- Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應用的負載點轉換器提供高效的解決方案。
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Diodes mosfet
- 雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
- 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數據表中的常用主要參數,以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。 數據表中的參數分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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MOSFET 數據表
- 本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產品開發(fā)提供參考性的設計意見。
MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優(yōu)點，廣泛應用于電源等產品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應用十分廣泛。
MOSFET最重要的兩個參數是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
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Renesas MOSFET
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款集成高壓MOSFET并可實現功率因數校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數和縮小電路板占用面積，同時簡化系統設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。
歐洲
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PI HiperPFS MOSFET 控制器芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
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Vishay Siliconix MOSFET
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Diodes MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統等。
與傳統的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現整個系統級尺寸和更低的成本，以及超高的性
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IR MOSFET
- 當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統的可靠性。
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技術 MOSFET 封裝 新型 供電 需求 滿足
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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Vishay MOSFET
- 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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MOSFET 雙峰效 方法
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Diodes MOSFET
- 功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現于1976年。與那些少數載流子器件相比，這些多數載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關型電源轉換技術得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關電
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領域 應用 轉換 電源 MOSFET 功率
- 前言
Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。
上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。
FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路
圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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Panansonic PhotoMOS MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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