美光 文章 進(jìn)入美光技術(shù)社區(qū)
美股周四：三大股指齊跌，Arm跌超5%，法拉第未來跌11%
- 11月10日消息，美國時(shí)間周四，美股收盤主要股指全線下跌，結(jié)束了標(biāo)指和納指兩年來最長的連續(xù)上漲。美聯(lián)儲(chǔ)主席鮑威爾警告稱，可能需要提高基準(zhǔn)利率來抑制通貨膨脹。道瓊斯指數(shù)收于33891.94點(diǎn)，下跌220.33點(diǎn)，跌幅0.65%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)收于4347.35點(diǎn)，跌幅0.81%；納斯達(dá)克指數(shù)收于13521.45點(diǎn)，跌幅0.94%。大型科技股多數(shù)下跌，谷歌和亞馬遜跌幅超過1%；Meta上漲，漲幅不到1%。芯片龍頭股漲跌不一，英偉達(dá)、高通、博通和美光上漲，美光漲幅超過1%；臺(tái)積電、英特爾和Arm等下跌，Ar
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三星、美光計(jì)劃擴(kuò)大HBM產(chǎn)能
- 在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)低迷的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動(dòng)力，最新報(bào)告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴(kuò)張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能。三星還計(jì)劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報(bào)道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對(duì)高溫?zé)崽匦院突旌湘I
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不負(fù)期待：與美光相約2023進(jìn)博會(huì)
- 不負(fù)期待?與美光相約2023進(jìn)博會(huì)2023年11月5日，第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進(jìn)博會(huì)，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動(dòng)人工智能和5G應(yīng)用進(jìn)步所付出的不懈努力。深入存儲(chǔ)四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。展臺(tái)劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動(dòng)設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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美光低功耗內(nèi)存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺(tái)提升混合現(xiàn)實(shí)(MR)與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)體驗(yàn)
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)?(XR)?平臺(tái)——第二代驍龍? XR2?驗(yàn)證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功
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美光推高速內(nèi)存 效能增5成
- 美光的新一代內(nèi)存，目前已出貨給數(shù)據(jù)中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴(kuò)大運(yùn)算能力，并以更高效能輔佐數(shù)據(jù)中心及客戶端平臺(tái)，支持AI訓(xùn)練及推論、生成式AI、數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫等。美光推出的16Gb DDR5內(nèi)存，以其領(lǐng)先1β制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)，美光1β DDR5 DRAM的內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達(dá)7,200MT／s，相較于前一代產(chǎn)品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品，在現(xiàn)有模塊化密度中，速率可達(dá)4,800MT／s至7,200MT／s，適用于數(shù)據(jù)中心及客戶端應(yīng)用。
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美光推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達(dá)7,200MT/s
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的 DDR5內(nèi)存。美光1β DDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá)7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場(chǎng)的所有客戶出貨?；?β節(jié)點(diǎn)的美光DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)[[1]]，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載需求，系統(tǒng)
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美光宣布推出7500系列SSD，面向數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)應(yīng)用
- 近日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的7500 NVMe SSD，主要面向數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)應(yīng)用，包括了云服務(wù)器和企業(yè)服務(wù)器。美光7500系列產(chǎn)品采用232層3D NAND閃存芯片，該芯片采用了CuA架構(gòu)，使用NAND的字符串堆疊技術(shù)，新技術(shù)可以大大減小NAND閃存的芯片尺寸，有助于降低成本據(jù)美光介紹，該系列SSD具有低于1ms的6x9 QoS延遲，最大順序讀取速度達(dá)7GB/s，寫入5.9GB/s（比競(jìng)爭對(duì)手高出97%），最大隨機(jī)讀取1100K IOPS（高出13%），寫入410K IOPS（高出242%）
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美股周四：芯片龍頭股多數(shù)上漲，英特爾、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超過5%
- 10月13日消息，美國時(shí)間周四，美股收盤主要股指全線下跌。在美股連漲四天后，美國國債收益率上升，9月份通脹報(bào)告略高于預(yù)期，給市場(chǎng)帶來壓力。道瓊斯指數(shù)收于33631.14點(diǎn)，下跌173.73點(diǎn)，跌幅0.51%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)收于4349.61點(diǎn)，跌幅0.62%；納斯達(dá)克指數(shù)收于13574.22點(diǎn)，跌幅0.63%。大型科技股多數(shù)下跌，蘋果和亞馬遜上漲，漲幅均不到1%。芯片龍頭股多數(shù)上漲，英特爾、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超過5%。新能源汽車熱門普遍下跌，特斯拉下跌1.57%，Rivian下跌0.21%
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美光將首次參加中國國際進(jìn)口博覽會(huì)
- 美國半導(dǎo)體巨頭美光透露，將參加于11月5日至10日在上海舉行的第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)。據(jù)媒體報(bào)道，美國半導(dǎo)體巨頭美光10月10日透露，將參加于11月5日至10日在上海舉行的第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)。這也是自進(jìn)博會(huì)舉辦以來，美光首次參加該展會(huì)。對(duì)此，美光方面表示，正在積極準(zhǔn)備相關(guān)事宜
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美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%
- IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進(jìn)一步擴(kuò)展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達(dá)到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進(jìn)的 high-k CMOS 器件技術(shù)，4 相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供 4,800 MT/s 至 7
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美光印度ATMP工廠動(dòng)工，投資27.5億美元
- 據(jù)外媒，當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月23日，美光科技公司位于印度古吉拉特邦薩南德的組裝、測(cè)試和封裝工廠 (ATMP) 破土動(dòng)工，總投資27.5億美元。據(jù)了解，今年6月，美光與印度政府簽署關(guān)于在古吉拉特邦建廠的諒解備忘錄。9月23日，印度塔塔集團(tuán)旗下塔塔項(xiàng)目公司宣布將與美光科技合作，建設(shè)該先進(jìn)半導(dǎo)體組裝和測(cè)試工廠，并表示該工廠一期工程將很快啟動(dòng)，預(yù)計(jì)2024年底投運(yùn)。古吉拉特邦首席部長布彭德拉·帕特爾在講話時(shí)表示：“該公司準(zhǔn)備在簽署諒解備忘錄后不到三個(gè)月的時(shí)間內(nèi)破紀(jì)錄地開始建設(shè)?！眻?bào)道稱，該項(xiàng)目是印度半導(dǎo)體使命（ISM）下
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美光訂價(jià)能力升 營運(yùn)露曙光
- 內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財(cái)報(bào)，鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測(cè)價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營運(yùn)有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等，目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
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美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺(tái)量產(chǎn)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺(tái)灣 《中央通訊社》 報(bào)道，臺(tái)灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺(tái)灣生產(chǎn)，其中臺(tái)日?qǐng)F(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺(tái)中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào)，臺(tái)灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM
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美光擴(kuò)展Crucial英睿達(dá)移動(dòng)固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，推出全新革命性存儲(chǔ)架構(gòu)
- 2023年7月26日，上海 —— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布推出Crucial?英睿達(dá) X9 Pro 移動(dòng)固態(tài)硬盤和Crucial英睿達(dá) X10 Pro 移動(dòng)固態(tài)硬盤。作為Crucial英睿達(dá)Pro系列產(chǎn)品線的新成員，這兩款高性能產(chǎn)品專為攝影師、攝像師、設(shè)計(jì)師等內(nèi)容創(chuàng)作者或追求高性能的消費(fèi)者而設(shè)計(jì)。兩款產(chǎn)品均采用美光TLC NAND，以及革命性的單ASIC移動(dòng)存儲(chǔ)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了突破性的超緊湊、輕量化外形
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對(duì)性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]
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