xiàn)。未來，村田研發(fā)的重點(diǎn)是哪些？村田如何和中國電子產(chǎn)業(yè)一起比翼齊飛？電容產(chǎn)品的未來發(fā)展如何？在深圳市創(chuàng)意時代會展有限公司策劃的“高交會電子展ELEXCON2008-行業(yè)領(lǐng)袖話中國&
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
- 本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。首先必須了解電信設(shè)備專用電源的幾個細(xì)節(jié)。向電信設(shè)備饋電的電源的共模電壓為-48V，盡管實(shí)際電壓范圍可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V，甚至超出這些范圍。公共電源——“磚塊”DC/DC轉(zhuǎn)換器工作于-36V ~ -75V范圍。當(dāng)-48V源降至0V并持續(xù)10ms時，就會出現(xiàn)電壓不足。 利用連至“磚塊”輸入端的電容存儲裝置，是一條克服此問題的路徑，但當(dāng)
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高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)
- 0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報(bào)道RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用以來，業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開關(guān)。無論是在隔離度還是在插入損耗上，RFMEMS電容式并聯(lián)開關(guān)在Ka到W波段都表現(xiàn)出了良好的性能。但是，RF MEMS電容式開關(guān)在低頻段的較低隔離度限制了其在X波段的應(yīng)用。為克服以上不足，J.B.
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太陽誘電：無懼行業(yè)風(fēng)云變幻，關(guān)注電容獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷
- 我認(rèn)為隨著終端產(chǎn)品性能的不斷提高會加大電容等無源器件的需求，今后的市場中還是以手機(jī)和PC為中心的產(chǎn)品發(fā)展。在此之外有可能推動電容產(chǎn)品的市場需求量的應(yīng)用設(shè)備是PDP/液晶電視等超薄電視產(chǎn)品，特別是大屏幕液晶電視等產(chǎn)品中每臺設(shè)備會使用到2000顆以上的陶瓷電容，這么大的用量將可以與手機(jī)的用量市場相匹敵。（一臺手機(jī)中通常會用到200顆MLCC產(chǎn)品）另外，用于手機(jī)中的模塊產(chǎn)品也將進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)小型化，目前的趨勢是由1005→0603→0402（mm）變化。面對這樣的市場動態(tài)，我們在不斷推動產(chǎn)
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
- 本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。首先必須了解電信設(shè)備專用電源的幾個細(xì)節(jié)。向電信設(shè)備饋電的電源的共模電壓為-48V，盡管實(shí)際電壓范圍可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V，甚至超出這些范圍。公共電源——“磚塊”DC/DC轉(zhuǎn)換器工作于-36V ~ -75V范圍。當(dāng)-48V源降至0V并持續(xù)10ms時，就會出現(xiàn)電壓不足。 利用連至“磚塊”輸入端的電容存儲裝置，是一條克服此問題的?徑，但當(dāng)
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KEMET推出新系列航空級電容
- KEMET日前推出新系列航空級電容，為軍事/航空高可靠性航空應(yīng)用的客戶所設(shè)計(jì)。新系列滿足MIL-PRF-55365和MIL-STD-1580的要求，這一系列電容集合了精密測試與審查協(xié)議，可以根據(jù)客戶特殊需求定制。? 器件型號的設(shè)計(jì)考慮了Weibull級（evel C - 0.01%/k hours），浪涌電流級（10 cycles at 25?C，10 cycles -55?C以及+85?C 之前/之后 Weibull級），性能測試級（可供選擇的詳細(xì)目錄），ESR（低和標(biāo)準(zhǔn)）?？商?/li>
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電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ):電容介紹
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