碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650
Fairchild推出新一代超級結(jié)MOSFET-SupreMOS
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導(dǎo)體的600V SuperFET&trade
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
FPGA助工業(yè)電機(jī)節(jié)能增效
- 在美國，工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域AC電機(jī)所用的電能占全國的2/3以上。在許多應(yīng)用中，AC電機(jī)或被關(guān)斷或以全速運(yùn)作，而通過為電機(jī)添加變速控制功能，就能夠在標(biāo)準(zhǔn)開啟/關(guān)斷控制下實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號FPGA來實(shí)現(xiàn)高效率AC電機(jī)控制系統(tǒng)，可大幅降低電機(jī)的功耗。 電機(jī)無處不在 今天，電機(jī)用于各類應(yīng)用中，然而，很少有人意識到電機(jī)在使用中對環(huán)境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機(jī)所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機(jī)功耗占工業(yè)應(yīng)用的70%，占商業(yè)應(yīng)用電能的45%，占住宅應(yīng)用電能的42%。
- 關(guān)鍵字： FPGA PWM MOSFET
IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。 IR亞洲區(qū)銷售副總裁
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET UPS 溝道
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。通過降低損耗，F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設(shè)計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護(hù)功能，以保護(hù)器件免受ESD事件
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
D類放大器：低功耗高效率推動大規(guī)模普及
- D類放大器的應(yīng)用范圍非常廣泛，隨著技術(shù)的成熟，目前已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業(yè)內(nèi)企業(yè)也提出了多種解決方案。 D類放大器技術(shù)是三四年前被業(yè)內(nèi)熱議的新技術(shù)，目前它已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。業(yè)界正在積極解決應(yīng)用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時，集成技術(shù)也是一個不容忽視的趨勢。 轉(zhuǎn)入大規(guī)模普及階段 三四年前，D類放大器在業(yè)界掀起了一個新技術(shù)的小高潮。D類放大器采用脈沖調(diào)制方式將輸入信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，由MOSFET進(jìn)行放大，再通過低
- 關(guān)鍵字： ADI D類放大器 MOSFET EMI
集成式上網(wǎng)本電源解決方案成研發(fā)熱點(diǎn)
- 上網(wǎng)本是筆記本電腦的派生產(chǎn)品，目前上網(wǎng)本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動內(nèi)核、存儲器、外設(shè)或通用系統(tǒng)組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調(diào)節(jié)器。 大多數(shù)MID和智能手機(jī)使用各種功率管理單元(PMU)來實(shí)現(xiàn)功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過去一年來，上網(wǎng)本市場經(jīng)歷了前所未有的增長，供應(yīng)商正在積極開發(fā)用于上網(wǎng)本的集成式電源解決方案，2008年大多數(shù)上網(wǎng)本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預(yù)計將轉(zhuǎn)向包含有控制器+MOS
- 關(guān)鍵字： 上網(wǎng)本 PMU MOSFET
集成電源管理滿足上網(wǎng)本小型化需求
- 上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統(tǒng)供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網(wǎng)本對電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的一系列電路控制策略、半導(dǎo)體集成工藝以及封裝技術(shù)。 MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅(qū)動和MOSFET完全集成在一個芯片中。和大多數(shù)競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個硅片上，這極大地降低了傳統(tǒng)分立元件所帶來的寄生參數(shù)影響，從而提高變換器的效率和開關(guān)頻率，減小電容
- 關(guān)鍵字： MPS 電源管理 MOSFET 上網(wǎng)本
英飛凌再度稱雄功率電子市場
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 隨著汽車、消費(fèi)和工
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT MOSFET
IR推出150V和200V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。 與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達(dá)33%。 IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達(dá)驅(qū)動器
Diodes 推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET 器件
- Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構(gòu)的要求。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對于需要一對互補(bǔ)器件的全橋和半橋拓?fù)?，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅(qū)動器
IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET
飛兆半導(dǎo)體推出一款單一P溝道MOSFET器件
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197P
- 關(guān)鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
ST公布今年第二季度及上半年財報
- 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務(wù)報告。 意法半導(dǎo)體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業(yè)務(wù)，和1800萬美元的技術(shù)授權(quán)費(fèi)。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導(dǎo)體所在的所有市場以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國和亞太地區(qū)的需求增長強(qiáng)勁。因?yàn)樯虡I(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 總裁兼首席執(zhí)行官 Car
- 關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無線寬帶
半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
- 關(guān)鍵字： 吉時利 C-V測試 半導(dǎo)體 MOSFET MOSCAP
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅 mosfet相關(guān)帖子
碳化硅 mosfet資料下載
碳化硅 mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473