第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

西部數(shù)據(jù)擴(kuò)展視頻存儲(chǔ)和分析產(chǎn)品系列滿足終端智能視頻的動(dòng)態(tài)需求

　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個(gè)安防監(jiān)控存儲(chǔ)解決方案更新，擴(kuò)展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場(chǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備系列。這一系列更新包括：業(yè)內(nèi)率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級(jí)3D NAND UFS嵌入式閃存盤(pán)(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動(dòng)卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動(dòng)管理其存儲(chǔ)子系統(tǒng)、維持運(yùn)行優(yōu)化狀態(tài)的新款設(shè)備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！　?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來(lái)，全球的非易失存儲(chǔ)功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦，如今又?jǐn)U展至云端存儲(chǔ)操作所需固態(tài)存儲(chǔ)記憶體。隨著時(shí)間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比，每存儲(chǔ)單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻。　　最初，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來(lái)縮小尺寸，從而增加存儲(chǔ)密度，降低相對(duì)應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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西部數(shù)據(jù)公司推出支持先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤(pán)

　　西部數(shù)據(jù)公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車(chē)嵌入式閃存盤(pán)(EFD)，豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車(chē)儲(chǔ)存解決方案，用以滿足對(duì)先進(jìn)汽車(chē)系統(tǒng)和自動(dòng)駕駛車(chē)輛的需求(如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤(pán)的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強(qiáng)的性能，滿足了汽車(chē)設(shè)備嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性要求。　　車(chē)聯(lián)網(wǎng)需要以越來(lái)越高的容量快速可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、3D地圖導(dǎo)航、遠(yuǎn)程信息處理、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)的
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關(guān)于NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。　　在使用期的性能恒定。　　固態(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤(pán)，定位高端智能手機(jī)

? ? ? ? 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(pán)（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。 <西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤(pán)> ? ? ? ?新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤(pán)
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SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元

　　根據(jù)《韓聯(lián)社》報(bào)導(dǎo)，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動(dòng)工，并已在今日完工啟用，新廠將加強(qiáng)韓國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中的競(jìng)爭(zhēng)力。SK計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)大這條產(chǎn)線，不過(guò)詳細(xì)內(nèi)容將會(huì)視市場(chǎng)狀況來(lái)決定。該廠將會(huì)在2019年第1季開(kāi)始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲(chǔ)器，將會(huì)有月產(chǎn)20萬(wàn)片的程度，類(lèi)似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線?！　K海力士會(huì)長(zhǎng)崔泰源宣示，身為國(guó)家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會(huì)持續(xù)維持在市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。韓國(guó)大統(tǒng)領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
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3D NAND時(shí)代已至！Xtacking技術(shù)點(diǎn)燃存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化希望

隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過(guò)渡，技術(shù)和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢(shì)下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以Xtacking技術(shù)切入3D NAND市場(chǎng)，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展點(diǎn)燃了希望。
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RISC-V對(duì)ARM，殺勢(shì)已成！

　　ARM架構(gòu)過(guò)去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器(Advanced RISC Machine)，又稱“高級(jí)RISC機(jī)器”，是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集(RISC)處理器架構(gòu)。RISC-V是一種新的開(kāi)放且免費(fèi)的指令集架構(gòu)。二者架構(gòu)都源自1980年代的精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)RISC，正是這一架構(gòu)，讓曾任斯坦福大學(xué)校長(zhǎng)的John L. Hennessy和曾任加州大學(xué)伯克利分校教授的David A. Patterson獲得了2017年度圖靈獎(jiǎng)?！　RM公司以早期RISC架構(gòu)為基礎(chǔ)，衍生出了ARM的芯片設(shè)計(jì)，并將這種設(shè)計(jì)授權(quán)給多家芯
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不怕虧錢(qián)，未來(lái)十年長(zhǎng)江存儲(chǔ)持續(xù)增加研發(fā)投入

　　對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專(zhuān)訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入?！　≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn)　　中國(guó)證券報(bào)：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時(shí)候需要打洞把每一層連接起來(lái)，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個(gè)單位都要打洞，數(shù)量可達(dá)幾百萬(wàn)個(gè)。必須保證做到垂直地
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慧榮科技將于2018中國(guó)閃存峰會(huì)上展出最新存儲(chǔ)主控芯片解決方案

　　全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿足全方位巿場(chǎng)需求，其包括專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來(lái)最完整的解決方案，此外支持高速移動(dòng)存儲(chǔ)方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額

　　近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國(guó)前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國(guó)公司和國(guó)內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國(guó)將在2020年的晶圓廠投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國(guó)成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國(guó)集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長(zhǎng)，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國(guó)家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國(guó)正在進(jìn)行或計(jì)劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
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中國(guó)產(chǎn)能逐漸開(kāi)出內(nèi)存價(jià)格2019將下滑

　　內(nèi)存價(jià)格從2016年起一路上揚(yáng)，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出，因此資策會(huì)MIC預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將于開(kāi)始下滑?！　≠Y策會(huì)MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)洪春暉表示，2018年的半導(dǎo)體市場(chǎng)概況是近5年來(lái)難得的樂(lè)觀，盡管2018年內(nèi)存價(jià)格成長(zhǎng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預(yù)估2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)10.1%，其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車(chē)用電子等新興應(yīng)用帶動(dòng)?！　『榇簳熯M(jìn)一步指出，內(nèi)存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚(yáng)，2018年全年臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(zhǎng)25%，產(chǎn)
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