碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA433EDJ
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉(zhuǎn)換器
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色
- 全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應(yīng)地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。 在應(yīng)用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應(yīng)用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用。其次，是計算機、工業(yè)控制
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET 穩(wěn)壓器
IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動應(yīng)用的器件AUIRS2016S
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅(qū)動應(yīng)用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應(yīng)用，以及螺線管驅(qū)動器。 AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側(cè)配置中驅(qū)動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動器 AUIRS2016S
飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650
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