絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
Fairchild推出適用于混合動力電動汽車和純電動汽車應(yīng)用的分立式IGBT
- 隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市，汽車制造商及其供應(yīng)商在牽引逆變器 和其他電機驅(qū)動的元件方面將擁有更多的選擇 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應(yīng)用的新型分立式IGBT和二極管和裸片，從而擴展了其不斷增加的汽車級半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器，牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件，能夠?qū)㈦姵?/li>
- 關(guān)鍵字： Fairchild IGBT
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
- 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
- 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT
解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
工業(yè)強基：工信部今年打算怎么干？
- 工業(yè)基礎(chǔ)能力不強，關(guān)鍵核心零部件受制于人，工業(yè)發(fā)展如何補短板?解放日報·上海觀察從國家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強基2016專項行動實施方案》獲悉，今年工信部將推動重點領(lǐng)域發(fā)展，實施“一攬子”突破行動，重點突破40種左右標志性核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、先進基礎(chǔ)工藝。 ? “工業(yè)大而不強”，是我國工業(yè)發(fā)展的總體現(xiàn)狀。上海機床廠剛剛下線的國內(nèi)首臺進入汽車主機廠發(fā)動機生產(chǎn)線的“MK8220/S
- 關(guān)鍵字： IGBT 中國制造2025
三菱電機應(yīng)用于電動汽車驅(qū)動的模塊解決方案
- 電動汽車的運行條件不同于工業(yè)應(yīng)用條件，對電驅(qū)動用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡單等，而且要求更高的可靠性、更長的壽命以及安全無故障運行?！ ∽鳛槿蚴准议_發(fā)汽車級功率模塊的三菱電機從1997年起就將汽車級功率模塊成功地應(yīng)用于電動汽車中，迄今為止，已具有20年成功開發(fā)汽車級功率模塊的豐富經(jīng)驗?！ ?jù)介紹，三菱電機最早推出的是客戶定制型的汽車級IGBT模塊和智能功率模塊(IPM)，隨后推出了非定制型的J-series汽車級功率模塊T-PM，它是一種采用壓注模封裝的2i
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 IGBT
IGBT關(guān)斷特性的提升
- ???????IGBT現(xiàn)在存在的一個比較大的問題是關(guān)斷特性比較差，這對應(yīng)用限制比較多。英飛凌是如何解決這樣的問題的? 英飛凌科技(中國)公司工業(yè)功率控制事業(yè)部中國區(qū)總監(jiān)?于代輝 以前，半導(dǎo)體廠家主要從產(chǎn)品的角度如電子學(xué)角度來實現(xiàn)產(chǎn)品的更新?lián)Q代。最近，英飛凌提出PToS，也就是從產(chǎn)品到系統(tǒng)。英飛凌從系統(tǒng)的角度，通過與用戶更多的溝通，比如UPS，包括太陽能、風(fēng)能也存在導(dǎo)通電阻、工作溫度的問題。我們從用戶、系統(tǒng)和應(yīng)用的角度來反觀
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT
新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機
- 新能源汽車隨著相關(guān)技術(shù)的日趨成熟而越來越受歡迎，同時其清潔環(huán)保的特點已經(jīng)越來越受到大眾的喜愛。只是受制于動力系統(tǒng)(電池等)的限制，新能源汽車的續(xù)航與動力艙的體積一直為人詬病。由此可見，新能源汽車優(yōu)勢非常明顯，但弱點也比較突出，因此如何才能充分利用這種新技術(shù)，使之不雞肋呢?增加配套基礎(chǔ)設(shè)施(像燃料動力車一樣，增加“加油站”即充電樁/充電機)毫無疑問成為推動電動車發(fā)展的最強助力。這個配套基礎(chǔ)設(shè)施的潛力有多大?可以這么說，有路的地方就有機會!由此，我們可以看到大量的企業(yè)信心滿滿地殺入這個市場。 那么問題來
- 關(guān)鍵字： Vincotech IGBT
驅(qū)動電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析
- 在IGBT的使用過程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當驅(qū)動電路工作頻率相對IGBT開關(guān)頻率不足時，導(dǎo)致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進行正確全面的分析，才能找出問題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理?！ ⊥ǔ碚f，限制輸出頻率的因素是響應(yīng)速度和耗散功率。但是相比之下很多驅(qū)動產(chǎn)品的規(guī)定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一，是驅(qū)動器經(jīng)過一次輸出翻轉(zhuǎn)后并不能馬上恢復(fù)穩(wěn)態(tài)。如果在驅(qū)動器進入穩(wěn)態(tài)前再次輸出翻轉(zhuǎn)，則會引發(fā)一些可靠性問題?！ ”?/li>
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動電路 IGBT
電源的六大酷領(lǐng)域及動向
- 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場動向及新產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車 電池 USB Type-C 無線充電 能量收集 數(shù)據(jù)中心 201604
淺析IGBT的檢測方法
- IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極) 一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
- 關(guān)鍵字： IGBT
【E課題】PWM“死區(qū)”的概念及基本原理
- 死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時間再打開下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時間再打開上半橋，從而避免功率元件燒毀。 PWM脈寬調(diào)制 在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如igbt。這兩個igbt不能同時導(dǎo)通，否則就會出現(xiàn)短路的情況。因此，設(shè)計帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個器件同時導(dǎo)通。也就是說，當一個器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過一段死區(qū)，這時才能讓另一個導(dǎo)通。 死區(qū),簡單解釋 通常,大功率電機、變頻器等，末端都是由大功率管
- 關(guān)鍵字： PWM IGBT
Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動電機、工業(yè)自動化系統(tǒng)以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產(chǎn)品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的反相器。 DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側(cè)驅(qū)動器，使之適用于在電機驅(qū)動器及電源常見
- 關(guān)鍵字： Diodes IGBT
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)電路
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)相關(guān)帖子
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)資料下載
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473