第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風(fēng)光不再
- 市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
- 《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機(jī)存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
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TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智，帶領(lǐng)臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
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美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機(jī)、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標(biāo)。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應(yīng)用的核心特色。 美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預(yù)計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
- 10月28日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標(biāo)要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收為166億美元，并稱目標(biāo)要在2012年達(dá)到255億美元營收。 三星指出，明年動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 韓國三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預(yù)估，公司發(fā)言人士也確認(rèn)了這項消
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Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
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內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈
- 最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
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SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂
- 美國內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉(zhuǎn)為強(qiáng)勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預(yù)期，以及先前減記的庫存收入回補(bǔ)加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉(zhuǎn)趨勢。 據(jù)國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。 該季營收增長14%至9.352億美元，遠(yuǎn)優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預(yù)期的7.87
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
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鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
- 鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達(dá)32Gb，寫入壽命達(dá)3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭食？
- 2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計可達(dá)新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對臺供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營團(tuán)隊上任，營運策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。 存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM NAND
NAND Flash強(qiáng)勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計可達(dá)新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
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第九代 v-nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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