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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 第九代 v-nand

          英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

          •   全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無(wú)實(shí)際的意義。   按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。   在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。   究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  存儲(chǔ)器  

          全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升

          •   市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。   原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。   由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  DRAM  NAND  34納米  

          Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

          •   Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。   Micron和其伙伴Intel近期宣布通過(guò)合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準(zhǔn)備,計(jì)劃于第四季度推出樣品。
          • 關(guān)鍵字: Micron  納米  NAND  USB閃盤  

          09年固態(tài)硬盤市場(chǎng)份額不會(huì)大提升

          •   雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價(jià)格過(guò)高的原因今年固態(tài)硬盤的市場(chǎng)份額將不會(huì)太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報(bào)告表明,固態(tài)硬盤在標(biāo)準(zhǔn)筆記本電腦的市場(chǎng)份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠商在主流存儲(chǔ)設(shè)備上依然選擇的是機(jī)械式硬盤,因此在低端PC上的市場(chǎng)份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品.   較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場(chǎng)的侵入,根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價(jià)格走勢(shì),SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)接受度將會(huì)下降.   
          • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  內(nèi)存芯片  

          Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

          •   近來(lái)謠言越來(lái)越厲,市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存,不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久,其成本高,容量有限,有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出,固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低,容量也將達(dá)到320GB左右。   固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  34納米  MLC  SLC  

          利潤(rùn)驚人 iPhone 3GS成本僅179美元

          •   雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤(rùn)已經(jīng)是婦孺皆知的事情,但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前,以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費(fèi)電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli,通過(guò)初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評(píng)估產(chǎn)品成本。據(jù)悉,第三代蘋果手機(jī)iPhone3GS的成本為178.96美元,比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價(jià)。     通常而言,最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代,尤其對(duì)于iPh
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  NAND  GPS  處理芯片  

          恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

          •   恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量?jī)?nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn),將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間,使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。   相較于
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  NAND  NOR  PCM  SDRAM  

          NAND Flash再刮大風(fēng) 30納米世代競(jìng)賽起跑

          •   全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱,盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場(chǎng)信心,然存儲(chǔ)器業(yè)者透露,由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈,推測(cè)其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備,近期更需關(guān)注的是,三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn),亦開始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片,且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠,這不僅將對(duì)東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力,亦將影響NAND Flash市場(chǎng)
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  30納米  43納米  

          三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

          •   6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。   三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術(shù)有望用于高級(jí)聽(tīng)筒、移動(dòng)電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫速度非??欤碾娏繀s低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。     三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  NOR  PCM  相變化記憶體  

          09年SSD硬盤市占率不升反降

          •   據(jù)市調(diào)公司DRAM Exchange的調(diào)查,2009年,傳統(tǒng)筆記本市場(chǎng)上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%,而 在低端市場(chǎng)SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價(jià)格的上漲。今年上半年,這種規(guī)格閃存的價(jià)格不斷上揚(yáng),而由此產(chǎn)生的利潤(rùn)空間自然就減小了。   DRAM Exchange聲稱上網(wǎng)本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢(shì),結(jié)果導(dǎo)致“SSD銷量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤,SSD硬盤的每GB價(jià)格依
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  上網(wǎng)本  

          三星電子與東芝就芯片業(yè)務(wù)達(dá)成交叉授權(quán)交易

          •   6月22日消息,據(jù)路透社報(bào)道,三星電子周一表示,已與日本東芝就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)簽署交叉授權(quán)交易。   東芝是繼三星電子之后,全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  芯片制造  

          閃存價(jià)格上漲 SSD技術(shù)普及受威脅

          •   今年前兩個(gè)季度NAND閃存的平均銷售價(jià)格(ASP)反彈,令供應(yīng)商非常高興,使其在2008年經(jīng)受慘重?fù)p失之后又獲得了希望。   為了盡快恢復(fù)盈利,這些供應(yīng)商在2008年紛紛削減產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司,此后,NAND閃存價(jià)格在第一季度上漲了11%,在第二季度估計(jì)上漲了28%。   雖然這對(duì)于閃存供應(yīng)商來(lái)說(shuō)是好事,但卻可能對(duì)固態(tài)硬盤(SSD)在主流PC市場(chǎng)的普及帶來(lái)負(fù)面影響。SSD的90%由閃存部件構(gòu)成。   SSD上網(wǎng)本失色   在全球電子市場(chǎng)面臨不確定性之際,PC制造
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  上網(wǎng)本  

          內(nèi)容與模式體現(xiàn)消費(fèi)電子差異性

          •   SD(安全數(shù)碼卡)目前是我們的主要應(yīng)用產(chǎn)品市場(chǎng)之一。由于有新的標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品出現(xiàn),MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應(yīng)用。SD/MMC目前占我們營(yíng)收比重仍是最大的,約在30%左右,其實(shí)這部分業(yè)務(wù)在2008年是下滑的,而新業(yè)務(wù)帶來(lái)的收入在增長(zhǎng),2008年慧榮的出貨量增長(zhǎng)了35%左右。我們?cè)谌騈AND型控制芯片市場(chǎng)占有很大的比重,但由于價(jià)格的下降,我們的銷售額與2007年持平。   總的來(lái)說(shuō),慧榮擁有3大產(chǎn)品線:移動(dòng)存儲(chǔ)、多媒體單芯片及移動(dòng)通信。移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品提供管理閃存的控制芯片,應(yīng)用范圍包括閃存卡、U盤、
          • 關(guān)鍵字: SD  NAND  移動(dòng)存儲(chǔ)  多媒體單芯片  移動(dòng)通信  

          東芝整頓虧損的芯片業(yè)務(wù) 將關(guān)閉部分生產(chǎn)線

          •   據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道,東芝表示將關(guān)閉部份芯片生產(chǎn)部門,取消近期宣布的分拆決定,以整頓虧損累累的芯片業(yè)務(wù)。   報(bào)導(dǎo)指出,東芝計(jì)劃關(guān)掉Kitakyushu廠兩條生產(chǎn)線,而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產(chǎn)能則將腰斬。   據(jù)報(bào)載,公司將裁減生產(chǎn)線的臨時(shí)雇員,部份全職員工將改派至芯片部門以外的業(yè)務(wù)單位。   東芝預(yù)估,廢棄生產(chǎn)設(shè)備及采取相關(guān)措施所耗費(fèi)的重整費(fèi)用將達(dá)300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產(chǎn)量。   公司意圖透過(guò)整頓虧損連連的芯片
          • 關(guān)鍵字: 東芝  芯片  晶圓  NAND  

          龔翊出任恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁

          •   全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)先廠商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導(dǎo)體(Spansion)嵌入式事業(yè)部亞洲區(qū)副總裁,龔翊的加入將為恒憶帶來(lái)更多針對(duì)亞洲嵌入式市場(chǎng)的經(jīng)驗(yàn)。作為副總裁,她將負(fù)責(zé)恒憶亞洲區(qū)嵌入式產(chǎn)品的銷售與業(yè)務(wù)管理,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)為亞洲客戶和合作伙伴提供更完善的服務(wù)與支持。   “亞洲在全球嵌入式產(chǎn)品市場(chǎng)具有重要的戰(zhàn)略地位,恒憶致力于提供相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)支持,以滿足嵌入式市場(chǎng)的需求”,恒憶全球嵌入式業(yè)務(wù)
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  嵌入式  NOR  NAND  PCM  
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          第九代 v-nand介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條第九代 v-nand!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)第九代 v-nand的理解,并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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