閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
東芝與SanDisk投資7000億日元建閃存基地
- 東芝日前聯(lián)合其美國半導(dǎo)體合作伙伴SanDisk宣稱，未來兩家公司計(jì)劃投資7000億日元在日本北部新建一處NAND閃存芯片基地。 兩家公司表示，新基地的選址極有可能定在日本北部北上巖手縣。但日本電子巨頭東芝表示新工廠的選址還未作最后確定。 半導(dǎo)體芯片在整個(gè)業(yè)務(wù)當(dāng)中占支柱地位的東芝公司目前有4個(gè)芯片制造基地，而且全部都在四日地區(qū)的三重縣。 另有消息稱，北九州地區(qū)的福岡縣已向東芝公司發(fā)出邀請(qǐng)，希望東芝公司能將其第五個(gè)芯片制造工廠建在本地區(qū)。同時(shí)有人建議稱，東芝公司即將建立的第五個(gè)芯片基地最
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分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場可能會(huì)再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場產(chǎn)生影響。 Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動(dòng)，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價(jià)格的下降。 這位分析師稱，雖然自從2
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Spansion 榮獲UT斯達(dá)康2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)
- 純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion宣布，公司獲得由UT斯達(dá)康(中國)有限公司頒發(fā)的2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)。Spansion是唯一獲此榮譽(yù)的NOR閃存供應(yīng)商。 作為對(duì)供應(yīng)商最高形式的認(rèn)可，戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)是UT斯達(dá)康對(duì)Spansion一貫致力于提供先進(jìn)的閃存解決方案以及對(duì)UT斯達(dá)康這一從事基于IP、端到端網(wǎng)絡(luò)和通信解決方案技術(shù)和產(chǎn)品生產(chǎn)、整合及支持的國際化領(lǐng)導(dǎo)廠商的客戶支持的一項(xiàng)重要肯定。 UT斯達(dá)康全球供應(yīng)鏈高級(jí)副總裁Jimmy Khoo表示：“作為我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商，Spans
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意法半導(dǎo)體第四財(cái)季贏利下滑 歸咎于閃存業(yè)務(wù)
- 半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics NV）日前發(fā)布了其第四財(cái)政季度收入報(bào)告。報(bào)告顯示，由于閃存業(yè)務(wù)銷售低迷，加之該業(yè)務(wù)部門重組花費(fèi)，導(dǎo)致第四季度意法半導(dǎo)體贏利出現(xiàn)下滑。 在今年第四財(cái)季，意法半導(dǎo)體公司凈利潤為2000萬美元，每股折合2美分，去年同期贏利為2.76億美元、每股30美分。不包括相關(guān)費(fèi)用在內(nèi)，該季度意法半導(dǎo)體贏利每股達(dá)到27美分。 銷售收入從去年的24.8億美元增長到27.4億美元。 Thomson Financial財(cái)務(wù)公司預(yù)期意法半導(dǎo)體該季度每股
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意法半導(dǎo)體（ST）推出價(jià)位低于50美分的8位閃存微控制器系列產(chǎn)品
- 意法半導(dǎo)體推出一系列低價(jià)格的閃存微控制器(MCU)，新產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是電動(dòng)自動(dòng)行車(ebike)、空調(diào)、小家電、傳感器等注重成本的產(chǎn)品。ST7FOX系列產(chǎn)品包含多款不同型號(hào)的產(chǎn)品，每款產(chǎn)品主要差別在于片上閃存密度不同(2KB到8KB)和引腳數(shù)量不同(8支到32支)。所有產(chǎn)品的定價(jià)都低于50美分(0.50美元)的重要價(jià)格門檻。 新產(chǎn)品屬于ST取得成功的深受市場歡迎的ST7微控制器系列，基于一個(gè)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8位體系架構(gòu)，通過簡化功能實(shí)現(xiàn)了極低的產(chǎn)品單價(jià)目標(biāo)，同時(shí)還保留了強(qiáng)健的經(jīng)過驗(yàn)證的先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢。S
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Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計(jì)將達(dá)到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點(diǎn)是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實(shí)繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計(jì)隨著DRAM內(nèi)存市場將糾正資本開支的長期錯(cuò)誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔(dān)心美國經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
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英飛凌授權(quán)IBM使用其嵌入式閃存制造工藝
- 德國infineon日前宣布，將授權(quán)130納米制程嵌入式閃存芯片制造技術(shù)給IBM。而IBM方面預(yù)計(jì)會(huì)在未來相應(yīng)產(chǎn)品中使用該制程技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品，并提供相應(yīng)服務(wù)。此列芯片預(yù)計(jì)將會(huì)在IBM北美工廠制造。 英飛凌的130納米嵌入式閃存技術(shù)早在2006年就已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。主要應(yīng)用于使用微控制器芯片的智能卡自動(dòng)系統(tǒng)中。根據(jù)計(jì)劃，IBM將會(huì)在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圓工廠投產(chǎn)，預(yù)計(jì)會(huì)在2008年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。 英飛凌是世界上第一家運(yùn)用130納米工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式閃存產(chǎn)品量產(chǎn)
