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          Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

          • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì),因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  SiC  MOSFET  

          英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

          • 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制(例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開關(guān)以及電動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  

          P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

          • Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加,P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)(HS)應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器(<120 V)和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源,高端側(cè)(HS)P溝道MOSFET易于驅(qū)動(dòng),具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、節(jié)省空間,零件數(shù)量少等特點(diǎn),提升了成本效率。本文通過對(duì)N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較,介紹Littelfuse P溝道功率
          • 關(guān)鍵字: 202404  P溝道功率MOSFET  MOSFET  

          高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?

          • 不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。對(duì)于電動(dòng)汽車 (EV) 而言,更高效率意味著更遠(yuǎn)的續(xù)航里程;而在可再生能源領(lǐng)域,發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉(zhuǎn)換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車和可再生能源領(lǐng)域,對(duì)更高效率的不懈追求正推動(dòng)著設(shè)計(jì)向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開關(guān)電子器件,因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律,也就是說電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理,當(dāng)電壓加倍時(shí),電路中的電流會(huì)減半,因而損耗會(huì)降到四分之一。根據(jù)這個(gè)原理,為了減
          • 關(guān)鍵字: 高電壓  高電壓  轉(zhuǎn)換器  逆變器  MOSFET  電力電子  EliteSiC  

          一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

          • 熱泵是一種經(jīng)過驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù),其滿足低排放電力要求,是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿足供暖和制冷的要求,但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平,因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似,其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計(jì)。2021年,全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成,且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對(duì)能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對(duì)氣候變化的承諾,熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
          • 關(guān)鍵字: 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  

          意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器:碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

          • 意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器,非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案,在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離,確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用,對(duì)可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高,而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: STGAP  MOSFET  IGBT  驅(qū)動(dòng)器  電氣隔離  

          通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

          • 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí),這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管:BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān),它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開,這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
          • 關(guān)鍵字: 晶體管  BJT  MOSFET  

          全面升級(jí)!安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

          • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分,將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  MOSFET  

          SiC邁入8英寸時(shí)代,國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

          • 近日,包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看,目前在碳化硅領(lǐng)域,國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟,下文將進(jìn)一步說明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲,最早將于2025年開始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
          • 關(guān)鍵字: SiC  8英寸  

          小米首款汽車發(fā)售,碳化硅加速前行

          • 3月28日,小米公司正式發(fā)布了小米SU7,一共有三款配置,分別是小米SU7 標(biāo)準(zhǔn)版,售價(jià)21.59萬元;小米SU7 Pro版,售價(jià)24.59萬元;小米SU7 Max版,售價(jià)29.99萬元。圖片來源:小米公司2021年3月,小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時(shí)間過去,小米SU7正式發(fā)布,其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面,既有包括高通、英偉達(dá)、博世等國(guó)際供應(yīng)商,也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚(yáng)杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域,英偉達(dá)為小米汽車提供自動(dòng)駕駛芯片,小米SU7搭載了英偉達(dá)兩顆NVIDIA DRIVE Orin
          • 關(guān)鍵字: 小米  汽車  碳化硅  

          華泰證券:先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會(huì)

          • 華泰證券發(fā)布研報(bào)稱,在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì))上,華泰證券與數(shù)十家國(guó)內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流,并參加相關(guān)行業(yè)論壇,歸納出以下趨勢(shì):1)前道設(shè)備:下游需求旺盛,國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品,完善工藝覆蓋度;2)后道設(shè)備:AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求,測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化提速;3)SiC:2024或是襯底大規(guī)模出海與國(guó)產(chǎn)8寸元年;4)元宇宙和微顯示:硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案,AI大模型出現(xiàn)可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級(jí)AR終端快速增長(zhǎng)?! ∪A泰證券主要觀點(diǎn)如下:
          • 關(guān)鍵字: 元宇宙  AR  VR  碳化硅  先進(jìn)封裝  

          將達(dá)100億美元,SiC功率器件市場(chǎng)急速擴(kuò)張

          • SiC 市場(chǎng)的快速擴(kuò)張主要得益于電動(dòng)汽車的需求,預(yù)計(jì) 2023 年市場(chǎng)將比上年增長(zhǎng) 60%。
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)及應(yīng)用

          • 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商肯微科技合作,設(shè)計(jì)及研發(fā)使用ST被業(yè)界認(rèn)可的碳化硅(SiC)、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計(jì)數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇,尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能(AI)、5G和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的推波助瀾下,對(duì)數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長(zhǎng),能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對(duì)的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)適用于3k
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  碳化硅  數(shù)字電源  數(shù)位電源  電源  肯微  

          廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

          • 3月27日,Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,占地445英畝,一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示,工廠已開始安裝長(zhǎng)晶設(shè)備,預(yù)估今年12月份或者明年1月,這座工廠將會(huì)有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm(8英寸)碳化硅晶圓,尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍,滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  碳化硅  

          總投資50億美元,Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

          • 據(jù)Wolfspeed官微消息,全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國(guó)北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉,John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元,占地445英畝,一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議(瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等)提供支持,推動(dòng)具有重要
          • 關(guān)鍵字: Wolfspeed  碳化硅  
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          碳化硅(sic)mosfet介紹

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