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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 結(jié)構(gòu)

結(jié)構(gòu) 文章進入結(jié)構(gòu)技術(shù)社區(qū)

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

Diameter協(xié)議結(jié)構(gòu)特點研究

Diameter協(xié)議介紹　　● 簡介　　Diameter系列協(xié)議是IETF開發(fā)的新一代AAA協(xié)議。AAA即Authentication(認(rèn)證)、Authorization(授權(quán))、Accounting(計費)。Authentication(認(rèn)證)用以對用戶身份進行確認(rèn);Authorization(授權(quán)
關(guān)鍵字：研究特點結(jié)構(gòu) 協(xié)議 Diameter

整流電路的結(jié)構(gòu)

關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 電路整流

達林頓管的應(yīng)用及達林頓模塊電路典型結(jié)構(gòu)

雙管形式——達林頓管。電流倍數(shù)：100-1000。飽和壓降大，速度慢。下圖虛線部分即是達林頓管。圖1-1：達林頓管應(yīng)用
實際比較常用的是達林頓模塊，它把GTR、續(xù)流二極管、輔助電路做到一個模塊內(nèi)。在較早期
關(guān)鍵字：典型結(jié)構(gòu) 電路模塊應(yīng)用林頓林頓管

結(jié)構(gòu)緊湊的超聲成像系統(tǒng)連續(xù)波多普勒(CWD)設(shè)計

摘要：采用高度集成的低功耗、雙極型放大器和連續(xù)波多普勒(CWD)混頻器/波束成型電路能夠使下一代結(jié)構(gòu)緊湊的超聲設(shè)備達到“高端”CWD的指標(biāo)。

超聲系統(tǒng)中要求最苛刻的臨床診斷工具是連續(xù)波多普勒(CWD)接
關(guān)鍵字：多普勒 CWD 設(shè)計連續(xù) 系統(tǒng) 緊湊超聲成像結(jié)構(gòu)

采用RS422A現(xiàn)場總線溫控網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及分析

RS422A是工業(yè)界廣泛使用的雙向、差動平衡驅(qū)動和接收傳輸線標(biāo)準(zhǔn)接口 ,它以全雙工方式通信 ,支持多點連接 ,允許創(chuàng)建多達 32個節(jié)點的網(wǎng)絡(luò),具有傳輸距離遠（最大傳輸距離為 1200m） ,傳輸速率快（ 1200m時為 100kbit/s
關(guān)鍵字：控制系統(tǒng) 結(jié)構(gòu) 分析網(wǎng)絡(luò) 溫控 RS422A 現(xiàn)場總線采用

新型高線性折疊結(jié)構(gòu)混頻器設(shè)計

混頻器作為收發(fā)機中的關(guān)鍵模塊之一，對通信設(shè)備的上述性能產(chǎn)生直接的影響。隨著微電子工藝的發(fā)展， CMOS器件的柵長進一步縮小，MOS器件的過驅(qū)動電壓也進一步降低，這就為設(shè)計低壓低功耗的射頻電路提供了可能，但是依
關(guān)鍵字：設(shè)計結(jié)構(gòu) 折疊線性新型

多電平變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制策略

0 引言多電平變換器的概念自從A.Nabael在1980年的IAS年會上提出以后，以其獨特的優(yōu)點受到廣泛的關(guān)注和研究。首先，對于n電平的變換器，每個功率器件承受的電壓僅為母線電壓的1/（n－1），這就使得能夠用低壓
關(guān)鍵字：控制策略結(jié)構(gòu) 拓?fù)?/a> 變換器電平

UPS逆變模塊的Nm冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)和均流

0 引言隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展和用電設(shè)備的不斷增加，對UPS容量的要求越來越大。大容量的UPS有兩種構(gòu)成方式：一種是采用單臺大容量UPS；另一種是在UPS單機內(nèi)部采用功率模塊N＋m冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)。前者的缺點是成本高
關(guān)鍵字：余并聯(lián) 結(jié)構(gòu) Nm 模塊逆變 UPS

現(xiàn)場可編程門陣列的結(jié)構(gòu)與設(shè)計

現(xiàn)場可編程門陣列的結(jié)構(gòu)與設(shè)計,摘要：現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA——Field Programmable Gate Array)是上世紀(jì)80年代末發(fā)展起來的新型大規(guī)模集成邏輯器件。它采用高級計算機輔助設(shè)計技術(shù)進行器件的開發(fā)與設(shè)計,其優(yōu)越性大大超過普通TTL集成門
關(guān)鍵字：設(shè)計結(jié)構(gòu) 陣列可編程現(xiàn)場

三電平DC/DC變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其滑?？刂品椒?/a>

摘要：首先闡述了三電平DC/DC變換器拓?fù)涞耐茖?dǎo)過程，給出了6種非隔離三電平DC/DC變換器和5種隔離三電平DC/DC變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；分析了三電平DC/DC變換器中，如何設(shè)計濾波電路的參數(shù)以提高其動態(tài)品質(zhì)；最后以Buck三電平

關(guān)鍵字：滑模控制方法及其結(jié)構(gòu) DC/DC 變換器拓?fù)?/a> 電平

多電平變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方法研究

摘要：多電平變換器作為一種應(yīng)用于高壓大功率變換場合的新型變換器，其電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和PWM控制方法是當(dāng)前的一個研究熱點。基于電平箝位方式對多電平變換電路進行了分類，比較了“二極管或電容箝位”和ldqu
關(guān)鍵字：控制方法研究結(jié)構(gòu) 拓?fù)?/a> 變換器電平

半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu)特點及特殊設(shè)計要求

摘要：通過對電力半導(dǎo)體模塊結(jié)構(gòu)的介紹，以及對其主要原材料性能的分析，進一步闡述了各主要結(jié)構(gòu)材料對電力半導(dǎo)體模塊性能的影響。關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體；模塊；質(zhì)量差異　 1 引言電力半導(dǎo)體模塊是分立半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：設(shè)計要求特殊特點模塊結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體

中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較

摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進行了分析比較，對不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進行了深入的討論，并對中高壓變頻器的發(fā)展方向提出了自己的看法。關(guān)鍵詞：
關(guān)鍵字：分析比較結(jié)構(gòu) 拓?fù)?/a> 變頻器電路中高

“T”型連接結(jié)構(gòu)的UPS并聯(lián)運行方案

摘要：提出一種“T”型連接結(jié)構(gòu)的UPS并聯(lián)運行方案，該方案中并聯(lián)運行的UPS省去信號聯(lián)絡(luò)線，屬于主從式UPS并聯(lián)。從“T”型結(jié)構(gòu)UPS將前級UPS的輸出電流引入并以此電流作并聯(lián)控制信號，采用電流追蹤
關(guān)鍵字：方案運行 UPS 結(jié)構(gòu) 連接

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結(jié)構(gòu)介紹

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結(jié)構(gòu)電路

555集成電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)
89C51單片機外部結(jié)構(gòu)圖解
MCS51單片機內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖及引腳圖
51單片機總線結(jié)構(gòu)及時序分析

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輪邊雙電機驅(qū)動橋分類、功能和優(yōu)缺點介紹及國內(nèi)外典型產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)和結(jié)構(gòu)分析
LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電路原理誰能通俗易懂的講講
OBC主流電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

結(jié)構(gòu)資料下載

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