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閃存芯片競爭激烈 日立擬退出小硬盤業(yè)務(wù)
- 1月7日消息，上周五，有消息稱，由于市場需求轉(zhuǎn)向閃存芯片，日立公司計(jì)劃退出小硬盤驅(qū)動(dòng)器市場，集中力量在2.5英寸和3.5英寸硬盤業(yè)務(wù)上。 據(jù)國外媒體報(bào)道，日立公司的一位代表近日稱，公司不再為小硬盤業(yè)務(wù)開發(fā)新的客戶，因?yàn)樵摌I(yè)務(wù)的需求量開始逐漸縮小。盡管公司會(huì)繼續(xù)提供1英寸和1.8英寸硬盤，但這些硬盤僅向現(xiàn)有的客戶提供，主要使用于便攜式音樂播放器和其他移動(dòng)裝置。公司計(jì)劃于今年夏季全面停止銷售1.8英寸硬盤。隨著閃存價(jià)格的下跌和容量的增大，閃存芯片日益取代了小硬盤在攝像機(jī)和便攜音樂播放器中的地位。去
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基于ARM高速閃存MCU應(yīng)對(duì)廣泛嵌入式需求
- 突出特點(diǎn) 由于采用了ARM7TDMI-S內(nèi)核，LPC2000系列MCU工作頻率達(dá)60MHz，與其他8-bit產(chǎn)品相比具有更強(qiáng)的功能延展性。同時(shí)它借助片上存儲(chǔ)器加 模塊實(shí)現(xiàn)了“零等待訪問”高速閃存功能，提高了指令執(zhí)行的效率。 此外，LPC2000的外設(shè)接口非常豐富，包括UART、SPI、I2C、CAN、ADC、 PWM、RTC等。LPC2000系列MCU應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，從網(wǎng)絡(luò)通信、 馬達(dá)控制，到汽車和消費(fèi)電子都適合于涉足。 嵌入式系統(tǒng)是面向用戶、面向產(chǎn)品、面向應(yīng)用的，它是將先進(jìn)計(jì)算機(jī)
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意法半導(dǎo)體、英特爾推遲成立閃存合資企業(yè)
- 12月27日消息，受借貸資本市場的影響，意法半導(dǎo)體、英特爾、FranciscoPartners本周三同意將成立閃存合資企業(yè)Numonyx的時(shí)間延長到明年3月28日。 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，英特爾在向美國證監(jiān)會(huì)遞交的一份文件中說，各方已經(jīng)對(duì)承諾書進(jìn)行了談判。最初的承諾書要求一些貸方提供15.5億美元，為Numonyx融資。 根據(jù)修改后的融資條款，意法半導(dǎo)體將提供3.64億美元的資金，持有Numonyx的48.6%的股份;FranciscoPartners將投資1.5億美元，獲得6.3%的股份。
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“中國芯”十佳揭曉集成電路芯片發(fā)展迅速
- 近日，由信息產(chǎn)業(yè)部電子信息產(chǎn)品管理司指導(dǎo)、信息產(chǎn)業(yè)部軟件與集成電路促進(jìn)中心組織的第二屆“中國芯”評(píng)選在北京揭曉。展訊通信(上海)有限公司等企業(yè)生產(chǎn)的5款芯片獲最佳市場表現(xiàn)獎(jiǎng)，北京凌訊華業(yè)科技有限公司等企業(yè)的5款芯片獲最具潛質(zhì)獎(jiǎng)。 從本屆獲獎(jiǎng)產(chǎn)品可以看出，2007年，我國集成電路芯片的發(fā)展取得了長足進(jìn)步：在最佳市場表現(xiàn)獎(jiǎng)中，由展訊通信有限公司自主研發(fā)、生產(chǎn)的一款多媒體娛樂基帶芯片(SC6600M)以3.08億元人民幣的銷售額高踞榜首;芯邦科技(深圳)有限公司的閃存盤控制芯片(CMB2091)則以7
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英飛凌許可IBM使用其嵌入式閃存制造工藝
- 英飛凌(Infineon Technologies AG)日前表示，已同意向IBM提供使用其嵌入式閃存制造工藝的許可。IBM將在北美使用這種130納米工藝。英飛凌表示，它將使用IBM的代工服務(wù)生產(chǎn)未來基于此工藝的產(chǎn)品。 英飛凌的上述130納米嵌入式閃存工藝于2006年初開始在英飛凌的工廠中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，用于生產(chǎn)從汽車系統(tǒng)到智能卡等應(yīng)用的微控制器芯片。 英飛凌汽車、工業(yè)與多市場業(yè)務(wù)部主管Peter Bauer表示：“通過這項(xiàng)合作，英飛凌發(fā)揮了其自己的制造IP的價(jià)值，獲得了新的批量制造伙伴，而且加
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英特爾展示固態(tài)閃存磁盤 明年推大量新品
- 12月18日消息，近日，英特爾公司公布了其將于2008年推出的新產(chǎn)品及推出時(shí)間，展示了用于移動(dòng)裝置的固態(tài)閃存磁盤。 據(jù)國外媒體報(bào)道，近日英特爾公司在舊金山舉行的新聞發(fā)布會(huì)上，公布了其將于2008年推出的新產(chǎn)品及具體的推出時(shí)間，展示了用于移動(dòng)裝置的固態(tài)閃存磁盤，并表示其45納米升級(jí)版雙核移動(dòng)平臺(tái)將于明年1月份發(fā)貨，明年年中用于筆記本的固態(tài)閃存磁盤也即將上市。英特爾公司表示，升級(jí)版Centrino雙核移動(dòng)平臺(tái)代碼為Santa Rosa，將包括一個(gè)45納米處理器，處理HD DVD和藍(lán)光格式高清晰視頻的
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東芝推出首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級(jí)別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計(jì)算機(jī)。計(jì)劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
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各類器件增長強(qiáng)勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高
- 據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長紀(jì)錄。 ICInsights認(rèn)為，
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
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