第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術社區(qū)
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
- 關鍵字： Numonyx NAND NOR閃存 PCM
恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景
- 盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
- 關鍵字： Numonyx NAND NOR閃存
IEEE：NAND閃存技術將在十年之內(nèi)遭遇技術極限
- 《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
- 關鍵字： NAND 閃存 相變存儲
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
- 關鍵字： TIMC DRAM NAND Flash
美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網(wǎng)設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。 美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預計于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
- 關鍵字： 美光 NAND 34納米 智能手機
三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
- 10月28日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內(nèi)將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。 三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
- 關鍵字： 三星 NAND 存儲
Intel宣布一項技術突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
- 關鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND
內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈
- 最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
- 關鍵字： NAND DRAM 內(nèi)存 存儲
SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂
- 美國內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉(zhuǎn)為強勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉(zhuǎn)趨勢。 據(jù)國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預期的每股26美分。 該季營收增長14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
- 關鍵字： SanDisk NAND 閃存芯片
力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元
- “經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
- 關鍵字： 力晶 DRAM 存儲器 NAND
鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
- 鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
- 關鍵字： 鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
第九代 v-nand電路
第九代 v-nand相關帖子
第九代 v-nand資料下載
第九代 v-nand專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473