絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
淺析IGBT的檢測方法
- IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極) 一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
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【E課題】PWM“死區(qū)”的概念及基本原理
- 死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時間再打開下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時間再打開上半橋，從而避免功率元件燒毀。 PWM脈寬調(diào)制 在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如igbt。這兩個igbt不能同時導(dǎo)通，否則就會出現(xiàn)短路的情況。因此，設(shè)計帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個器件同時導(dǎo)通。也就是說，當一個器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過一段死區(qū)，這時才能讓另一個導(dǎo)通。 死區(qū),簡單解釋 通常,大功率電機、變頻器等，末端都是由大功率管
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Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動電機、工業(yè)自動化系統(tǒng)以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產(chǎn)品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風力發(fā)電應(yīng)用的反相器。 DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側(cè)驅(qū)動器，使之適用于在電機驅(qū)動器及電源常見
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世強簽約國際橋堆領(lǐng)軍企業(yè)新電元 共拓工業(yè)汽車領(lǐng)域新版圖
- 全球先進電子元件分銷商世強日前與國際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內(nèi)的新電元全線產(chǎn)品?！ ⌒?nbsp;電元工業(yè)株式會社于1949年成立以來，主要從事功率半導(dǎo)體和開關(guān)電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術(shù)為主要領(lǐng)域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產(chǎn)品的市場占有率穩(wěn)居世界前列，在日本國內(nèi)占95%的市場份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場份額，素有“橋王”之稱?！ ⌒?nbsp;電元的主打產(chǎn)品——
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Σ-Δ調(diào)制器提高運動控制效率
- 工業(yè)運動控制涵蓋一系列應(yīng)用，包括基于逆變器的風扇或泵控制、具有更為復(fù)雜的交流驅(qū)動控制的工廠自動化以及高級自動化應(yīng)用(如具有高級伺服控制的機器人)。這些系統(tǒng)需要檢測多個變量，例如電機繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉(zhuǎn)子位置和速度。變量的選擇和所需的測量精度取決于終端應(yīng)用需求、系統(tǒng)架構(gòu)、目標系統(tǒng)成本或系統(tǒng)復(fù)雜度。還有其他考慮因素，例如狀態(tài)監(jiān)控等增值特性。據(jù)報道，電機占全球總能耗的40%，國際法規(guī)越來越注重全體工業(yè)運動應(yīng)用的系統(tǒng)效率(參見圖1)?！ ?nbsp; 圖1：工業(yè)
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模擬信號的隔離方法有哪些
- 模擬信號的隔離是非常頭疼的，有時候不得不需要隔離。大部分基于以下需要： 1.隔離干擾源; 2.分隔高電壓?！ 「綦x數(shù)字信號的辦法很多，隔離模擬信號的辦法卻沒有想象的那么多，關(guān)鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測量的場合，模擬信號的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統(tǒng)開發(fā)多年，對自己所知道的隔離方法做個小小的總結(jié)： 數(shù)字隔離方法： 1. 光耦; 2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數(shù)字代號，如 I2C的ADuM1250); 3.自己用變壓器
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser
- 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效。 Mouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關(guān)性能，可降低電路復(fù)雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
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IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機變頻器的英飛凌驅(qū)動IC產(chǎn)品陣容，帶來很高的電源效率并提高系統(tǒng)可靠性
- 英飛凌科技股份公司進一步壯大其200 V驅(qū)動IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅(qū)動IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應(yīng)用提供全面保護，比如電動園藝設(shè)備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅(qū)動以及半橋式驅(qū)動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結(jié)隔離(HVJI)工藝，以實現(xiàn)小型封裝，同時保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應(yīng)用量身定制
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最簡單易用的7管封裝IGBT模塊
- IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機承受電流大的特點，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動設(shè)計上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動電壓Uge和門極驅(qū)動電阻Rg，過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應(yīng)加熱，逆變焊機電源，變頻器等領(lǐng)域。
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IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
- 1. 概述 HWKT—09型微機勵磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機勵磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點是結(jié)構(gòu)簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準16位單片機(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機上成功投運，目前運行良好。 2. IGBT自并激勵磁系統(tǒng)的組成及主回路原理 2.1 勵磁系統(tǒng)組成及接線方式 自并激勵磁系統(tǒng)也就
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機驅(qū)動、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之
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意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關(guān)頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。 新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
- 英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進而最大限度降低系統(tǒng)維護工作量。 通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進一步壯大其高性能6.5kV
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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