第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周三宣布，以更低的許可價(jià)格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對(duì)于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們?cè)诳刂瀑Y本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
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Unity可能與IM Flash合作制造RRAM

　　近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計(jì)劃找一家IDM合作建廠來制造該產(chǎn)品。　　Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因?yàn)樵摯鎯?chǔ)產(chǎn)品需用到鈣鈦礦。　　據(jù)悉，建該工廠和一座先進(jìn)邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
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NAND Flash買氣急凍　通路庫存塞車

　　NAND Flash經(jīng)歷2個(gè)月價(jià)格狂飆后，近期市場(chǎng)買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價(jià)時(shí)，通路商一度擔(dān)心會(huì)缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場(chǎng)卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費(fèi)者需求不振，導(dǎo)致中間通路商手上庫存整個(gè)塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)跌破4美元心理關(guān)卡，合約價(jià)漲勢(shì)亦熄火，模組廠5月同時(shí)面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場(chǎng)
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計(jì)劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲(chǔ)器。　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說，新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲(chǔ)器旨在
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三星預(yù)計(jì)今年全球芯片商仍將艱難度日

　　全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商--韓國三星電子公司11日預(yù)計(jì)，由于全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)惡化，2009年對(duì)于芯片商而言是艱難的一年。　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報(bào)道，三星電子公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉當(dāng)天對(duì)投資者說，很難預(yù)測(cè)全球芯片市場(chǎng)何時(shí)回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開支以及消費(fèi)者收緊“腰包”，今年以來全球個(gè)人電腦和手機(jī)市場(chǎng)需求正在持續(xù)萎縮。　　不過，他指出，今年三星公司的存儲(chǔ)芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預(yù)計(jì)今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

　　恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。預(yù)計(jì)此項(xiàng)合作將加快當(dāng)前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的eMMC標(biāo)準(zhǔn)的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲(chǔ)需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的整個(gè)系統(tǒng)級(jí)性能。　　根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底現(xiàn)貨漲價(jià)但復(fù)蘇道路漫長

　　《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來說是一個(gè)積極的信號(hào)。　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導(dǎo)體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標(biāo)。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報(bào)告時(shí)稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli：存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)恢復(fù)盈利還為時(shí)過早

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。繼　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計(jì)劃于五月份開始銷售。　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達(dá)95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲(chǔ)。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲(chǔ)器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計(jì)將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

　　4月15日消息據(jù)韓國媒體報(bào)道蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想　　韓國時(shí)報(bào)指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 　　部分分析師認(rèn)為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。　　分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲(chǔ)看到希望

　　IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺(tái)的話，那么10年以后他們就會(huì)陷入那樣的噩夢(mèng)之中。　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲(chǔ)性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻魧?duì)制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
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