碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
用于模擬IC設(shè)計的小信號MOSFET模型
- MOSFET的小信號特性在模擬IC設(shè)計中起著重要作用。在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何對MOSFET的小信號行為進行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現(xiàn)代模擬IC設(shè)計至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當(dāng)我們說“小信號”時，我們的確切意思是？為了定義這一點，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
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英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議
- 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
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SiC生長過程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長，同時具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性，這導(dǎo)致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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利用低電平有效輸出驅(qū)動高端MOSFET輸入開關(guān)以實現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)
- 摘要在無線收發(fā)器等應(yīng)用中，系統(tǒng)一般處于偏遠地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進行干預(yù)，此類應(yīng)用必須持續(xù)運行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后，需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位，可以切斷電源電壓，斷開系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來驅(qū)動高端輸入開關(guān)，從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性，一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應(yīng)的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統(tǒng)正常運行
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致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動空調(diào)壓縮機控制器能效
- 2024年1月18日，中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續(xù)航里程可延長5到10公里，在夏冬
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議
- 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應(yīng)鏈彈性意味著實施多供應(yīng)商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機會并推
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安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
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SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
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如何增強系統(tǒng)魯棒性？這三樣法寶請您收下！
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應(yīng)用中，各個壓降會產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管，并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢。簡介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開關(guān)（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
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工業(yè)電源模塊對功率器件的要求
- 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計，利用先進的工藝和封裝技術(shù)制造， 形成的一個結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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電動汽車市場催生碳化硅新前景
- 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域，
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小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，爭做冬季續(xù)航之王
- 12月29日消息，昨日，在小米汽車技術(shù)發(fā)布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴(yán)苛的熱失效安全標(biāo)準(zhǔn)，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù)，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術(shù)可以達到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調(diào)升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
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SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu)，如超級結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長
- 12月22日消息，據(jù)報道，Adroit Market Research預(yù)計，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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碳化硅(sic)mosfet介紹
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