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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

          基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動程序設(shè)計

          • 0 引 言
            目前,隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,計算機技術(shù)也得到飛速的發(fā)展,產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計算機的基本結(jié)構(gòu)來說,還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個中心點就是存儲一控制,所以存儲器
          • 關(guān)鍵字: VxWorks  FLASH  NAND  驅(qū)動    

          東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持

          •   面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力,東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進32納米的NAND Flash制程技術(shù),東芝原本預(yù)計32納米制程產(chǎn)量,在年底可達產(chǎn)能30%,但以目前進度來看,勢必會延后量產(chǎn)時間點,其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示,支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準備妥當,包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然,隨時可進入量產(chǎn)階段。此外,群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長,估計月增率可達10%以上,8月毛利率可微幅高于7月,整體第3季獲利持續(xù)上揚。   東芝43納米制程量產(chǎn)成熟,下半年積極轉(zhuǎn)進
          • 關(guān)鍵字: 東芝  32納米  NAND    

          2013年閃存需求規(guī)模將達到08年的11倍

          •   根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量,筆者預(yù)測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預(yù)測結(jié)果為,1990年代曾經(jīng)拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命,NAND型閃存將取而代之,一躍成為投資主角。   按8Gbit產(chǎn)品換算,NAND需求規(guī)模將達到400億個   《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示,按8Gbit產(chǎn)品換算,2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過,SSD市場要到2
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

          20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

          •   在今后的2年~3年內(nèi),NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說,到2011年~2012年,通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元~4位/單元的多值技術(shù),NAND閃存很有可能實現(xiàn)128Gb的容量。   但是,如果要實現(xiàn)超過128Gb的更大容量,恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。許多工程師也認為,2011年~2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析,當工藝發(fā)展到20nm以下時,從
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  20nm  NAND  

          美光:TMC模式不會成功

          •   隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面,美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書,美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示,TMC模式不會成功,即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題,但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵,因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當吸引人,不會像奇夢達倒了都還找不到買主,而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略,除華亞科之外,亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。   現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援,初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā),采取爾必
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  NAND  

          三星計劃升級美國內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

          •   三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進行升級改造,這一過程中將裁員500人。   三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉,改造工作將于2009年末至2010年初開始。   今年早些時候,三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當?shù)負碛袃杉夜S,分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  DRAM  NAND  

          智能手機微型投影機初露鋒芒,NAND閃存繁榮依舊

          •   手機及其它移動電子設(shè)備微型投影機發(fā)展驚人   據(jù) iSuppli 公司,由于能夠克服移動電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制,嵌入到智能手機等產(chǎn)品中的微型投影機的出貨量未來四年將增長約 60 倍。   到 2013 年,內(nèi)嵌式微型投影機的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對內(nèi)嵌式微型投影機全球出貨量的預(yù)測。   iSuppli 對微型投影機的定義是:重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機。雖然微
          • 關(guān)鍵字: 智能手機  NAND  

          NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

          •   NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。   積極地來看,Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB,1 peta=100萬Giga),而現(xiàn)在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長,其中包括最有潛力的市場驅(qū)動力——嵌入式移動應(yīng)用市場。   Harari在閃存峰會的主題演講中
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  閃存  

          英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

          •   英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱,他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片,存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術(shù),從而將實現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。   美光NAND閃存營銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說,雖然在一個存儲單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度,但是,這種做法沒有基于更標準的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此,每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲可靠性。固
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  34納米  

          臺灣媒體:奇夢達資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜

          •   曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達進入資產(chǎn)拍賣階段,而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心,至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手,而這些收購公司背后都有國資背景,顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下,大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。   德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰,并已正式進入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠,以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地,只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
          • 關(guān)鍵字: 奇夢達  晶圓  服務(wù)器  DRAM  NAND  

          日本半導體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇 廠家暑期加班應(yīng)對

          •   據(jù)日本媒體報道,日本近期半導體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升,大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點進行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進數(shù)碼家電銷量增長等因素,市場需求得到恢復(fù),庫存調(diào)整也取得進展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道,這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉(zhuǎn),也可能為日本國內(nèi)經(jīng)濟帶來一股活力。   在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%,在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計劃開工。   東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
          • 關(guān)鍵字: 夏普  液晶面板  半導體  NAND  

          東芝大砍6成芯片支出 轉(zhuǎn)加強電力及基礎(chǔ)建設(shè)

          •   8月6日消息,日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示,由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長將減緩,并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù),3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利,將達電子產(chǎn)品部的2倍。   東芝的半導體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營業(yè)虧損,使其減緩該部門支出,并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I收來源,例如健康醫(yī)療及水處理等。   東芝目前預(yù)期,包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會計年度,獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達2000億
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  晶圓  

          半導體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔憂的7個理由

          •   盡管最近市場調(diào)研公司VLSI仍不修正半導體業(yè)陰沉的預(yù)測, 即09年全球設(shè)備市場下降44.2%及半導體市場下降12.4%,而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂觀。   根據(jù)與Hutcheson的對話及公司的最新報告, 以下將結(jié)論刊出, 共有4個正面意見及2個負面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔心的原因。   1. 看到回升   7月的周報IC銷售額上升到33億美元, 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面, 因為通常7月是典型的弱月份, 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較,IC銷
          • 關(guān)鍵字: Cisco  通訊  太陽能  NAND  

          第二季度NAND Flash市場收入大漲33.6%

          •   在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場庫存回補需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一季成長,2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營收為27億8千6百萬美元,較上一季的20億8千6百萬美元成長33.6%QoQ。   就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收排行來看,Samsung營收為10億3千7
          • 關(guān)鍵字: Micron  NAND  

          東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價格上漲10%

          •   據(jù)臺灣媒體報道,東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件,盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響,然令業(yè)界意外的是,由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品,因此,使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降,帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。   內(nèi)存業(yè)者認為,過去記憶卡價格一直嚴重偏低,業(yè)界趁此機會調(diào)漲終端記憶卡售價,但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。   業(yè)內(nèi)人士表示,2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲,記憶卡價格卻沒有跟上來,導致NAND Flas
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  晶圓  
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          第九代 v-nand介紹

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