3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅(sic)mosfet 文章
                  進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          意法半導體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設備中的待機功耗
          
                                                            
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復存在。
　　最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

　　新產品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎設施建設規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內充換電站數(shù)量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內的充電行業(yè)產生。
　　充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Cree  SiC                           
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。
　　新的900V SiC MOSFET系列產品極大的擴大了產品應用空間，能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Wolfspeed   MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
　　SiC與Si性能對比
　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
　　

 
　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
　　由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網供電應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關，能夠通過以太網線纜向無線接入點、VoIP網絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。

　　在局域網路由器及中跨設備等供電設備內，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網線。然后網線就會借由消除供終端設備內的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關效率提升10倍
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。

　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖
　　世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        CREE  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
　　SiC與Si性能對比
　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        世強  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          用于功率開關的電阻-電容(RC)緩沖電路設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　功率開關是所有功率轉換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產品的可靠性和效率。若要提升功率轉換器開關電路的性能，可在功率開關上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關斷開時電路電感產生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設計。
　　

 
　　圖1： 四種基本的功率開關電路
　　有多種不同的拓撲用于功率轉換器、
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        功率開關  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          學習總結之電路是計算出來的
          
                                                            
            
                    	
          • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
　　1、CS單管放大電路
　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        CMOS  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。
　　關鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽R3
　　一、引言
　　MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  EMI                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　關注高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          意法半導體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產品線，可協(xié)助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。

　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure)，實現(xiàn)極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Cree  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1789條
	65/120		|‹
			«
																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																								63																64																65																66																67																68																69																70																71																72																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																							»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();